SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Tipo de fet Current - Max Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Resistencia @ if, f Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
JANTX1N3823CUR-1/TR Microchip Technology Jantx1n3823cur-1/tr 36.2292
RFQ
ECAD 4131 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/115 Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AB, MELL (Vidrio) 1 W DO-213AB (Melf, LL41) - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-JantX1N3823CUR-1/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 25 µA @ 1 V 3.9 V 9 ohmios
1N824E3 Microchip Technology 1N824E3 3.9150
RFQ
ECAD 4807 0.00000000 Tecnología de Microchip - Bolsa Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AA, do-7, axial 1N824 500 MW Do-7 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1N824E3MS EAR99 8541.10.0050 1 2 µA @ 3 V 5.9 V 15 ohmios
JAN1N6778 Microchip Technology Jan1n6778 -
RFQ
ECAD 5818 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo A Través del Aguetero Un 257-3 Estándar Un 257 - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.6 v @ 15 a 60 ns 10 µA @ 320 V 150 ° C (Máximo) 15A 300pf @ 5V, 1MHz
JAN1N3030D-1 Microchip Technology Jan1n3030d-1 29.6550
RFQ
ECAD 5970 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/115 Una granela Activo ± 1% -55 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N3030 1 W Do-41 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 10 µA @ 20.6 V 27 V 35 ohmios
1N4148-1E3 Microchip Technology 1N4148-1E3 1.8200
RFQ
ECAD 371 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N4148 Estándar DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 1 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 75 V 1.2 V @ 100 Ma 20 ns 500 na @ 75 V -65 ° C ~ 175 ° C 200 MMA 4PF @ 0V, 1MHz
MSASC25H60KV/TR Microchip Technology MSASC25H60KV/TR -
RFQ
ECAD 2111 0.00000000 Tecnología de Microchip * Tape & Reel (TR) Activo - Alcanzar sin afectado 150-MSASC25H60KV/TR 100
1N1341C Microchip Technology 1N1341C 45.3600
RFQ
ECAD 3644 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo Montaje DO-203AA, DO-4, semento 1N1341 Estándar DO-4 (DO-203AA) descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.3 V @ 30 A 10 µA @ 50 V -65 ° C ~ 200 ° C 16A -
1N1186 Microchip Technology 1N1186 74.5200
RFQ
ECAD 6618 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo Montaje Do-203ab, do-5, semental Polaridad Inversa Estándar Do-5 descascar Alcanzar sin afectado 1N1186MS EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.4 V @ 110 A 10 µA @ 50 V -65 ° C ~ 175 ° C 35a -
JANTX1N3017BUR-1 Microchip Technology Jantx1n3017bur-1 14.5800
RFQ
ECAD 9891 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/115 Una granela Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AB, MELL (Vidrio) 1N3017 1 W DO-213AB (Melf, LL41) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 100 µA @ 5.7 V 7.5 V 4 ohmios
JAN1N6627/TR Microchip Technology Jan1n6627/tr 11.4450
RFQ
ECAD 9304 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/590 Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero E, axial Estándar - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-ENERO1N6627/TR EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 440 V 1.35 V @ 1.2 A 30 ns 2 µA @ 440 V -65 ° C ~ 150 ° C 1.75a 40pf @ 10V, 1 MHz
JAN1N4148UBCCC/TR Microchip Technology Jan1n4148ubccc/tr 26.3700
RFQ
ECAD 2145 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/116 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 3-SMD, sin Plomo 1N4148 Estándar UBC - Alcanzar sin afectado 150-Enero1n4148ubccc/TR EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 75 V 1A 800 MV @ 100 Ma 5 ns 25 na @ 20 V -65 ° C ~ 200 ° C
JANTXV1N4974CUS Microchip Technology Jantxv1n4974cus 40.8900
RFQ
ECAD 2324 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/356 Una granela Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SQ-Melf, B 5 W E-Mada - Alcanzar sin afectado 150-jantxv1n4974cus EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 2 µA @ 35.8 V 47 V 25 ohmios
JANTXV2N2919U Microchip Technology Jantxv2n2919u 57.4693
RFQ
ECAD 8979 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/355 Una granela Activo 200 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-SMD, sin Plomo 2N2919 350MW 3-SMD - Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 1 60V 30mera 10 µA (ICBO) 2 NPN (dual) 300mV @ 100 µA, 1 mA 150 @ 1 MMA, 5V -
JANSR2N3634L Microchip Technology Jansr2n3634l -
RFQ
ECAD 9024 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/357 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN 1 W A-5 - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 140 V 10 µA 10 µA PNP 600mv @ 5 mm, 50 Ma 50 @ 50 mapa, 10v -
1N3070 Microchip Technology 1N3070 -
RFQ
ECAD 9957 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Obsoleto A Través del Aguetero Do-204AA, do-7, axial 1N3070 Estándar Do-7 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1N3070 MS EAR99 8541.10.0070 1 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 175 V 1 V @ 100 Ma 50 ns 100 na @ 175 V -65 ° C ~ 175 ° C 100mA -
