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Productos de semiconductoros discretos (41164)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Aplicacionales Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Voltaje - Ánodo - Cátodo (Vak) (Max) Corriente del Regulador (Max) Voltaje - Limitante (Max)
S3720 Microchip Technology S3720 61.1550
RFQ
 ECAD 4850 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo Montaje Do-203ab, do-5, semental Estándar DO-5 (DO-203AB) - Alcanzar sin afectado 150-S3720 EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.15 V @ 85 A 25 µA @ 200 V -65 ° C ~ 200 ° C 85a -
APT17F100B Microchip Technology APT17F100B 9.9900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Apt17f100 Mosfet (Óxido de metal) To-247 [b] descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 1000 V 17a (TC) 10V 800mohm @ 9a, 10v 5V @ 1MA 150 NC @ 10 V ± 30V 4845 pf @ 25 V - 625W (TC)
JANTXV1N6764 Microchip Technology Jantxv1n6764 -
RFQ
 ECAD 5853 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo A Través del Aguetero TO-254-3, TO-254AA (CLIENTES POTENCADES RECTOS) Estándar Un 254 - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 1.05 v @ 12 a 35 ns 10 µA @ 200 V - 12A 300pf @ 5V, 1MHz
JANTXV2N3507AU4 Microchip Technology Jantxv2n3507au4 -
RFQ
 ECAD 4977 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/349 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-SMD, sin Plomo 1 W U4 - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 50 V 1 µA 1 µA NPN 1.5V @ 250 Ma, 2.5a 35 @ 500mA, 1V -
JAN1N6331DUS/TR Microchip Technology Jan1n6331dus/tr 38.3700
RFQ
 ECAD 4634 0.00000000 Tecnología de Microchip MIL-PRF-19500/533 Tape & Reel (TR) Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SQ-Melf, B 500 MW B, SQ-Melf - 150-ENERO1N6331DUS/TR EAR99 8541.10.0050 100 1.4 v @ 1 a 50 na @ 15 V 20 V 18 ohmios
JANTX1N4100UR-1/TR Microchip Technology Jantx1n4100ur-1/tr 10.1213
RFQ
 ECAD 3442 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/533 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AA 500 MW DO-213AA - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-JantX1N4100UR-1/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 1 µA @ 5.7 V 7.5 V 200 ohmios
JANS1N5283UR-1/TR Microchip Technology Jans1n5283ur-1/tr 130.3050
RFQ
 ECAD 6419 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/463 Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - Montaje en superficie DO-213AB, MELL (Vidrio) 500MW DO-213AB (Melf, LL41) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-Jans1n5283ur-1/TR EAR99 8541.10.0070 1 100V 242 µA 1V
APT38F80L Microchip Technology Apt38f80l 18.1000
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Tecnología de Microchip Power MOS 8 ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-264-3, TO-264AA Apt38f80 Mosfet (Óxido de metal) To-264 [l] descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 800 V 41a (TC) 10V 240MOHM @ 20A, 10V 5V @ 2.5MA 260 NC @ 10 V ± 30V 8070 pf @ 25 V - 1040W (TC)
APTGF50VDA60T3G Microchip Technology Aptgf50vda60t3g -
RFQ
 ECAD 6636 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Obsoleto - Monte del Chasis Sp3 250 W Estándar Sp3 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 1 Chopper de Doble Impulso Escrutinio 600 V 65 A 2.45V @ 15V, 50A 250 µA Si 2.2 NF @ 25 V
2C3440 Microchip Technology 2C3440 9.0307
RFQ
 ECAD 5315 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-2C3440 1
JANTXV2N4931 Microchip Technology Jantxv2n4931 -
RFQ
 ECAD 4118 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/397 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN 1 W TO-39 (TO-205Ad) - Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 250 V 200 MA 250NA (ICBO) PNP 1.2V @ 3 mm, 30 mA 50 @ 30mA, 10V -
1N5993C Microchip Technology 1N5993C 7.1550
RFQ
 ECAD 6945 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5993 500 MW Do-35 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 2 µA @ 2 V 5.1 V 50 ohmios
2N1893 Microchip Technology 2N1893 27.3000
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN 800 MW A-5 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2N1893MS EAR99 8541.21.0095 1 80 V 500 mA 10NA (ICBO) NPN 5V @ 15 Ma, 150 Ma 40 @ 150mA, 10V -
1N2135A Microchip Technology 1N2135A 74.5200
RFQ
