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Productos de semiconductoros discretos (41164)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Jantx1n3004b | - |  | 3666 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/124 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje | DO-203AA, DO-4, semento | 10 W | DO-213AA (DO-4) | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 2 a | 10 µA @ 69.2 V | 91 V | 35 ohmios | |||||||||||||||||
 | Jansp2n2218a | 114.6304 | | 2741 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/251 | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 800 MW | TO-39 (TO-205Ad) | - | Alcanzar sin afectado | 150-JANSP2N2218A | 1 | 50 V | 800 Ma | 10NA | NPN | 1V @ 50 Ma, 500 Ma | 40 @ 150mA, 10V | - | |||||||||||||||||
 | CDLL5523A/TR | 5.9052 | | 1975 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | 500 MW | DO-213AB | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5523A/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 2 µA @ 2 V | 5.1 V | 26 ohmios | ||||||||||||||||
 | 1N645-1E3 | 1.5150 | | 3651 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Bolsa | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N645 | Estándar | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1N645-1E3MS | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 225 V | 1 V @ 400 Ma | 50 na @ 225 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 400mA | - | ||||||||||||||
| 1N5233 | 1.8600 | | 2969 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N5233 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 Ma | 5 µA @ 3.3 V | 6 V | 7 ohmios | |||||||||||||||||
 | 1N5530DUR-1/TR | 16.3950 | | 1113 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N5530dur-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 Ma | 50 na @ 9.1 V | 10 V | 60 ohmios | |||||||||||||||||
| Jantx1n964bur-1/tr | 5.4397 | | 6121 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Jantx1n964bur-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 9.9 V | 13 V | 13 ohmios | ||||||||||||||||
| 1N4580A-1 | 3.8850 | | 1242 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N4580 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 V | 25 ohmios | |||||||||||||||||
 | Jan1N3021D-1/TR | 22.7164 | | 2689 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N3021D-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 8.4 V | 11 V | 8 ohmios | ||||||||||||||||
| 1N5946BUR-1/TR | 4.6800 | | 7368 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1.25 W | DO-213AB (Melf, LL41) | - | EAR99 | 8541.10.0050 | 209 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 56 V | 75 V | 140 ohmios | |||||||||||||||||||
 | Jantxv1n3016bur-1 | 18.1950 | | 2172 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Una granela | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1N3016 | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 150 µA @ 5.2 V | 6.8 V | 3.5 ohmios | |||||||||||||||
| Jan1N3291 | - | | 9543 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/246 | Una granela | Activo | Montaje | DO-205AA, DO-8, Semento | Estándar | DO-205AA (DO-8) | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.55 V @ 310 A | 10 Ma @ 400 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 100A | - | ||||||||||||||||
 | Jans1n4471 | 83.8650 | | 8993 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1.5 W | Do-41 | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 50 na @ 14.4 V | 18 V | 11 ohmios | ||||||||||||||||||
| CDLL4920/TR | 34.5900 | | 7718 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL4920/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 15 µA @ 12 V | 19.2 V | 300 ohmios | |||||||||||||||||
| R3720 | 59.0400 | | 8005 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | SR37 | Una granela | Activo | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | Estándar | Do-5 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.15 V @ 200 A | -65 ° C ~ 200 ° C | 85a | - | |||||||||||||||||
| Janhca1n746d | - | | 8328 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-JANHCA1N746D | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 µA @ 1 V | 3.3 V | 28 ohmios | |||||||||||||||||
| Jantx1n753aur-1/tr | 3.9102 | | 5454 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/127 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Jantx1n753aur-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 3.5 V | 6.2 V | 3 ohmios | ||||||||||||||||
 | Jantx1n6330dus | 42.0900 | | 6624 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 1N6330 | 500 MW | B, SQ-Melf | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 14 V | 18 V | 14 ohmios | |||||||||||||||
| 1N2491 | 44.1600 | | 1581 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | DO-203AA, DO-4, semento | Estándar | DO-4 (DO-203AA) | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-1N2491 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1.3 V @ 30 A | 10 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 6A | - | ||||||||||||||||
| Jantxv1n755c-1/tr | 11.9700 | | 1648 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/127 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N755C-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 2 µA @ 5 V | 7.5 V | 6 ohmios | ||||||||||||||||
| LSM140GE3/TR13 | 0.6900 | | 3349 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-215AA, Ala de Gaviota de SMB | LSM140 | Schottky | DO-215AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 580 MV @ 1 A | 1 ma @ 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | ||||||||||||||
 | 1 PMT5935E3/TR13 | 0.7350 | | 1085 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 20% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-216AA | 1pmt5935 | 3 W | DO-216AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 20.6 V | 27 V | 23 ohmios | |||||||||||||||
 | Jantxv1n3017b-1 | 11.8800 | | 2387 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Una granela | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N3017 | 1 W | Do-41 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 100 µA @ 5.7 V | 7.5 V | 4 ohmios | |||||||||||||||
| 1N4101 | 2.4750 | | 2195 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | 1N4101 | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
| 1N5241/TR | 4.1100 | | 3349 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N5241/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 231 | 1.5 V @ 200 Ma | 2 µA @ 8 V | 11 V | 22 ohmios | |||||||||||||||||
 | Jantx1n4491us | 14.3550 | | 2395 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1.5 W | A, SQ-Melf | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 250 na @ 96 V | 120 V | 400 ohmios | ||||||||||||||||||
 | HSM845J/TR13 | 2.4000 | | 2969 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | HSM845 | Schottky | DO-214AB | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 45 V | 620 MV @ 8 A | 250 µA @ 45 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 8A | - | ||||||||||||||
| 1N486B | 4.8300 | | 1088 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N486 | Estándar | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | 1N486BMS | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 250 V | 1 V @ 100 Ma | 1 µA @ 250 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 200 MMA | - | ||||||||||||||
 | Jans1n6316cus/tr | 285.2250 | | 6058 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 500 MW | B, SQ-Melf | - | Alcanzar sin afectado | 150-jans1n6316cus/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 50 | 1.4 v @ 1 a | 5 µA @ 1.5 V | 4.7 V | 17 ohmios | |||||||||||||||||
| 2C6420 | 31.7100 | | 4992 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-2C6420 | 1 |
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