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Productos de semiconductoros discretos (41164)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Aplicacionales Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Voltaje - Ánodo - Cátodo (Vak) (Max) Corriente del Regulador (Max) Voltaje - Limitante (Max)
CD5377 Microchip Technology CD5377 5.7150
RFQ
 ECAD 2103 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 20% -65 ° C ~ 200 ° C Montaje en superficie Morir 5 W Morir - Alcanzar sin afectado 150-CD5377 EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 500 na @ 69.2 V 91 V 75 ohmios
JANTX2N6277 Microchip Technology Jantx2n6277 215.6462
RFQ
 ECAD 1177 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/514 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-204AA, TO-3 2N6277 250 W TO-3 (TO-204AA) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 150 V 50 A 50 µA NPN 3V @ 10a, 50a 30 @ 20a, 4v -
R35120 Microchip Technology R35120 37.0200
RFQ
 ECAD 4352 0.00000000 Tecnología de Microchip R35 Una granela Activo Montaje Do-203ab, do-5, semental R35120 Polaridad Inversa Estándar DO-203AB (DO-5) descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1200 V 1.25 V @ 200 A 25 µA @ 1200 V -65 ° C ~ 200 ° C 70a -
1N6821R Microchip Technology 1N6821R 259.3500
RFQ
 ECAD 5515 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo Montaje en superficie Thinkey ™ 3 Schottky, Polaridad Inversa Thinkey ™ 3 - Alcanzar sin afectado 150-1N6821R EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 45 V 600 MV @ 150 A 10 Ma @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C 150a -
JANTXV1N4467US/TR Microchip Technology Jantxv1n4467us/tr 12.8611
RFQ
 ECAD 1452 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/406 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie Sq-melf, un 1.5 W D-5A - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-JantXV1N4467US/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 200 na @ 9.6 V 12 V 7 ohmios
JANTX1N753A-1 Microchip Technology Jantx1n753a-1 2.3850
RFQ
 ECAD 4489 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/127 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N753 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 5 µA @ 3.5 V 6.2 V 3 ohmios
S36150 Microchip Technology S36150 61.1550
RFQ
 ECAD 2798 0.00000000 Tecnología de Microchip * Una granela Activo - Alcanzar sin afectado 150-S36150 1
JANS1N4487DUS Microchip Technology Jans1n4487dus 330.2550
RFQ
 ECAD 7677 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/406 Una granela Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Sq-melf, un 1.5 W D-5A - Alcanzar sin afectado 150-jans1n4487dus EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 250 na @ 65.6 V 82 V 160 ohmios
JANTX1N6310CUS/TR Microchip Technology Jantx1n6310cus/tr 44.6250
RFQ
 ECAD 3427 0.00000000 Tecnología de Microchip MIL-PRF-19500/533 Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SQ-Melf, B 500 MW B, SQ-Melf - 150-Jantx1n6310cus/TR EAR99 8541.10.0050 100 1.4 v @ 1 a 60 µA @ 1 V 2.7 V 30 ohmios
JANTXV1N6633CUS/TR Microchip Technology Jantxv1n6633cus/tr -
RFQ
 ECAD 4529 0.00000000 Tecnología de Microchip MIL-PRF-19500/356 Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SQ-Melf, E 5 W E-Mada descascar 150-jantxv1n6633cus/tr EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 250 µA @ 1 V 3.6 V 2.5 ohmios
1N4620E3/TR Microchip Technology 1N4620E3/TR 2.6733
RFQ
 ECAD 5930 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-1N4620E3/TR EAR99 8541.10.0050 1
JANTX1N5711UBCA/TR Microchip Technology Jantx1n5711ubca/tr 104.5800
RFQ
 ECAD 5889 0.00000000 Tecnología de Microchip MIL-PRF-19500/444 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 3-SMD, sin Plomo Schottky UB - 150-Jantx1n5711ubca/TR 100 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 1 par Ánodo Común 50 V 1 V @ 15 Ma 200 na @ 50 V -65 ° C ~ 150 ° C
APT2X31DQ120J Microchip Technology APT2X31DQ120J 22.0200
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita Apt2x31 Estándar ISOTOP® descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 1200 V 30A 3.1 V @ 30 A 300 ns 100 µA @ 1200 V
MBR3090CTE3/TU Microchip Technology MBR3090CTE3/TU 1.1700
RFQ
 ECAD 8532 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 MBR3090 Schottky Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 2,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 90 V 15A 800 MV @ 15 A 50 µA @ 90 V -65 ° C ~ 175 ° C
MSC040SMA120S Microchip Technology MSC040SMA120S 25.1500
RFQ
