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Productos de semiconductoros discretos (41164)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Aplicacionales Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Current - Hold (IH) (Max) Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Voltaje - Estado Fuera Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Current - On State (IT (AV)) (Max) Tipo scr Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Voltaje - Ánodo - Cátodo (Vak) (Max) Corriente del Regulador (Max) Voltaje - Limitante (Max)
JANTX1N4114DUR-1/TR Microchip Technology Jantx1n4114dur-1/tr 27.3980
RFQ
 ECAD 1124 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/435 Tape & Reel (TR) Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AA (Vidrio) 500 MW DO-213AA - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-Jantx1n4114dur-1/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 10 na @ 15.2 V 20 V 150 ohmios
JAN1N983DUR-1 Microchip Technology Jan1n983dur-1 14.2500
RFQ
 ECAD 8711 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/117 Una granela Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AA (Vidrio) 1N983 500 MW DO-213AA descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 500 na @ 62 V 82 V 330 ohmios
1N3012RB Microchip Technology 1N3012RB 40.3200
RFQ
 ECAD 3238 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Chasis, Soporte de semento DO-203AA, DO-4, semento 1N3012 10 W DO-213AA descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 2 a 10 µA @ 121.6 V 160 V 200 ohmios
SMBJ5937C/TR13 Microchip Technology SMBJ5937C/TR13 2.0850
RFQ
 ECAD 7806 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-214AA, SMB SMBJ5937 2 W SMBJ (DO-214AA) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 25.1 V 33 V 33 ohmios
CD5303 Microchip Technology CD5303 19.2450
RFQ
 ECAD 6213 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 175 ° C - Montaje en superficie CD530 - descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-CD5303 EAR99 8541.10.0040 1 100V 1.76MA 1.65V
APTM100H18FG Microchip Technology Aptm100h18fg 380.9825
RFQ
 ECAD 4773 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Sp6 Aptm100 Mosfet (Óxido de metal) 780W Sp6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 4 Canales N (Medio Puente) 1000V (1kV) 43a 210mohm @ 21.5a, 10v 5V @ 5MA 372NC @ 10V 10400pf @ 25V -
JAN2N5416UA Microchip Technology Jan2n5416ua 174.8418
RFQ
 ECAD 3399 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/485 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN 2N5416 750 MW A-5 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 1 300 V 1 A 1mera PNP 2V @ 5 mm, 50 Ma 30 @ 50mA, 10V -
1N6336 Microchip Technology 1N6336 8.4150
RFQ
 ECAD 4284 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N6336 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.4 v @ 1 a 50 na @ 25 V 33 V 40 ohmios
1N6872UTK2 Microchip Technology 1N6872UTK2 259.3500
RFQ
 ECAD 9283 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo Montaje en superficie Thinkey ™ 2 Schottky Thinkey ™ 2 - Alcanzar sin afectado 150-1N6872UTK2 1 - - - -
1N6872UTK2AS Microchip Technology 1N6872UTK2AS 259.3500
RFQ
 ECAD 9202 0.00000000 Tecnología de Microchip * Una granela Activo - Alcanzar sin afectado 150-1N6872UTK2AS 1
2N5539 Microchip Technology 2N5539 613.4700
RFQ
 ECAD 9285 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Montaje Un stud de 211 MB, TO-63-4 175 W TO-63 - Alcanzar sin afectado 150-2N5539 EAR99 8541.29.0095 1 130 V 20 A - NPN 800mv @ 1.5mA, 10 Ma - -
JAN2N4930 Microchip Technology Jan2n4930 -
RFQ
 ECAD 2439 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/397 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN 1 W TO-39 (TO-205Ad) - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 200 V 200 MA PNP 1.2V @ 3 mm, 30 mA 50 @ 30mA, 10V -
1N5372A/TR12 Microchip Technology 1N5372A/TR12 2.6250
RFQ
 ECAD 4138 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C A Través del Aguetero T-18, axial 1N5372 5 W T-18 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 1 a 500 na @ 44.6 V 62 V 42 ohmios
JANTX1N2991B Microchip Technology Jantx1n2991b -
RFQ
 ECAD 8131 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/124 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje DO-203AA, DO-4, semento 10 W DO-213AA (DO-4) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 2 a 10 µA @ 27.4 V 36 V 10 ohmios
APTGT20TL601G Microchip Technology Aptgt20tl601g 53.4000
RFQ
 ECAD 3689 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte del Chasis SP1 Aptgt20 62 W Estándar SP1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 Inversor de Tres Niveles Parada de Campo de Trinchera 600 V 32 A 1.9V @ 15V, 20a 250 µA No 1.1 pf @ 25 V