JAN1N3595AUR-1/TR Microchip Technology Jan1N3595AUR-1/TR 9.4900
RFQ
ECAD 9567 0.00000000 Tecnología de Microchip MIL-PRF-19500/241 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-213AA Estándar DO-213AA - 150-ENERO1N3595AUR-1/TR EAR99 8541.10.0070 100 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 125 V 920 MV @ 100 Ma 3 µs 2 na @ 125 V -65 ° C ~ 175 ° C 150 Ma -
1N6843CCU3 Microchip Technology 1N6843CCU3 147.3150
RFQ
ECAD 3470 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo Montaje en superficie 3-SMD, sin Plomo 1N6843 Schottky U3 (SMD-0.5) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 100 V 15A 1.03 v @ 15 a 10 µA @ 100 V -65 ° C ~ 150 ° C
MBR30200FCTE3/TU Microchip Technology MBR30200FCTE3/TU 1.7600
RFQ
ECAD 1557 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 MBR30200 Schottky Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 2,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 200 V 15A 900 MV @ 15 A 50 µA @ 200 V -65 ° C ~ 175 ° C
JAN1N6761UR-1/TR Microchip Technology Jan1n6761ur-1/TR -
RFQ
ECAD 3384 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/586 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-213AB, MELL (Vidrio) Schottky DO-213AB (Melf, LL41) - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-ENERO1N6761UR-1/TR EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 380 MV @ 100 Ma 100 µA @ 100 V -65 ° C ~ 150 ° C 1A 70pf @ 5V, 1MHz
APT39F60J Microchip Technology Apt39f60j 31.2000
RFQ
ECAD 6802 0.00000000 Tecnología de Microchip Power MOS 8 ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita APT39F60 Mosfet (Óxido de metal) ISOTOP® descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 600 V 42a (TC) 10V 110mohm @ 28a, 10v 5V @ 2.5MA 280 NC @ 10 V ± 30V 11300 pf @ 25 V - 480W (TC)
JANTXV1N750D-1 Microchip Technology Jantxv1n750d-1 14.2500
RFQ
ECAD 4453 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/127 Una granela Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N750 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 5 µA @ 1.5 V 4.7 V 19 ohmios
JAN2N3635UB Microchip Technology Jan2n3635ub 13.5527
RFQ
ECAD 5180 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/357 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-SMD, sin Plomo 2N3635 1.5 W 3-SMD descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 140 V 1 A 10 µA PNP 600mv @ 5 mm, 50 Ma 100 @ 50 mm, 10v -
1N3292A Microchip Technology 1N3292A 93.8550
RFQ
ECAD 3176 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo Montaje DO-205AA, DO-8, Semento 1N3292 Estándar DO-205AA (DO-8) descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 1N3292ams EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 500 V 1.1 v @ 200 a 200 µA @ 500 V -65 ° C ~ 200 ° C 150a -
LXS101-23-3 Microchip Technology LXS101-23-3 6.7350
RFQ
ECAD 2410 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -55 ° C ~ 125 ° C TO36-3, SC-59, SOT-23-3 LXS101 Sot-23-3 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-LXS101-23-3 EAR99 8541.10.0060 1 1 A 250 MW 1PF @ 0V, 1MHz Schottky - 1 par Ánodo Común 8V -
JANS2N3735L Microchip Technology Jans2n3735l 89.9200
RFQ
ECAD 9108 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/395 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN 1 W A-5 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-Jans2N3735L EAR99 8541.29.0095 1 40 V 1.5 A 200NA NPN 900mv @ 100 mm, 1a 40 @ 500mA, 1V -
2N657 Microchip Technology 2N657 35.8169
RFQ
ECAD 7800 0.00000000 Tecnología de Microchip * Una granela Activo 2N657 - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1
JANTXV2N2906AL Microchip Technology Jantxv2n2906al 12.9276
RFQ
ECAD 7837 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/291 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-206AA, a 18-3 Lata de metal 2N2906 500 MW TO-18 (TO-206AA) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 1 60 V 600 mA 50NA PNP 1.6v @ 50 mA, 500 mA 40 @ 150mA, 10V -
JAN1N4552B Microchip Technology Jan1N4552B -
RFQ
ECAD 6990 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/358 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje Do-203ab, do-5, semental 50 W Do-5 - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 A 20 µA @ 1 V 5.1 V 0.12 ohmios
2N5672 Microchip Technology 2N5672 55.8334
RFQ
ECAD 8960 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-204AA, TO-3 2N5672 6 W A 3 descascar Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 120 V 30 A 10 Ma NPN 5V @ 6a, 30a 20 @ 20a, 5v -
2N2102A Microchip Technology 2N2102A 27.0522
RFQ
ECAD 4976 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo - A Través del Aguetero TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN 5 W A-5 - Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 65 V 1 A - PNP - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock