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Productos de semiconductoros discretos (41164)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Disipacia de Potencia (Max) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Resistencia @ if, f | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 1N5262/TR | 2.2950 |  | 5881 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N5262/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 410 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 37 V | 51 V | 125 ohmios | ||||||||||||||||||||||||
 | GC4721-00 | - | | 9196 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Banda | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C | Morir | Chip | - | Alcanzar sin afectado | 150-GC4721-00 | EAR99 | 8541.10.0040 | 1 | 5 W | 0.15pf @ 6V, 1MHz | PIN - Single | 120V | 1.5ohm @ 10mA, 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||
 | SMBJ4747/TR13 | 0.8700 | | 9536 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMBJ4747 | 2 W | SMBJ (DO-214AA) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 15.2 V | 20 V | 22 ohmios | ||||||||||||||||||||||
 | CDLL5546D | 16.2000 | | 3096 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5546D | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 29.7 V | 33 V | 100 ohmios | ||||||||||||||||||||||||
 | Jan1n4465dus | 33.4500 | | 6776 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1N4465 | 1.5 W | D-5A | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 Ma | 300 na @ 8 V | 10 V | 5 ohmios | ||||||||||||||||||||||
| SMBJ4733A/TR13 | 0.8850 | | 8150 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMBJ4733 | 2 W | SMBJ (DO-214AA) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 1 V | 5.1 V | 7 ohmios | ||||||||||||||||||||||
| 2N5658 | 287.8650 | | 3788 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | - | Montaje | TO10AA, TO-59-4, Stud | 30 W | TO-59 | - | Alcanzar sin afectado | 150-2N5658 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 V | 10 A | - | PNP | - | - | - | ||||||||||||||||||||||
 | Jan1n4956us | 9.1200 | | 5403 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | SQ-Melf, E | 1N4956 | 5 W | D-5B | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 50 µA @ 6.2 V | 8.2 V | 1.5 ohmios | ||||||||||||||||||||||
| Jantx1n3295r | - | | 1403 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/246 | Una granela | Activo | Montaje | DO-205AA, DO-8, Semento | Estándar | DO-205AA (DO-8) | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1.55 V @ 310 A | 10 Ma @ 1000 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 100A | - | ||||||||||||||||||||||||
| 2N3621 | 547.4100 | | 8772 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | - | Montaje | TO11MA, TO-210AC, TO-61-4, STARD | 30 W | TO-61 | - | Alcanzar sin afectado | 150-2N3621 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 40 V | 5 A | - | NPN | - | - | - | ||||||||||||||||||||||
 | 2N5883 | 42.1344 | | 6317 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | 2N5883 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | 2N5883MS | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | LSM315JE3/TR13 | 1.5450 | | 7028 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | LSM315 | Schottky | DO-214AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 15 V | 320 MV @ 3 A | 2 Ma @ 15 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 3A | - | |||||||||||||||||||||
 | Jan1n4967d | 18.6750 | | 8258 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | E, axial | 1N4967 | 5 W | E, axial | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 18.2 V | 24 V | 5 ohmios | ||||||||||||||||||||||
 | S8-4150/TR13 | 3.3600 | | 4565 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | S8-4150 | Estándar | 8-Soico | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 2.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 4 Independientes | 50 V | 400 mA (DC) | 1 V @ 200 Ma | 4 ns | 100 na @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||
| Jan1n4986dus | 42.4350 | | 9361 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | SQ-Melf, E | 1N4986 | 5 W | D-5B | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 114 V | 150 V | 330 ohmios | ||||||||||||||||||||||
| Jans1n5968cus | - | | 9924 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, E | 5 W | D-5B | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 5 Ma @ 4.28 V | 5.6 V | 1 ohmios | ||||||||||||||||||||||||
 | Janhcb2n2907a | 8.8578 | | 5693 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/291 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-206AA, a 18-3 Lata de metal | 2N2907 | 500 MW | Un 18 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JANHCB2N2907A | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 V | 600 mA | 50NA | PNP | 1.6v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||||||||||
 | Jans1n5802urs | 118.4100 | | 4850 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/477 | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | A, axial | Estándar | A, axial | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 975 MV @ 2.5 A | 25 ns | -65 ° C ~ 175 ° C | 2A | 25pf @ 10V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||
| Jantx1n5616 | 5.0000 | | 60 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/427 | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | A, axial | 1N5616 | Estándar | A, axial | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.3 V @ 3 A | 2 µs | 500 na @ 400 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 1A | - | ||||||||||||||||||||
| Jantxv1n4472us | - | | 4174 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Descontinuado en sic | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1.5 W | D-5A | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 Ma | 50 na @ 16 V | 20 V | 12 ohmios | |||||||||||||||||||||||
| Jan1n6625 | 11.2950 | | 2873 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/585 | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | A, axial | 1N6625 | Estándar | A, axial | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.75 v @ 1 a | 30 ns | 1 µA @ 1000 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | ||||||||||||||||||||
 | 1N3305A | 49.3800 | | 4793 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | Chasis, Soporte de semento | Do-203ab, do-5, semental | 1N3305 | 50 W | Do-5 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 300 µA @ 4.5 V | 6.8 V | 0.2 ohmios | ||||||||||||||||||||||
 | CDLL4372A/TR | 5.4530 | | 8751 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | 500 MW | DO-213AB | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL4372A/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 30 µA @ 1 V | 3 V | 29 ohmios | |||||||||||||||||||||||
| Jantxv1n4124ur-1 | 11.2500 | | 3708 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N4124 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 32.7 V | 43 V | 250 ohmios | ||||||||||||||||||||||
| 1N5712ub/TR | 23.5500 | | 3046 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 4-SMD, sin Plomo | Schottky | UB | - | 100 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 16 V | 1 V @ 35 Ma | 150 na @ 16 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 75 Ma | 2pf @ 0V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||
| 1N1203BR | 34.7100 | | 9658 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | DO-203AA, DO-4, semento | 1N1203 | Polaridad Inversa Estándar | DO-4 (DO-203AA) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 300 V | 1.2 V @ 30 A | 10 µA @ 300 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 12A | - | ||||||||||||||||||||||
 | 1N3650 | 31.3350 | | 6448 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/260 | Una granela | Activo | Montaje | DO-203AA, DO-4, semento | Estándar | DO-203AA (DO-4) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 2.2 v @ 10 a | 5 µA @ 1000 V | - | 3.3a | - | |||||||||||||||||||||||
| 1N6622E3 | 13.3800 | | 3392 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | A, axial | - | A, axial | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1.6 v @ 2 a | 30 ns | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||
| Jantxv1n971cur-1 | 19.3800 | | 2956 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N971 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 21 V | 27 V | 41 ohmios | ||||||||||||||||||||||
| Jan1n983cur-1 | 11.3850 | | 4242 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N983 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 62 V | 82 V | 330 ohmios |
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