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Productos de semiconductoros discretos (41164)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Tipo de fet | Current - Hold (IH) (Max) | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - Estado Fuera | Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) | Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) | Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) | Voltaje - En Estado (VTM) (Max) | Current - On State (IT (AV)) (Max) | Tipo scr | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Resistencia @ if, f | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Jans1n6491us/tr | - |  | 5515 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/406 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1.5 W | D-5A | descascar | 150-jans1n6491us/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 500 na @ 2 V | 5.6 V | 5 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Jankcbh2n2221a | - | | 5518 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/255 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-206AA, a 18-3 Lata de metal | 500 MW | TO-18 (TO-206AA) | - | Alcanzar sin afectado | 150-jankcbh2n2221a | 100 | 50 V | 800 Ma | 50NA | NPN | 1V @ 50 Ma, 500 Ma | 40 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1N647UR-1 | 3.9600 | | 1906 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N647 | Estándar | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1 V @ 400 Ma | 50 na @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 400mA | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Jan1n4461cus/tr | 26.9100 | | 9119 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/406 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1.5 W | D-5A | - | 150-Enero1n4461cus/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 v @ 1 a | 5 µA @ 4.08 V | 6.8 V | 2.5 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Jantx1n5539b-1/tr | 6.2111 | | 8351 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N5539B-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 17.1 V | 19 V | 100 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Jan1n966d-1 | 6.3450 | | 6850 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N966 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 12 V | 16 V | 17 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Jantx1n945bur-1 | - | | 5994 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/157 | Una granela | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 15 µA @ 8 V | 11.7 V | 30 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N6771 | 199.5300 | | 4684 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Un 257-3 | 1N6771 | Estándar | Un 257 | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N6771 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 200 V | 8a (DC) | 1.06 v @ 8 a | 35 ns | 10 µA @ 160 V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N6772 | 302.0100 | | 6813 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N6772 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MKC2N5667 | - | | 8137 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Morir | 1.2 W | Morir | - | Alcanzar sin afectado | 150 MKC2N5667 | 100 | 300 V | 5 A | 200NA | NPN | 400mv @ 600mA, 3a | 25 @ 1a, 5v | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Jans2n7372 | - | | 2330 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/612 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-254-3, TO-254AA (CLIENTES POTENCADES RECTOS) | 4 W | Un 254AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 V | 5 A | 50 µA | PNP | 1.5V @ 500mA, 5A | 70 @ 2.5a, 5V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CDLL200 | 22.0950 | | 9458 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | CDLL20 | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL200 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Jantx2n4239 | 40.5517 | | 7729 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/581 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 2N4239 | 1 W | TO-39 (TO-205Ad) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 V | 1 A | 100NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 100 mm, 1a | 30 @ 250 Ma, 1V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Jans2n3440 | - | | 1318 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/368 | Una granela | Descontinuado en sic | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 800 MW | TO-39 (TO-205Ad) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 250 V | 1 A | 2 µA | NPN | 500mv @ 4mA, 50 mA | 40 @ 20MA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Jantx1n3890a | 344.1450 | | 1143 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/304 | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | DO-203AA, DO-4, semento | 1N3890 | Estándar | DO-203AA (DO-4) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.5 V @ 20 A | 200 ns | 10 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 12A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| R3160 | 49.0050 | | 9227 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-R3160 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | UPS560E3/TR13 | 0.6300 | | 59 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | PowerMite®3 | UPS560 | Schottky | Powermit 3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 690 MV @ 5 A | 200 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 5A | 150pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GC9913-150A | - | | 2889 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C | Morir | Chip | - | Alcanzar sin afectado | 150-GC9913-150ATR | EAR99 | 8541.10.0040 | 1 | 0.3pf @ 0V, 1MHz | Schottky - Single | 2V | 14ohm @ 5mA, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2n2904al | 12.8079 | | 3422 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN | 2N2904 | 800 MW | A-5 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 V | 600 mA | 1 µA | PNP | 1.6v @ 50 mA, 500 mA | 40 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2327A | 47.1900 | | 4728 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | - | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | TO-39 (TO-205Ad) | - | Alcanzar sin afectado | 150-2n2327a | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 | 2 A | 250 V | 800 MV | 15A @ 60Hz | 20 µA | 2.2 V | 1.6 A | Recuperación | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N715 | 1.9200 | | 7639 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 10% | - | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N715 | 250 MW | Do-35 | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 11 V | 9 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N6931UTK1 | 259.3500 | | 6162 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-1n6931utk1 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | UES1304HR2 | 25.6800 | | 1253 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | B, axial | Estándar | B, axial | - | Alcanzar sin afectado | 150-Ues1304HR2 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1 v @ 3 a | 50 ns | 20 µA @ 200 V | - | 5A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1N5353/TR12 | 2.6250 | | 2303 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | T-18, axial | 1N5353 | 5 W | T-18 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 1 a | 1 µA @ 11.5 V | 16 V | 2.5 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Aptm10dam02g | 234.3620 | | 3308 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Sp6 | Aptm10 | Mosfet (Óxido de metal) | Sp6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 100 V | 495a (TC) | 10V | 2.5mohm @ 200a, 10v | 4V @ 10mA | 1360 NC @ 10 V | ± 30V | 40000 pf @ 25 V | - | 1250W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| R42150 | 102.2400 | | 1215 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-R42150 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Jansp2n3700 | 32.9802 | | 8935 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/391 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-206AA, a 18-3 Lata de metal | 500 MW | TO-18 (TO-206AA) | - | Alcanzar sin afectado | 150-JANSP2N3700 | 1 | 80 V | 1 A | 10NA | NPN | 500mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Jan1n5809us/tr | 8.4600 | | 7373 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/477 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | Estándar | B, SQ-Melf | - | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N5809US/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 875 MV @ 4 A | 30 ns | 5 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | 60pf @ 10V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Jantx2n4931u4 | - | | 7338 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/397 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-SMD, sin Plomo | 1 W | U4 | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 250 V | 200 MA | PNP | 1.2V @ 3 mm, 30 mA | 50 @ 30mA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N7377 | 324.9000 | | 3815 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 254-3, un 254AA | 58 W | Un 254AA | - | Alcanzar sin afectado | 150-2N7377 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 300 V | 5 A | - | PNP | - | - | - |
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