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Productos de semiconductoros discretos (41164)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Aplicacionales Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Current - Hold (IH) (Max) Ganar Voltaje - Estado Fuera Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Voltaje - En Estado (VTM) (Max) Current - On State (IT (AV)) (Max) Real - Off State (Max) Tipo scr Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Figura de Ruido (db typ @ f) Voltaje - Ánodo - Cátodo (Vak) (Max) Corriente del Regulador (Max) Voltaje - Limitante (Max)
1N5230BUR-1 Microchip Technology 1N5230bur-1 4.7700
RFQ
 ECAD 6317 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AA (Vidrio) 500 MW DO-213AA - Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 200 Ma 50 µA @ 2 V 4.7 V 19 ohmios
JANTX2N2880 Microchip Technology Jantx2n2880 171.2375
RFQ
 ECAD 8433 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/315 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Chasis, Soporte de semento TO10AA, TO-59-4, Stud 2N2880 2 W TO-59 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 80 V 5 A 20 µA NPN 1.5V @ 500mA, 5A 40 @ 1a, 2v -
JANSD2N2906AUBC Microchip Technology Jansd2n2906aubc 305.9206
RFQ
 ECAD 1787 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/291 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-SMD, sin Plomo 500 MW UBC - Alcanzar sin afectado 150-Jansd2N2906AUBC 1 60 V 600 mA 50NA PNP 1.6v @ 50 mA, 500 mA 40 @ 150mA, 10V -
MBR30200CTE3/TU Microchip Technology MBR30200CTE3/TU 1.7250
RFQ
 ECAD 7453 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 MBR30200 Schottky Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 2,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 200 V 15A 900 MV @ 15 A 50 µA @ 200 V -65 ° C ~ 175 ° C
GA201 Microchip Technology GA201 70.7427
RFQ
 ECAD 8809 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -65 ° C ~ 150 ° C A Través del Aguetero TO-206AA, a 18-3 Lata de metal Un 18 - Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 1 5 Ma 100 V 750 MV - 200 µA 1.5 V 6 A 100 na Recuperación
2N5323 Microchip Technology 2N5323 17.6757
RFQ
 ECAD 7402 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo - A Través del Aguetero TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN 10 W A-5 - Alcanzar sin afectado 2N5323MS EAR99 8541.29.0095 1 50 V 2 A - PNP - - -
JAN2N6350 Microchip Technology Jan2n6350 -
RFQ
 ECAD 1300 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/472 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-205AC, TO-33-4 METAL CAN 1 W To-33 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 80 V 5 A - NPN - Darlington 1.5V @ 5MA, 5A 2000 @ 5a, 5V -
1N5298-1/TR Microchip Technology 1N5298-1/TR 21.8400
RFQ
 ECAD 5769 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - A Través del Aguetero Do-204AA, do-7, axial 1N5298 500MW Do-7 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-1N5298-1/TR EAR99 8541.10.0070 1 100V 1.21mA 1.4V
JAN2N6338 Microchip Technology Jan2n633338 101.2529
RFQ
 ECAD 1483 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/509 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-204AA, TO-3 200 W A 3 - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 100 V 50 µA 50 µA NPN 1.8v @ 2.5a, 25a 30 @ 10a, 2v -
2N2811 Microchip Technology 2N2811 117.9178
RFQ
 ECAD 1865 0.00000000 Tecnología de Microchip * Una granela Activo 2N2811 - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1
1N5554US/TR Microchip Technology 1N55554U/TR 10.0200
RFQ
 ECAD 8560 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SQ-Melf, E 1N5554 Estándar D-5B descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.3 V @ 9 A 2 µs 1 µA @ 1000 V -65 ° C ~ 175 ° C 3A -
JANTX1N988DUR-1 Microchip Technology Jantx1n988dur-1 -
RFQ
 ECAD 5304 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/117 Una granela Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AA (Vidrio) 500 MW DO-213AA - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.3 V @ 200 Ma 500 na @ 99 V 130 V 1100 ohmios
JAN1N5415US/TR Microchip Technology Jan1n5415us/tr 8.9100
RFQ
 ECAD 5182 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/411 Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero B, axial Estándar B, axial - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-ENERO1N5415US/TR EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.5 v @ 9 a 150 ns 1 µA @ 50 V -65 ° C ~ 175 ° C 3A -
JANTX1N755DUR-1 Microchip Technology Jantx1n755dur-1 17.8950
RFQ
 ECAD 8664 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/127 Una granela Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AA (Vidrio) 1N755 500 MW DO-213AA descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 2 µA @ 5 V 7.5 V 6 ohmios
UTR40/TR Microchip Technology UTR40/TR 9.4350
RFQ
