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Productos de semiconductoros discretos (41164)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Aplicacionales | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Aporte | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Real - Corte de Coleción (Max) | Termistor NTC | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Voltaje - Ánodo - Cátodo (Vak) (Max) | Corriente del Regulador (Max) | Voltaje - Limitante (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 1N5344A/TR12 | - |  | 5340 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | T-18, axial | 1N5344 | 5 W | T-18 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 1 a | 10 µA @ 5.9 V | 8.2 V | 1.5 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||
 | Apt60gf60ju3 | - | | 9078 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Obsoleto | - | Monte del Chasis | Isotop | 378 W | Estándar | Sot-227 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Soltero | Escrutinio | 600 V | 93 A | 2.5V @ 15V, 60A | 80 µA | No | 3.59 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||
 | 1N5239Be3 | 2.9550 | | 7321 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Bolsa | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N5239 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1N5239BE3MS | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 Ma | 3 µA @ 7 V | 9.1 V | 10 ohmios | |||||||||||||||||||||||||
| 1N5341BE3/TR13 | 0.9900 | | 9482 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | T-18, axial | 1N5341 | 5 W | T-18 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.250 | 1.2 v @ 1 a | 1 µA @ 3 V | 6.2 V | 1 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||
 | Jantxv1n5535cur-1/tr | 44.0363 | | 2346 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N5535CUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 13.5 V | 15 V | 100 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||
 | Jan1N5553US/TR | 10.1400 | | 5578 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/420 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SQ-Melf, E | Estándar | D-5B | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Enero1N5553US/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.3 V @ 9 A | 2 µs | 1 µA @ 800 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | |||||||||||||||||||||||||
| Jantxv1n983d-1/tr | 8.5519 | | 9536 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jantxv1n983d-1/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 62 V | 82 V | 330 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||
 | Jantx1n4991cus/tr | 55.9050 | | 5915 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/356 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 5 W | E-Mada | - | 150-Jantx1n4991cus/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 182 V | 240 V | 650 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||
| Jantxv1n4981dus/tr | 51.2700 | | 6770 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/356 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 5 W | E-Mada | - | 150-jantxv1n4981dus/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 69.2 V | 91 V | 90 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||
 | Jantxv1n6342us/tr | 22.4550 | | 3013 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/533 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 500 MW | B, SQ-Melf | - | 150-JantXV1N6342US/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 43 V | 56 V | 100 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||
 | CDLL971A | 2.8650 | | 4662 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | CDLL971 | 500 MW | DO-213AB | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 21 V | 27 V | 41 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||
 | Jantxv1n3018d-1 | 38.0400 | | 1763 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Una granela | Activo | ± 1% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N3018 | 1 W | Do-41 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 50 µA @ 6.2 V | 8.2 V | 4.5 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||
 | Jantx2n5152 | 13.6192 | | 7621 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/544 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 2N5152 | 1 W | TO-39 (TO-205Ad) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 V | 2 A | 50 µA | NPN | 1.5V @ 500mA, 5A | 30 @ 2.5a, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||
| R409 | 102.2400 | | 8672 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-R409 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Jantx1n2819b | - | | 4255 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/114 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A-204AD | 1N2819 | 10 W | TO-204AD (TO-3) | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 2 a | 10 µA @ 16.7 V | 22 V | 2.5 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||
 | 1N5816E3 | 62.4150 | | 6673 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/478 | Una granela | Activo | Montaje | DO-203AA, DO-4, semento | Estándar | DO-203AA (DO-4) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 950 MV @ 20 A | 35 ns | 10 µA @ 150 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 20A | 300pf @ 10V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
| Jantxv1n4574aur-1 | 41.5050 | | 8093 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | 1N4574 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | UZ5119 | 32.2650 | | 2745 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | B, axial | 5 W | B, axial | - | Alcanzar sin afectado | 150-UZ5119 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 5 µA @ 144 V | 190 V | 470 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||
 | 1N6642US/TR | 7.0350 | | 4471 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SQ-Melf, D | 1N6642 | Estándar | D-5D | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 136 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 75 V | 1.2 V @ 100 Ma | 5 ns | 500 na @ 75 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 300mA | 5PF @ 0V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||
 | UES706HR2 | - | | 4701 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Descontinuado en sic | Chasis, Soporte de semento | DO-203AA, DO-4, semento | Estándar | Do-4 | descascar | Rohs no conforme | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.25 V @ 20 A | 50 ns | 50 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 20A | - | |||||||||||||||||||||||||
| CDLL5287 | 25.0950 | | 8625 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C | - | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | CDLL52 | 500MW | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 100V | 363 µA | 1V | ||||||||||||||||||||||||||||
 | 1N4749ur | 3.3300 | | 3141 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N4749ur | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 18.2 V | 24 V | 25 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||
| CDLL200/TR | 22.2750 | | 9468 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Tape & Reel (TR) | Activo | CDLL20 | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL200/TR | 100 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CDS4148UR-1 | - | | 7501 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-cds4148ur-1 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Jantxv1n4112-1/tr | 8.1662 | | 6434 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N4112-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 50 na @ 13.7 V | 18 V | 100 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||
| Jankca1n4569a | - | | 3901 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Jankca1n4569a | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 V | 200 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||
| Jantxv1n4491d | 41.2350 | | 6040 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do041, axial | 1.5 W | Do-41 | - | Alcanzar sin afectado | 150-jantxv1n4491d | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 250 na @ 96 V | 120 V | 400 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||
| CDLL5227D | 8.4150 | | 7791 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | 10 MW | DO-213AA | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5227D | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 15 µA @ 1 V | 3.6 V | 24 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||
| Jan1n4493c | 25.6050 | | 6012 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4493 | 1.5 W | Do-41 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 Ma | 250 na @ 120 V | 150 V | 700 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||
| Jan1N4131-1/TR | 3.7772 | | 6651 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Enero1N4131-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 57 V | 75 V | 700 ohmios |
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