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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Aplicacionales | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Voltaje - Ánodo - Cátodo (Vak) (Max) | Corriente del Regulador (Max) | Voltaje - Limitante (Max) |
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Jantxv1n4958us | 15.9750 | ![]() | 7549 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | SQ-Melf, E | 1N4958 | 5 W | D-5B | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 25 µA @ 7.6 V | 10 V | 2 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Apt15d60bctg | 3.3000 | ![]() | 7226 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Apt15 | Estándar | To-247 [b] | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 600 V | 15A | 1.8 V @ 15 A | 80 ns | 250 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||
1N486B | 4.8300 | ![]() | 1088 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N486 | Estándar | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | 1N486BMS | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 250 V | 1 V @ 100 Ma | 1 µA @ 250 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 200 MMA | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1 PMT4112/TR7 | 0.9600 | ![]() | 3173 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | PowerMite® | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-216AA | 1pmt4112 | 1 W | DO-216 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.1 V @ 200 Ma | 50 na @ 13.37 V | 18 V | 100 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jans1n5312-1 | 99.8700 | ![]() | 4370 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N5312 | 500MW | Do-7 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 4.29mA | 2.6V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1 PMT4131E3/TR13 | 0.4950 | ![]() | 1593 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | PowerMite® | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-216AA | 1pmt4131 | 1 W | DO-216 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 57 V | 75 V | 250 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jan1n7054ur-1 | 9.1500 | ![]() | 3064 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | 1N7054 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Jan1n4959dus | 28.2150 | ![]() | 3035 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | SQ-Melf, E | 1N4959 | 5 W | D-5B | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 10 µA @ 8.4 V | 11 V | 2.5 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N3267R | 158.8200 | ![]() | 1439 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | DO-205AB, DO-9, Semento | 1N3267 | Polaridad Inversa Estándar | DO-205AB (DO-9) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | 1N3267RMS | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.3 V @ 300 A | 75 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 190 ° C | 275a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HS2907A | 8.1529 | ![]() | 9022 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | HS2907 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jans1n5293ur-1/tr | 130.3050 | ![]() | 7420 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 500MW | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Jans1n5293ur-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 748 µA | 1.15V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1 PMT5943/TR13 | 2.2200 | ![]() | 7139 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 20% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-216AA | 1pmt5943 | 3 W | DO-216AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 42.6 V | 56 V | 86 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv1n5284ur-1 | 40.2450 | ![]() | 8719 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1N5284 | 500MW | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 264 µA | 1V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5929Be3/TR13 | - | ![]() | 1950 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N5929 | 1.5 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 11.4 V | 15 V | 9 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4754AUR/TR | 3.6200 | ![]() | 8971 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | - | EAR99 | 8541.10.0050 | 272 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 29.7 V | 39 V | 60 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5469 | 40.8150 | ![]() | 7834 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | - | A Través del Aguetero | TO13AA, TO-66-2 | 70 W | TO-66 (TO-213AA) | - | Alcanzar sin afectado | 150-2N5469 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 400 V | 3 A | - | NPN | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N3893R | 50.8800 | ![]() | 4444 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/304 | Una granela | Activo | Montaje | DO-203AA, DO-4, semento | 1N3893 | Polaridad Inversa Estándar | DO-203AA (DO-4) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | 1N3893RMS | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.5 V @ 38 A | 150 ns | 10 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 12A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
Jans1n3595-1 | 52.1850 | ![]() | 4851 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N3595 | Estándar | Do-35 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 125 V | 1 V @ 200 Ma | 3 µs | 1 na @ 125 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 200 MMA | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
Jansm2n3500 | 41.5800 | ![]() | 1824 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/366 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 1 W | TO-39 (TO-205Ad) | - | Alcanzar sin afectado | 150-Jansm2n3500 | 1 | 150 V | 300 mA | 10 µA (ICBO) | NPN | 400mv @ 15 mA, 150 mA | 40 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
1N4686 | 3.9300 | ![]() | 8766 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N4686 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 2 V | 3.9 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N1185R | 74.5200 | ![]() | 9688 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | 1N1185 | Polaridad Inversa Estándar | DO-203AB (DO-5) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | 1N1185RMS | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 1.19 v @ 90 A | 10 µA @ 150 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 40A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Apt10m11jvru2 | 31.4600 | ![]() | 3369 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | Apt10m11 | Mosfet (Óxido de metal) | Sot-227 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 100 V | 142a (TC) | 10V | 11mohm @ 71a, 10v | 4V @ 2.5MA | 300 NC @ 10 V | ± 30V | 8600 pf @ 25 V | - | 450W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N6215 | 755.0400 | ![]() | 4434 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | - | Montaje | Un stud de 211 MB, TO-63-4 | 35 W | TO-63 | - | Alcanzar sin afectado | 150-2N6215 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 V | 2 A | - | PNP | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5881 | 41.7354 | ![]() | 2279 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | 2N5881 | 160 W | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 V | 15 A | NPN | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jan1N4995C | - | ![]() | 7616 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | E, axial | 5 W | E, axial | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 274 V | 360 V | 1400 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
1N5247B | 3.9150 | ![]() | 1234 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N5247 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | 1N5247BMS | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 13 V | 17 V | 19 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UFS550GE3/TR13 | 2.3700 | ![]() | 1761 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-215AB, Ala de Gaviota SMC | UFS550 | Estándar | DO-215AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 500 V | 1.2 v @ 5 a | 50 ns | 10 µA @ 500 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 5A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N3893A | 44.6400 | ![]() | 6531 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/304 | Una granela | Activo | Montaje | DO-203AA, DO-4, semento | 1N3893 | Estándar | DO-203AA (DO-4) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.5 V @ 38 A | 150 ns | 10 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 20A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2369aua | - | ![]() | 9666 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Descontinuado en sic | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-SMD | 360 MW | SMD | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 15 V | 400NA | NPN | 450mv @ 10 Ma, 100 Ma | 20 @ 100 maja, 1v | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N6004A | 1.9950 | ![]() | 6506 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N6004 | 500 MW | Do-35 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 9.1 V | 15 V | 42 ohmios |
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