 ECAD 4042 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero A, axial Estándar A, axial - Alcanzar sin afectado 150-UTR40/TR EAR99 8541.10.0070 100 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.1 V @ 200 Ma 350 ns 3 µA @ 400 V -65 ° C ~ 175 ° C 500mA 60pf @ 0V, 1 MHz
1PMT4122CE3/TR7 Microchip Technology 1 PMT4122CE3/TR7 0.4950
RFQ
 ECAD 6058 0.00000000 Tecnología de Microchip PowerMite® Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-216AA 1pmt4122 1 W DO-216 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.1 V @ 200 Ma 10 na @ 27.38 V 36 V 200 ohmios
JAN1N6352US/TR Microchip Technology Jan1n6352us/tr -
RFQ
 ECAD 4428 0.00000000 Tecnología de Microchip MIL-PRF-19500/533 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SQ-Melf, B 500 MW B, SQ-Melf descascar 150-ENERO1N6352US/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.4 v @ 1 a 50 na @ 114 V 150 V 1000 ohmios
JANTX1N6637DUS/TR Microchip Technology Jantx1n6637dus/tr -
RFQ
 ECAD 1446 0.00000000 Tecnología de Microchip MIL-PRF-19500/356 Tape & Reel (TR) Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SQ-Melf, E 5 W E-Mada descascar 150-JantX1N6637DUS/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 5 µA @ 1 V 5.1 V 1.5 ohmios
JANTXV1N4624D-1/TR Microchip Technology Jantxv1n4624d-1/tr 16.5186
RFQ
 ECAD 6787 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/435 Tape & Reel (TR) Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-jantxv1n4624d-1/tr EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 5 µA @ 3 V 4.7 V 1550 ohmios
APTGT200SK60T3AG Microchip Technology Aptgt200sk60t3ag 92.6400
RFQ
 ECAD 7573 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte del Chasis Sp3 Aptgt200 750 W Estándar Sp3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 Soltero Parada de Campo de Trinchera 600 V 290 A 1.9V @ 15V, 200a 250 µA Si 12.3 NF @ 25 V
1N3070-1 Microchip Technology 1N3070-1 7.0200
RFQ
 ECAD 135 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204AA, do-7, axial 1N3070 Estándar Do-7 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 1 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 175 V 1 V @ 100 Ma 50 ns -65 ° C ~ 175 ° C 100mA -
JANTXV1N6337CUS/TR Microchip Technology Jantxv1n6337cus/tr 57.2550
RFQ
 ECAD 6584 0.00000000 Tecnología de Microchip MIL-PRF-19500/533 Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SQ-Melf, B 500 MW B, SQ-Melf - 150-jantxv1n6337cus/tr EAR99 8541.10.0050 100 1.4 v @ 1 a 50 na @ 27 V 36 V 50 ohmios
JANTX1N4615DUR-1/TR Microchip Technology Jantx1n4615dur-1/tr 25.8153
RFQ
 ECAD 3819 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/435 Tape & Reel (TR) Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AA (Vidrio) 500 MW DO-213AA - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-Jantx1n4615dur-1/TR EAR99 8541.10.0050 1 2.5 µA @ 1 V 2 V 1250 ohmios
APT2X61D20J Microchip Technology Apt2x61d20j 23.9600
RFQ
 ECAD 8990 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita Apt2x61 Estándar ISOTOP® descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 200 V 60A 1.3 V @ 60 A 31 ns 250 µA @ 200 V
1N5301UR-1 Microchip Technology 1N5301UR-1 21.8250
RFQ
 ECAD 9658 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - Montaje en superficie DO-213AB, MELL (Vidrio) 1N5301 500MW DO-213AB (Melf, LL41) descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 1 100V 1.54mA 1.55V
CD4616 Microchip Technology CD4616 1.8354
RFQ
 ECAD 9045 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie Morir 500 MW Morir descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-CD4616 EAR99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 200 Ma 4 µA @ 1 V 2.2 V 1300 ohmios
2N3495 Microchip Technology 2N3495 33.6900
RFQ
 ECAD 2211 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN 400MW TO-5AA - Alcanzar sin afectado 150-2N3495 EAR99 8541.21.0095 1 - 120V 100mA PNP 40 @ 50 mm, 10v 150MHz -
JANS1N4102-1/TR Microchip Technology Jans1n4102-1/tr 31.6700
RFQ
 ECAD 2398 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/435 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-jans1n4102-1/tr EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 500 na @ 6.7 V 8.7 V 200 ohmios
JANS1N5302UR-1/TR Microchip Technology Jans1n5302ur-1/tr 130.3050
RFQ
 ECAD 7414 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/463 Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - Montaje en superficie DO-213AB, MELL (Vidrio) 500MW DO-213AB (Melf, LL41) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-Jans1n5302ur-1/TR EAR99 8541.10.0070 1 100V 1.65mA 1.6V
CDLL252/TR Microchip Technology CDLL252/TR 28.5000
RFQ
 ECAD 4701 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 175 ° C - Montaje en superficie DO-213AB, MELL (Vidrio) CDLL25 500MW DO-213AB (Melf, LL41) - Alcanzar sin afectado 150-CDLL252/TR 100 70V 6.82MA 4.46V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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