 ECAD 9242 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-268-3, D³PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA MSC040 Sicfet (CARBURO DE SILICIO) D3pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 60 N-canal 1200 V 64a (TC) 20V 50mohm @ 40a, 20V 2.6V @ 2mA 137 NC @ 20 V +23V, -10V 1990 pf @ 1000 V - 303W
APTGT300A170D3G Microchip Technology Aptgt300a170d3g 424.5600
RFQ
 ECAD 8483 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo D-3 Aptgt300 1470 W Estándar D3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 Medio puente Parada de Campo de Trinchera 1700 V 530 A 2.4V @ 15V, 300A 8 MA No 26 NF @ 25 V
CDLL5295/TR Microchip Technology CDLL5295/TR 25.2900
RFQ
 ECAD 3393 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 175 ° C - Montaje en superficie DO-213AB, MELL (Vidrio) CDLL52 500MW DO-213AB (Melf, LL41) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-CDLL5295/TR EAR99 8541.10.0050 1 100V 902 µA 1.25V
1N5526C Microchip Technology 1N5526C 11.3550
RFQ
 ECAD 8039 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) - Alcanzar sin afectado 150-1N5526C EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 1 µA @ 6.2 V 6.8 V 30 ohmios
MSR2N2907AUBC Microchip Technology MSR2N2907AUBC -
RFQ
 ECAD 7833 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C Montaje en superficie 3-SMD, sin Plomo 500 MW UBC - Alcanzar sin afectado 150-MSR2N2907AUBC 100 60 V 600 mA 50NA PNP 1.6v @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150mA, 10V -
JANS2N5154 Microchip Technology Jans2n5154 55.9804
RFQ
 ECAD 1310 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/544 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN 1 W TO-39 (TO-205Ad) - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 80 V 1 MA 1mera NPN 1.5V @ 500mA, 5A 70 @ 2.5a, 5V -
JAN2N5793A Microchip Technology Jan2n5793a -
RFQ
 ECAD 1750 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/495 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-78-6 METAL CAN 2N5793 600MW Un 78-6 - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 1 40V 600mA 10 µA (ICBO) 2 NPN (dual) 900mv @ 30 mA, 300 mA 40 @ 150mA, 10V -
R307010F Microchip Technology R307010F 49.0050
RFQ
 ECAD 3827 0.00000000 Tecnología de Microchip * Una granela Activo - Alcanzar sin afectado 150-R307010F 1
JAN2N3507 Microchip Technology Jan2n3507 12.2892
RFQ
 ECAD 4788 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/349 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN 2N3507 1 W TO-39 (TO-205Ad) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 50 V 3 A - NPN 1.5V @ 250 Ma, 2.5a 30 @ 1.5a, 2v -
JAN2N3418 Microchip Technology Jan2n3418 17.0905
RFQ
 ECAD 1271 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/393 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN 2N3418 1 W TO-39 (TO-205Ad) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 60 V 3 A 5 µA NPN 500mv @ 200MA, 2a 20 @ 1a, 2v -
JAN1N5196UR/TR Microchip Technology Jan1n5196ur/tr 27.2400
RFQ
 ECAD 8873 0.00000000 Tecnología de Microchip MIL-PRF-19500/118 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-213AA Estándar DO-213AA - 150-Enero1n5196ur/TR 100 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 225 V 1 V @ 100 Ma 1 µA @ 250 V -65 ° C ~ 175 ° C 200 MMA -
JANTXV1N6490CUS/TR Microchip Technology Jantxv1n6490cus/tr -
RFQ
 ECAD 7834 0.00000000 Tecnología de Microchip MIL-PRF-19500/406 Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Sq-melf, un 1.5 W D-5A descascar 150-jantxv1n6490cus/tr EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 1 µA @ 1 V 5.1 V 7 ohmios
1N5528B Microchip Technology 1N5528B 1.8150
RFQ
 ECAD 6498 0.00000000 Tecnología de Microchip MIL-PRF-19500/437 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5528 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 500 na @ 7.5 V 8.2 V 40 ohmios
1N5373A/TR12 Microchip Technology 1N5373A/TR12 2.6250
RFQ
 ECAD 9258 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C A Través del Aguetero T-18, axial 1N5373 5 W T-18 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 1 a 500 na @ 49 V 68 V 44 ohmios
JAN1N4989US/TR Microchip Technology Jan1n4989us/tr 13.4100
RFQ
 ECAD 9698 0.00000000 Tecnología de Microchip MIL-PRF-19500/356 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SQ-Melf, E 5 W E-Mada descascar 150-ENERO1N4989US/TR EAR99 8541.10.0050 100 1.5 v @ 1 a 2 µA @ 152 V 200 V 500 ohmios
1N4709/TR Microchip Technology 1N4709/TR 3.6575
RFQ
 ECAD 5762 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TA) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-1N4709/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 10 na @ 18.2 V 24 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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