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Productos de semiconductoros discretos (41164)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Aplicacionales Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Voltaje - Ánodo - Cátodo (Vak) (Max) Corriente del Regulador (Max) Voltaje - Limitante (Max)
JANTXV1N4577AUR-1 Microchip Technology Jantxv1n4577aur-1 13.8900
RFQ
 ECAD 9799 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/452 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AA (Vidrio) 1N4577 500 MW DO-213AA descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 2 µA @ 3 V 6.4 V 50 ohmios
1N3168R Microchip Technology 1N3168R 201.6150
RFQ
 ECAD 3170 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo Montaje DO-205AB, DO-9, Semento 1N3168 Estándar DO-205AB (DO-9) descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 1N3168RMS EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.55 V @ 940 A 10 Ma @ 400 V -65 ° C ~ 200 ° C 300A -
1N3322A Microchip Technology 1N3322A 49.3800
RFQ
 ECAD 8236 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental 1N3322 50 W Do-5 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 A 10 µA @ 18.2 V 25 V 2.7 ohmios
APTM100A23STG Microchip Technology Aptm100a23stg 191.2800
RFQ
 ECAD 2777 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Sp4 Aptm100 Mosfet (Óxido de metal) 694W Sp4 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 2 Canales N (Medio Puente) 1000V (1kV) 36A 270mohm @ 18a, 10v 5V @ 5MA 308nc @ 10V 8700pf @ 25V -
1N5272B Microchip Technology 1N5272B 2.7265
RFQ
 ECAD 8552 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-1N5272B EAR99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 200 Ma 100 na @ 84 V 110 V 750 ohmios
UFS315JE3/TR13 Microchip Technology UFS315JE3/TR13 1.3200
RFQ
 ECAD 2737 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC UFS315 Estándar DO-214AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 950 MV @ 3 A 30 ns 10 µA @ 150 V -55 ° C ~ 175 ° C 3A -
1N4480USE3 Microchip Technology 1N4480USE3 10.0681
RFQ
 ECAD 2825 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/406 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Sq-melf, un 1.5 W A, SQ-Melf descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-1N4480USE3 EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 50 na @ 34.4 V 43 V 40 ohmios
UFS310JE3/TR13 Microchip Technology UFS310JE3/TR13 1.3050
RFQ
 ECAD 7680 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC UFS310 Estándar DO-214AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 950 MV @ 3 A 30 ns 10 µA @ 100 V -55 ° C ~ 175 ° C 3A -
JAN1N5196 Microchip Technology Jan1n5196 17.1600
RFQ
 ECAD 4750 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/118 Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial Estándar DO-35 (DO-204AH) - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 1 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 225 V 1 V @ 100 Ma 1 µA @ 250 V -65 ° C ~ 175 ° C 100mA -
JANS1N6318/TR Microchip Technology Jans1n6318/tr 107.0906
RFQ
 ECAD 3226 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/533 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW Do-35 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-jans1n6318/tr EAR99 8541.10.0050 1 1.4 v @ 1 a 5 µA @ 2.5 V 5.6 V 8 ohmios
JANSR2N2221A Microchip Technology Jansr2n2221a 91.0606
RFQ
 ECAD 2203 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/255 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-206AA, a 18-3 Lata de metal 500 MW TO-18 (TO-206AA) - Alcanzar sin afectado 150-JANSR2N2221A 1 50 V 800 Ma 50NA NPN 1V @ 50 Ma, 500 Ma 40 @ 150mA, 10V -
S2020 Microchip Technology S2020 33.4500
RFQ
 ECAD 3515 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo Montaje DO-203AA, DO-4, semento S2020 Estándar DO-203AA (DO-4) descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.3 V @ 30 A 10 µA @ 200 V -65 ° C ~ 200 ° C 16A -
MSASC25W100K Microchip Technology MSASC25W100K -
RFQ
 ECAD 2464 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo Montaje en superficie - MSASC25 Schottky 2-thinkey ™ descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 910 MV @ 25 A 500 µA @ 100 V -65 ° C ~ 175 ° C 25A -
1N969A Microchip Technology 1N969A 2.0700
RFQ
 ECAD 1178 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AA, do-7, axial 1N969 500 MW Do-7 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 5 µA @ 16.7 V 22 V 29 ohmios
1N3213 Microchip Technology 1N3213 65.8800
RFQ
