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Productos de semiconductoros discretos (41164)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Aplicacionales | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Condición de PrueBa | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Voltaje - Ánodo - Cátodo (Vak) (Max) | Corriente del Regulador (Max) | Voltaje - Limitante (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Jan2n5005 | 416.0520 |  | 8867 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/535 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Chasis, Soporte de semento | TO10AA, TO-59-4, Stud | 2N5005 | 2 W | TO-59 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 V | 5 A | 50 µA | PNP | 1.5V @ 500mA, 5A | 70 @ 2.5a, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||
| Jantxv1n3046c-1 | - | | 5618 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CDLL5290/TR | 25.2900 | | 9769 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C | - | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | CDLL52 | 500MW | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5290/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 100V | 517 µA | 1.05V | |||||||||||||||||||||||||||||
 | Jan1n5195us | 27.0900 | | 4237 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/118 | Una granela | Activo | Montaje en superficie | DO-213AA | Estándar | DO-213AA | - | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N5195US | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 180 V | 1 V @ 100 Ma | 5 µA @ 180 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 200 MMA | - | |||||||||||||||||||||||||||||
| 5822SMG/TR13 | - | | 6386 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | DO-215AB, Ala de Gaviota SMC | Schottky | DO-215AB | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 500 MV @ 3 A | 1.5 Ma @ 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | ||||||||||||||||||||||||||||
 | Apt100gt60b2rg | - | | 2914 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Thunderbolt IGBT® | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Variatura a 247-3 | Apt100 | Estándar | 500 W | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 400V, 100A, 4.3OHM, 15V | Escrutinio | 600 V | 148 A | 300 A | 2.5V @ 15V, 100A | 3.25mj (Encendido), 3.125mj (apagado) | 460 NC | 40ns/320ns | ||||||||||||||||||||||||
| 2N7374 | 244.5450 | | 7817 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | - | A Través del Aguetero | Un 257-3 | 52.5 W | Un 257 | - | Alcanzar sin afectado | 150-2N7374 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 200 V | 5 A | - | NPN | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||
 | CDLL5528A | 6.4800 | | 9926 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | CDLL5528 | 500 MW | DO-213AB | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 6.5 V | 8.2 V | 40 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||
 | Jansl2n2219a | 114.6304 | | 6052 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 800 MW | TO-39 (TO-205Ad) | - | Alcanzar sin afectado | 150-Jansl2n2219a | 1 | 50 V | 800 Ma | 10NA | NPN | 1V @ 50 Ma, 500 Ma | 100 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N4115ur-1/TR | 3.9400 | | 7796 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | EAR99 | 8541.10.0050 | 249 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 16.8 V | 22 V | 150 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| CDS752A-1 | - | | 6077 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDS752A-1 | EAR99 | 8541.10.0050 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Jankcap2n3637 | - | | 3492 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/357 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 1 W | TO-39 (TO-205Ad) | - | Alcanzar sin afectado | 150-jankcap2n3637 | 100 | 175 V | 1 A | 10 µA | PNP | 600mv @ 5 mm, 50 Ma | 100 @ 50 mm, 10v | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2N3634 | 11.2119 | | 2314 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 2N3634 | 1 W | To-39 | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 140 V | 1 A | 10 µA | PNP | 600mv @ 5 mm, 50 Ma | 50 @ 50 mapa, 10v | - | |||||||||||||||||||||||||||
 | SMBJ5954CE3/TR13 | 1.3350 | | 2666 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMBJ5954 | 2 W | SMBJ (DO-214AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 121.6 V | 160 V | 700 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||
 | Jantxv2n3468l | - | | 3374 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/348 | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN | 1 W | A-5 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 50 V | 1 A | 100 µA (ICBO) | PNP | 1.2v @ 100 mA, 1A | 25 @ 500mA, 1V | 150MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
| SMBJ5360B/TR13 | 1.6650 | | 1083 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMBJ5360 | 5 W | SMBJ (DO-214AA) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 1 a | 500 na @ 18 V | 25 V | 4 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||
 | Jantx1n6332 | - | | 3696 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Descontinuado en sic | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 17 V | 22 V | 20 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||
 | CD967B | 1.5029 | | 6800 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Morir | 500 MW | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CD967B | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 Ma | 500 na @ 14 V | 18 V | 21 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5322 | 17.8486 | | 2515 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | - | A Través del Aguetero | TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN | 10 W | A-5 | - | Alcanzar sin afectado | 2N5322MS | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 75 V | 2 A | - | PNP | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||
| Jantxv1n4621ur-1 | - | | 4954 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Descontinuado en sic | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 3.5 µA @ 2 V | 3.6 V | 1700 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||
| CDLL5226A | 2.8650 | | 4763 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | CDLL5226 | 10 MW | DO-213AB | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 25 µA @ 1 V | 3.3 V | 28 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||
| CDLL4153 | 1.1571 | | 1091 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | DO-213AA | CDLL4153 | Estándar | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 75 V | 880 MV @ 20 Ma | 4 ns | 50 na @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 150 Ma | 2pf @ 0V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
 | 1 PMT5940C/TR13 | 2.7600 | | 7110 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-216AA | 1pmt5940 | 3 W | DO-216AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 32.7 V | 43 V | 53 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||
| 1N4615 | 2.6250 | | 4407 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 2.5 µA @ 1 V | 2 V | 1250 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||
| Jans1n4976dus/tr | 460.3500 | | 7284 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/356 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 5 W | E-Mada | - | 150-jans1n4976dus/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 50 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 42.6 V | 56 V | 35 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||
| Jan1N983C-1/TR | 5.2402 | | 5188 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N983C-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 62 V | 82 V | 330 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5076 | 287.8650 | | 5905 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje | TO10AA, TO-59-4, Stud | 40 W | TO-59 | - | Alcanzar sin afectado | 150-2N5076 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 250 V | 3 A | - | NPN | 2V @ 300 µA, 500 µA | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||
| Jantxv1n4122dur-1 | 36.0000 | | 9958 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N4122 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 27.4 V | 36 V | 200 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||
 | Jantx1n6081 | - | | 9091 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/503 | Una granela | Descontinuado en sic | A Través del Aguetero | A, axial | Estándar | A-pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 1.5 V @ 37.7 A | 30 ns | 5 µA @ 150 V | -65 ° C ~ 155 ° C | 2a | - | |||||||||||||||||||||||||||
| MBR2040FCTE3/TU | - | | 5605 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Tubo | Activo | MBR2040 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 |
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