JANS1N6340DUS/TR Microchip Technology Jans1n6340dus/tr 527.7150
RFQ
 ECAD 9025 0.00000000 Tecnología de Microchip MIL-PRF-19500/533 Tape & Reel (TR) Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SQ-Melf, B 500 MW B, SQ-Melf - 150-jans1n6340dus/tr EAR99 8541.10.0050 50 1.4 v @ 1 a 50 na @ 36 V 47 V 75 ohmios
JANTXV1N3295R Microchip Technology Jantxv1n3295r -
RFQ
 ECAD 2501 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/246 Una granela Activo Montaje DO-205AA, DO-8, Semento Estándar DO-205AA (DO-8) - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1.55 V @ 310 A 10 Ma @ 1000 V -65 ° C ~ 200 ° C 100A -
JANTXV1N962DUR-1 Microchip Technology Jantxv1n962dur-1 24.2250
RFQ
 ECAD 1176 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/117 Una granela Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AA (Vidrio) 1N962 500 MW DO-213AA descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 1 µA @ 8.4 V 11 V 9.5 ohmios
JANTXV1N5819UR-1/TR Microchip Technology Jantxv1n5819ur-1/tr 23.9850
RFQ
 ECAD 2454 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/586 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-213AB, MELL (Vidrio) Schottky DO-213AB (Melf, LL41) - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-JantXV1N5819UR-1/TR EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 45 V 490 MV @ 1 A 50 µA @ 45 V -65 ° C ~ 125 ° C 1A 70pf @ 5V, 1MHz
JANKCA1N4623 Microchip Technology Jankca1n4623 -
RFQ
 ECAD 4900 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/435 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AA, do-7, axial 500 MW DO-7 (DO-204AA) - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-JANKCA1N4623 EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 4 µA @ 2 V 4.3 V 1600 ohmios
1N5353E3/TR12 Microchip Technology 1N5353E3/TR12 2.6250
RFQ
 ECAD 3303 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C A Través del Aguetero T-18, axial 1N5353 5 W T-18 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 1 a 1 µA @ 11.5 V 16 V 2.5 ohmios
S31140 Microchip Technology S31140 49.0050
RFQ
 ECAD 5750 0.00000000 Tecnología de Microchip * Una granela Activo - Alcanzar sin afectado 150-S31140 1
APTM50AM17FG Microchip Technology Aptm50am17fg 355.3300
RFQ
 ECAD 9695 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Sp6 Aptm50 Mosfet (Óxido de metal) 1250W Sp6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 2 Canales N (Medio Puente) 500V 180A 20mohm @ 90a, 10V 5V @ 10mA 560nc @ 10V 28000pf @ 25V -
APT40GL120JU3 Microchip Technology APT40GL120JU3 24.2202
RFQ
 ECAD 6323 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chasis, Soporte de semento SOT-227-4, Miniócrita APT40GL120 220 W Estándar Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 Soltero Parada de Campo de Trinchera 1200 V 65 A 2.25V @ 15V, 35A 250 µA No 1.95 NF @ 25 V
JAN2N2323 Microchip Technology Jan2n2323 -
RFQ
 ECAD 9601 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/276 Una granela Obsoleto -65 ° C ~ 125 ° C A Través del Aguetero TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN A-5 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 100 2 MA 50 V 800 MV - 200 µA 220 Ma Puerta sensible
JAN1N965D-1 Microchip Technology Jan1n965d-1 6.0900
RFQ
 ECAD 5928 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/117 Una granela Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N965 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 500 na @ 11 V 15 V 16 ohmios
1PMT4627CE3/TR13 Microchip Technology 1 PMT4627CE3/TR13 0.3750
RFQ
 ECAD 9975 0.00000000 Tecnología de Microchip PowerMite® Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-216AA 1pmt4627 1 W DO-216 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 12,000 1.1 V @ 200 Ma 10 µA @ 5 V 6.2 V 1200 ohmios
JANHCA1N4107D Microchip Technology Janhca1n4107d -
RFQ
 ECAD 4495 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/435 Una granela Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie Morir 500 MW Morir - Alcanzar sin afectado 150-JANHCA1N4107D EAR99 8541.10.0050 100 1.1 V @ 200 Ma 50 na @ 9.857 V 13 V 200 ohmios
JANTX2N5684 Microchip Technology Jantx2n5684 196.4676
RFQ
 ECAD 8872 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/466 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-204AA, TO-3 2N5684 300 W A 3 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 80 V 50 A 5 µA NPN 5V @ 10a, 50a 30 @ 5a, 2v -
APTGLQ200HR120G Microchip Technology Aptglq200hr120g 242.7600
RFQ
 ECAD 1085 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Sp6 Aptglq200 1000 W Estándar Sp6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 Parada de Campo de Trinchera 1200 V 300 A 2.4V @ 15V, 160a 200 µA No 9.2 NF @ 25 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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