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Productos de semiconductoros discretos (41164)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Aplicacionales | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) | Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Resistencia - RDS (ON) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Voltaje - Ánodo - Cátodo (Vak) (Max) | Corriente del Regulador (Max) | Voltaje - Limitante (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | UMX1089-GM2 | 9.5550 |  | 7924 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-UMX1089-GM2 | EAR99 | 8541.10.0060 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1N967A/TR | 2.0083 | | 2241 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 500 MW | Do-7 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N967A/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 13.7 V | 18 V | 21 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||
 | Janhca1n4575a | 46.6950 | | 8196 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/452 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JANHCA1N4575A | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 V | 50 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||
 | JANHCC2N6193 | - | | 6465 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/561 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 1 W | TO-205Ad (TO-39) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JANHCC2N6193 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 V | 5 A | 100 µA | PNP | 1.2V @ 500 Ma, 5a | 60 @ 2a, 2v | - | |||||||||||||||||||||||||
 | Jantx1n4956/tr | 6.2909 | | 4977 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | E, axial | 5 W | - | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N4956/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 50 µA @ 6.2 V | 8.2 V | 1.5 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||
 | 1N5621us/TR | 8.5050 | | 2436 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Sq-melf, un | Estándar | D-5A | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N5621US/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.6 v @ 3 a | 300 ns | 500 na @ 800 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 20pf @ 12V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||
| Jantx1n5522c-1/tr | 16.3856 | | 2616 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N5522C-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 2 µA @ 2 V | 4.7 V | 22 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||
| Jans1n4620c-1/tr | 116.4206 | | 4491 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jans1n4620c-1/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 3.5 µA @ 1.5 V | 3.3 V | 1.65 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||
 | 1N827UR-1/TR | 10.4850 | | 7593 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N827UR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.2 V | 15 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||
 | CD6324 | 2.1014 | | 8166 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | - | Montaje en superficie | Morir | Morir | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CD6324 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N6628/TR | 10.7700 | | 4880 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | A, axial | Estándar | A, axial | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N6628/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.35 v @ 2 a | 45 ns | 2 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1.75a | - | |||||||||||||||||||||||||
| 1N4690UR-1/TR | 4.6816 | | 6852 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N4690UR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 100 Ma | 10 µA @ 4 V | 5.6 V | ||||||||||||||||||||||||||||
| Jantx1n5531bur-1/tr | 13.2202 | | 6665 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Jantx1n5531bur-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 50 na @ 9.9 V | 11 V | 80 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||
 | Janhca1n5309 | - | | 5395 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 500MW | Do-7 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JANHCA1N5309 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 3.3MA | 2.25V | ||||||||||||||||||||||||||||
 | Jantxv1n4468/tr | 12.0631 | | 2576 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1.5 W | Do-41 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantXv1N4468/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 Ma | 50 na @ 10.4 V | 13 V | 8 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||
 | CDLL4099/TR | 3.5245 | | 4125 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | 500 MW | DO-213AB | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL4099/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 5.2 V | 6.8 V | 200 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||
 | Jans1n4975us/tr | 86.0502 | | 5843 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, E | 5 W | D-5B | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jans1n4975us/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 38.8 V | 51 V | 27 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||
| Jantxv1n5529b-1/tr | 8.2327 | | 3367 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N5529B-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 8.2 V | 9.1 V | 45 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||
 | Jantx1n5290ur-1/tr | 30.2100 | | 5779 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1N5290 | 500MW | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N5290UR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 517 µA | 1.05V | |||||||||||||||||||||||||||
| Jans1n4476us/tr | 69.3004 | | 1492 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1.5 W | A, SQ-Melf | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jans1n4476us/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 50 na @ 24 V | 30 V | 20 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||
| CDLL976B/TR | 2.7132 | | 9349 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | 500 MW | DO-213AB | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL976B/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 33 V | 43 V | 93 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||
 | Jantx1n6642ub/tr | 21.0805 | | 7151 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/578 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 3-SMD, sin Plomo | Estándar | UB | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Jantx1n6642ub/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 75 V | 1.2 V @ 100 Ma | 20 ns | 500 na @ 75 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 300mA | - | |||||||||||||||||||||||||
| Jantx1n6630/tr | 15.2850 | | 9130 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/590 | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | E, axial | Estándar | E, axial | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N6630/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 900 V | 1.7 v @ 3 a | 50 ns | 2 µA @ 990 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | 40pf @ 10V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||
| 2N4856UB/TR | 86.9554 | | 1007 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-SMD, sin Plomo | 2N4856 | 360 MW | - | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-2N4856UB/TR | 1 | N-canal | 40 V | 18pf @ 10V | 40 V | 175 Ma @ 15 V | 10 V @ 500 PA | 25 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||
| CDLL5529/TR | 5.9052 | | 7656 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 20% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | 500 MW | DO-213AB | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5529/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 7 V | 9.1 V | 45 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||
| 1N973B/TR | 2.0083 | | 4037 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 500 MW | Do-7 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N973B/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 25.1 V | 33 V | 58 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||
 | Jan1n3035bur-1/TR | 11.4247 | | 1804 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Enero1N3035Bur-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 32.7 V | 43 V | 70 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||
| Jan1N753D-1/TR | 5.8919 | | 6817 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/127 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N753D-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 3.5 V | 6.2 V | 7 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||
| 1N4614UR-1/TR | 3.0989 | | 8279 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N4614UR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 3.5 µA @ 1 V | 1.8 V | 1200 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||
| Jan1N4128Cur-1/TR | 19.9367 | | 6922 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N4128CUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 45.6 V | 60 V | 400 ohmios |
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