SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Aplicacionales Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Calificación real (amplificador) Condición de PrueBa Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - PrueBa Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Resistencia - RDS (ON) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Relación de la capacidad Condición de Relación de Capacitancia Q @ VR, F Voltaje - Ánodo - Cátodo (Vak) (Max) Corriente del Regulador (Max) Voltaje - Limitante (Max)
1N6636 Microchip Technology 1N6636 15.5550
RFQ
ECAD 5081 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero E, axial 1N6636 5 W E, axial descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 20 µA @ 1 V 4.7 V 450 ohmios
MSC70SM120JCU2 Microchip Technology MSC70SM120JCU2 66.0000
RFQ
ECAD 43 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita MSC70SM120JCU2 Sicfet (CARBURO DE SILICIO) SOT-227 (ISOTOP®) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 150-MSC70SM120JCU2 EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 1200 V 89A (TC) 20V 31mohm @ 40a, 20V 2.8V @ 1MA 232 NC @ 20 V +25V, -10V 3020 pf @ 1000 V - 395W (TC)
JANKCCR2N5151 Microchip Technology Jankccr2n5151 -
RFQ
ECAD 2472 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/545 Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN 1 W TO-39 (TO-205Ad) - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-JankCCR2N5151 EAR99 8541.29.0095 1 80 V 2 A 50 µA PNP 1.5V @ 500mA, 5A 30 @ 2.5a, 5V -
JANTXV1N6327 Microchip Technology Jantxv1n6327 14.6700
RFQ
ECAD 4962 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/533 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N6327 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.4 v @ 1 a 50 na @ 9.9 V 13 V 8 ohmios
SMBG5371A/TR13 Microchip Technology SMBG5371A/TR13 2.2200
RFQ
ECAD 4105 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-215AA, Ala de Gaviota de SMB SMBG5371 5 W SMBG (DO-215AA) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 1 a 500 na @ 43 V 60 V 40 ohmios
JANTX2N4931 Microchip Technology Jantx2n4931 -
RFQ
ECAD 7193 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/397 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN 1 W TO-39 (TO-205Ad) - Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 250 V 200 MA 250NA (ICBO) PNP 1.2V @ 3 mm, 30 mA 50 @ 30mA, 10V -
APT8011JFLL Microchip Technology Apt8011jfll 97.9400
RFQ
ECAD 5334 0.00000000 Tecnología de Microchip Power MOS 7® Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita Apt8011 Mosfet (Óxido de metal) ISOTOP® descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 800 V 51a (TC) 125mohm @ 25.5a, 10V 5V @ 5MA 650 NC @ 10 V 9480 pf @ 25 V -
1N4737CP/TR12 Microchip Technology 1N4737CP/TR12 2.2800
RFQ
ECAD 7960 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4737 1 W DO-204Al (DO-41) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 4.000 1.2 v @ 200 ma 10 µA @ 5 V 7.5 V 4 ohmios
JANTX1N6353CUS/TR Microchip Technology Jantx1n6353cus/tr -
RFQ
ECAD 8869 0.00000000 Tecnología de Microchip MIL-PRF-19500/533 Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SQ-Melf, B 500 MW B, SQ-Melf descascar 150-Jantx1n6353cus/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.4 v @ 1 a 50 na @ 122 V 160 V 1200 ohmios
JANTX1N4107C-1/TR Microchip Technology Jantx1n4107c-1/tr 14.8295
RFQ
ECAD 7973 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/435 Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-JantX1N4107C-1/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 50 na @ 9.9 V 13 V 200 ohmios
JANTXV1N968B-1/TR Microchip Technology Jantxv1n968b-1/tr 3.2186
RFQ
ECAD 7810 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/117 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-JantXV1N968B-1/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 500 na @ 15 V 20 V 25 ohmios
JANS1N4971CUS/TR Microchip Technology Jans1n4971cus/tr 368.3100
RFQ
ECAD 3505 0.00000000 Tecnología de Microchip MIL-PRF-19500/356 Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SQ-Melf, B 5 W E-Mada - 150-jans1n4971cus/tr EAR99 8541.10.0050 50 1.5 v @ 1 a 2 µA @ 27.4 V 36 V 11 ohmios
GC15007-79 Microchip Technology GC15007-79 -
RFQ
ECAD 3766 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 2-smd, sin plomo - - Alcanzar sin afectado 150-GC15007-79 EAR99 8541.10.0060 1 0.2pf @ 20V, 1MHz Soltero 22 V 13 C0/C20 1000 @ 4V, 50MHz
JANTXV1N4619CUR-1/TR Microchip Technology Jantxv1n4619cur-1/tr 27.2251
RFQ
ECAD 3915 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/435 Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AA (Vidrio) 500 MW DO-213AA - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-JantXV1N4619CUR-1/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 400 na @ 1 V 3 V 1600 ohmios