 ECAD 7595 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo Montaje Do-203ab, do-5, semental 1N3213 Estándar DO-203AB (DO-5) descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 1N3213MS EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 500 V 1.19 v @ 90 A 10 µA @ 500 V -65 ° C ~ 200 ° C 40A -
JTXM19500/469-03 Microchip Technology JTXM19500/469-03 457.1400
RFQ
 ECAD 5356 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo - Alcanzar sin afectado 0000.00.0000 1
JANTXV1N941B-1 Microchip Technology Jantxv1n941b-1 -
RFQ
 ECAD 3435 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/157 Una granela Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW Do-35 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 15 µA @ 8 V 11.7 V 30 ohmios
JANS2N3439UA/TR Microchip Technology Jans2n3439ua/tr -
RFQ
 ECAD 4057 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/368 Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo 800 MW Ua - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-Jans2N3439UA/TR EAR99 8541.21.0095 1 350 V 1 A 2 µA NPN 500mv @ 4mA, 50 mA 40 @ 20MA, 10V -
CDLL5281D/TR Microchip Technology CDLL5281D/TR 8.5950
RFQ
 ECAD 2077 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 20% -65 ° C ~ 200 ° C Montaje en superficie DO-213AA DO-213AA - Alcanzar sin afectado 150-CDLL5281D/TR EAR99 8541.10.0050 110 1.1 V @ 200 Ma 100 na @ 144 V 200 V 2500 ohmios
CDLL4760A Microchip Technology CDLL4760A 3.4650
RFQ
 ECAD 6278 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie Do-213ab, melf CDLL4760 DO-213AB descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 100 na @ 51.7 V 68 V 150 ohmios
1N3019B-1 Microchip Technology 1N3019B-1 -
RFQ
 ECAD 8080 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N3019 1 W DO-204Al (DO-41) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 25 µA @ 6.9 V 9.1 V 6 ohmios
JANHCA1N5541C Microchip Technology Janhca1n5541c -
RFQ
 ECAD 8977 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/437 Una granela Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) - Alcanzar sin afectado 150-JANHCA1N5541C EAR99 8541.10.0050 100 1.1 V @ 200 Ma 10 na @ 19.8 V 22 V 100 ohmios
1N3272 Microchip Technology 1N3272 151.2750
RFQ
 ECAD 3937 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo Montaje DO-205AB, DO-9, Semento 1N3272 Estándar DO-205AB (DO-9) descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 1N3272MS EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 900 V 1.3 V @ 300 A 75 µA @ 900 V -65 ° C ~ 190 ° C 275a -
1N5293-1 Microchip Technology 1N5293-1 18.6000
RFQ
 ECAD 2339 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - A Través del Aguetero Do-204AA, do-7, axial 1N5293 500MW Do-7 descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 1 100V 748 µA 1.15V
CDLL4769 Microchip Technology CDLL4769 165.7350
RFQ
 ECAD 5441 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AA CDLL4769 500 MW DO-213AA descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 10 µA @ 6 V 9.1 V 350 ohmios
JANTX1N5524DUR-1/TR Microchip Technology Jantx1n5524dur-1/tr 42.0014
RFQ
 ECAD 5705 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/437 Tape & Reel (TR) Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AA (Vidrio) 500 MW DO-213AA - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-Jantx1n5524dur-1/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 2 µA @ 3.5 V 5.6 V 30 ohmios
1N5919CP/TR12 Microchip Technology 1N5919CP/TR12 2.2800
RFQ
 ECAD 8734 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N5919 1.5 W DO-204Al (DO-41) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 4.000 1.2 v @ 200 ma 5 µA @ 3 V 5.6 V 2 ohmios
1N5313-1E3/TR Microchip Technology 1N5313-1E3/TR 22.0200
RFQ
 ECAD 7281 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5313 500MW DO-35 (DO-204AH) - Alcanzar sin afectado 150-1N5313-1E3/TR 100 100V 4.73MA 2.75V
CD747C Microchip Technology CD747C -
RFQ
 ECAD 2930 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie Morir 500 MW Morir - Alcanzar sin afectado 150-CD747C EAR99 8541.10.0050 278 1.5 V @ 200 Ma 5 µA @ 1 V 3.6 V 24 ohmios
JAN1N2976B Microchip Technology Jan1n2976b -
RFQ
 ECAD 7245 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/124 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje DO-203AA, DO-4, semento 1N2976 10 W DO-213AA (DO-4) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 2 a 10 µA @ 9.1 V 12 V 3 ohmios
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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