 ECAD 5766 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo Montaje Do-203ab, do-5, semental Estándar DO-5 (DO-203AB) descascar Alcanzar sin afectado 150-1N2135A EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.25 V @ 200 A 25 µA @ 400 V -65 ° C ~ 200 ° C 70a -
CDLL25V Microchip Technology CDLL25V 28.3200
RFQ
 ECAD 6882 0.00000000 Tecnología de Microchip * Una granela Activo CDLL25 - Alcanzar sin afectado 150-CDLL25V 1
1N4113UR/TR Microchip Technology 1N4113ur/TR 3.9400
RFQ
 ECAD 5637 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AA 500 MW DO-213AA - EAR99 8541.10.0050 249 1.1 V @ 200 Ma 50 na @ 14.44 V 19 V 150 ohmios
JANTX1N6330C Microchip Technology Jantx1n6330c 29.2350
RFQ
 ECAD 6063 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/533 Una granela Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) - Alcanzar sin afectado 150-Jantx1n6330c EAR99 8541.10.0050 1 1.4 v @ 1 a 50 na @ 14 V 18 V 14 ohmios
JANS1N6355 Microchip Technology Jans1n6355 -
RFQ
 ECAD 1281 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/533 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero B, axial 500 MW B, axial - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.4 v @ 1 a 50 na @ 152 V 200 V 1800 ohmios
JANTX1N4622CUR-1 Microchip Technology Jantx1n4622cur-1 23.1600
RFQ
 ECAD 2546 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/435 Una granela Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AA (Vidrio) 1N4622 500 MW DO-213AA descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 2.5 µA @ 2 V 3.9 V 1650 ohmios
JANTX1N7051-1 Microchip Technology Jantx1n7051-1 8.8950
RFQ
 ECAD 9748 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1
UTR11 Microchip Technology UTR11 9.2550
RFQ
 ECAD 9989 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo A Través del Aguetero A, axial Estándar A, axial - Alcanzar sin afectado 150-UTR11 EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.1 V @ 500 Ma 250 ns 3 µA @ 100 V -65 ° C ~ 175 ° C 1A 100pf @ 0V, 1 MHz
SMAJ5944CE3/TR13 Microchip Technology Smaj5944ce3/tr13 0.6450
RFQ
 ECAD 2108 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-214AC, SMA Smaj5944 3 W DO-214AC (SMAJ) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 47.1 V 62 V 100 ohmios
JAN2N3762 Microchip Technology Jan2n3762 -
RFQ
 ECAD 5632 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/396 Una granela Activo -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN 2N3762 1 W TO-39 (TO-205Ad) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 40 V 1.5 A 10 µA (ICBO) PNP 900mv @ 100 mm, 1a 30 @ 1a, 1.5V -
JANKCBM2N2221A Microchip Technology Jankcbm2n2221a -
RFQ
 ECAD 7054 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/255 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-206AA, a 18-3 Lata de metal 500 MW TO-18 (TO-206AA) - Alcanzar sin afectado 150-jankcbm2n2221a 100 50 V 800 Ma 50NA NPN 1V @ 50 Ma, 500 Ma 40 @ 150mA, 10V -
JANS1N7053UR-1/TR Microchip Technology Jans1n7053ur-1/tr 163.0650
RFQ
 ECAD 1075 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-Jans1n7053ur-1/TR EAR99 8541.10.0050 1
JANS1N6639US Microchip Technology Jans1n6639us 84.0000
RFQ
 ECAD 1932 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/609 Una granela Activo Montaje en superficie SQ-Melf, D Estándar D-5D - Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 75 V 1.2 V @ 500 Ma 4 ns 100 na @ 75 V -65 ° C ~ 175 ° C 300mA -
SMBJ5359B/TR13 Microchip Technology SMBJ5359B/TR13 1.6650
RFQ
 ECAD 2837 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-214AA, SMB SMBJ5359 5 W SMBJ (DO-214AA) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 1 a 500 na @ 17.3 V 24 V 3.5 ohmios
JANTX2N3055 Microchip Technology Jantx2n3055 -
RFQ
 ECAD 7581 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/407 Una granela Obsoleto -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-204AA, TO-3 2N3055 6 W TO-3 (TO-204AA) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 70 V 15 A 1mera NPN 2V @ 3.3a, 10a 20 @ 4a, 4V -
1N4752AP/TR8 Microchip Technology 1N4752AP/TR8 1.8900
RFQ
 ECAD 4620 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4752 1 W DO-204Al (DO-41) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.500 1.2 v @ 200 ma 5 µA @ 25.1 V 33 V 45 ohmios
1N6542 Microchip Technology 1N6542 20.7600
RFQ
 ECAD 5379 0.00000000 Tecnología de Microchip * Una granela Activo 1N6542 - Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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