APT33GF120B2RDQ2G Microchip Technology Apt33gf120b2rdq2g 18.1900
RFQ
ECAD 6290 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Variatura a 247-3 APT33GF120 Estándar 357 W descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 800V, 25A, 4.3OHM, 15V Escrutinio 1200 V 64 A 75 A 3V @ 15V, 25A 1.315mj (Encendido), 1.515mj (apagado) 170 NC 14ns/185ns
1N5523C Microchip Technology 1N5523C 11.3550
RFQ
ECAD 6231 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) - Alcanzar sin afectado 150-1N5523C EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 2 µA @ 2.5 V 5.1 V 26 ohmios
1N5829 Microchip Technology 1N5829 45.6750
RFQ
ECAD 2656 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo Montaje DO-203AA, DO-4, semento 1N5829 Schottky DO-203AA (DO-4) descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 1N5829MS EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 440 MV @ 25 A 3 Ma @ 20 V -65 ° C ~ 125 ° C 25A 1650pf @ 5V, 1 MHz
1N3043A-1/TR Microchip Technology 1N3043A-1/TR 8.3700
RFQ
ECAD 3803 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do041, axial 1N3043 1 W Do-41 - Alcanzar sin afectado 150-1N3043A-1/TR EAR99 8541.10.0050 113 1.2 v @ 200 ma 500 na @ 69.2 V 91 V 250 ohmios
JANS1N4967DUS/TR Microchip Technology Jans1n4967dus/tr 429.6722
RFQ
ECAD 2507 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/356 Tape & Reel (TR) Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SQ-Melf, E 5 W D-5B - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-jans1n4967dus/tr EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 2 µA @ 18.2 V 24 V 5 ohmios
JANKCA1N748C Microchip Technology Jankca1n748c -
RFQ
ECAD 4300 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) - Alcanzar sin afectado 150-JANKCA1N748C EAR99 8541.10.0050 100 1.1 V @ 200 Ma 10 µA @ 1 V 3.9 V 23 ohmios
VRF152 Microchip Technology VRF152 105.1800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tubo Activo 130 V M174 VRF152 175MHz Mosfet M174 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1 N-canal 50 µA 250 Ma 150W 14dB - 50 V
JAN1N5546CUR-1/TR Microchip Technology Jan1N5546Cur-1/TR 25.7887
RFQ
ECAD 3503 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/437 Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AA (Vidrio) 500 MW DO-213AA - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-ENERO1N5546CUR-1/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 10 na @ 29.7 V 33 V 100 ohmios
1N5992C Microchip Technology 1N5992C 4.1550
RFQ
ECAD 9161 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5992 500 MW Do-35 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 3 µA @ 1.5 V 4.7 V 70 ohmios
MQ2N4091 Microchip Technology MQ2N4091 63.2947
RFQ
ECAD 6085 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-206AA, a 18-3 Lata de metal 360 MW TO-18 (TO-206AA) - Alcanzar sin afectado 150-mq2n4091 1 N-canal 40 V 16pf @ 20V 40 V 30 Ma @ 20 V 30 ohmios
MSASC100W60HS/TR Microchip Technology MSASC100W60HS/TR -
RFQ
ECAD 7502 0.00000000 Tecnología de Microchip * Tape & Reel (TR) Activo - Alcanzar sin afectado 150-MSASC100W60HS/TR 100
SMBG5378AE3/TR13 Microchip Technology SMBG5378AE3/TR13 1.1250
RFQ
ECAD 4964 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-215AA, Ala de Gaviota de SMB SMBG5378 5 W SMBG (DO-215AA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 1 a 500 na @ 72 V 100 V 90 ohmios
CDLL5526B/TR Microchip Technology CDLL5526B/TR 6.4106
RFQ
ECAD 5297 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie Do-213ab, melf 500 MW DO-213AB - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-CDLL5526B/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 1 µA @ 6.2 V 6.8 V 30 ohmios
JANTX2N6353 Microchip Technology Jantx2n6353 -
RFQ
ECAD 4705 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/472 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO13AA, TO-66-2 2N6353 2 W TO-66 (TO-213AA) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 150 V 5 A - NPN - Darlington 2.5V @ 10mA, 5A 1000 @ 5a, 5V -
JANS1N6341 Microchip Technology Jans1n6341 140.1300
RFQ
ECAD 6778 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/533 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero B, axial 500 MW B, axial - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.4 v @ 1 a 50 na @ 39 V 51 V 85 ohmios
JANTXV1N5284-1/TR Microchip Technology Jantxv1n5284-1/tr 36.5700
RFQ
ECAD 1769 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/463 Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - A Través del Aguetero Do-204AA, do-7, axial 1N5284 500MW Do-7 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-JantXV1N5284-1/TR EAR99 8541.10.0070 1 100V 264 µA 1V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock