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Productos de semiconductoros discretos (41164)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Aplicacionales Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Condición de Relación de Capacitancia Q @ VR, F Voltaje - Ánodo - Cátodo (Vak) (Max) Corriente del Regulador (Max) Voltaje - Limitante (Max)
CD4577 Microchip Technology CD4577 9.2100
RFQ
 ECAD 5929 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% 0 ° C ~ 75 ° C Montaje en superficie Morir Morir descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-CD4577 EAR99 8541.10.0050 1 2 µA @ 3 V 6.4 V 50 ohmios
JAN1N755DUR-1/TR Microchip Technology Jan1N755DUR-1/TR 12.7680
RFQ
 ECAD 8418 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/127 Tape & Reel (TR) Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AA (Vidrio) 500 MW DO-213AA - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-ENERO1N755DUR-1/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 2 µA @ 5 V 7.5 V 6 ohmios
JANTXV1N6764 Microchip Technology Jantxv1n6764 -
RFQ
 ECAD 5853 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo A Través del Aguetero TO-254-3, TO-254AA (CLIENTES POTENCADES RECTOS) Estándar Un 254 - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 1.05 v @ 12 a 35 ns 10 µA @ 200 V - 12A 300pf @ 5V, 1MHz
1PMT5948AE3/TR13 Microchip Technology 1 PMT5948AE3/TR13 0.7350
RFQ
 ECAD 9541 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 10% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-216AA 1pmt5948 3 W DO-216AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 12,000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 69.2 V 91 V 200 ohmios
JAN1N821-1 Microchip Technology Jan1n821-1 -
RFQ
 ECAD 6879 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/159 Una granela Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 2 µA @ 3 V 7.5 V 15 ohmios
2N5658 Microchip Technology 2N5658 287.8650
RFQ
 ECAD 3788 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo - Montaje TO10AA, TO-59-4, Stud 30 W TO-59 - Alcanzar sin afectado 150-2N5658 EAR99 8541.29.0095 1 80 V 10 A - PNP - - -
CDLL967 Microchip Technology CDLL967 2.8650
RFQ
 ECAD 2485 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 20% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie Do-213ab, melf CDLL967 500 MW DO-213AB descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 500 na @ 14 V 18 V 21 ohmios
R43120TS Microchip Technology R43120TS 59.8350
RFQ
 ECAD 5952 0.00000000 Tecnología de Microchip - Banda Activo Montaje DO-205AA, DO-8, Semento R43120 Estándar DO-205AA (DO-8) descascar Alcanzar sin afectado R43120TSMS EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1200 V 1.1 v @ 200 a 50 µA @ 1200 V -65 ° C ~ 200 ° C 150a -
1N5921P/TR12 Microchip Technology 1N5921P/TR12 1.8600
RFQ
 ECAD 6580 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N5921 1.5 W DO-204Al (DO-41) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 4.000 1.2 v @ 200 ma 5 µA @ 5.2 V 6.8 V 2.5 ohmios
SBR60100R Microchip Technology SBR60100R 143.2050
RFQ
 ECAD 5149 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo Montaje Do-203ab, do-5, semental Schottky Do-5 - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 890 MV @ 60 A - 60A -
JANTXV1N4956 Microchip Technology Jantxv1n4956 10.1250
RFQ
 ECAD 7341 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/356 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero E, axial 1N4956 5 W descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 50 µA @ 6.2 V 8.2 V 1.5 ohmios
1PMT5941A/TR13 Microchip Technology 1 PMT5941A/TR13 2.2200
RFQ
 ECAD 3192 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 10% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-216AA 1PMT5941 3 W DO-216AA descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 12,000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 35.8 V 47 V 67 ohmios
2N5680 Microchip Technology 2N5680 22.1312
RFQ
 ECAD 8022 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN 2N5680 1 W TO-39 (TO-205Ad) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2N5680 MS EAR99 8541.29.0095 1 120 V 1 A 10 µA PNP 1V @ 50 Ma, 500 Ma 40 @ 250mA, 2V -
JANTX2N2812 Microchip Technology Jantx2n2812 -
RFQ
 ECAD 8318 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo 200 ° C (TJ) Montaje TO11MA, TO-210AC, TO-61-4, STARD TO-61 - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 0000.00.0000 1 60 V 10 A - NPN - - -
CDLL4775/TR Microchip Technology CDLL4775/TR 19.4250
RFQ
 ECAD 5118 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% 0 ° C ~ 75 ° C Montaje en superficie DO-213AA 500 MW DO-213AA descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-CDLL4775/TR EAR99 8541.10.0050 1 10 µA @ 6 V 8.5 V 200 ohmios
JANTXV1N4983C Microchip Technology Jantxv1n4983c 22.2000
RFQ
 ECAD 3455 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/356 Una granela Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero E, axial 5 W E, axial - Alcanzar sin afectado 150-JantXV1N4983C EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 2 µA @ 83.6 V 110 V 125 ohmios
JANTXV1N6339DUS/TR Microchip Technology Jantxv1n6339dus/tr 68.7000
RFQ
 ECAD 4233 0.00000000 Tecnología de Microchip MIL-PRF-19500/533 Tape & Reel (TR) Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SQ-Melf, B 500 MW B, SQ-Melf - 150-jantxv1n6339dus/tr EAR99 8541.10.0050 100 1.4 v @ 1 a 50 na @ 33 V 43 V 65 ohmios
APTGT100BB60T3G Microchip Technology Aptgt100bb60t3g 80.3700
RFQ
 ECAD 8513 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Sp3 Aptgt100 340 W Estándar Sp3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 Medio puente Parada de Campo de Trinchera 600 V 150 A 1.9V @ 15V, 100A 250 µA Si 6.1 NF @ 25 V
JANTX1N6642UBCA/TR Microchip Technology Jantx1n6642ubca/tr 26.0813
RFQ
 ECAD 4916 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/578 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 3-SMD, sin Plomo Estándar UB - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-Jantx1n6642ubca/TR EAR99 8541.10.0070 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 75 V 1.2 V @ 100 Ma 20 ns 500 na @ 75 V -65 ° C ~ 175 ° C 300mA -
1N5278B-1 Microchip Technology 1N5278B-1 3.1200
RFQ
 ECAD 3181 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) - Alcanzar sin afectado 150-1N5278B-1 EAR99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 200 Ma 100 na @ 129 V 170 V 1900 ohmios
JANTX1N6338C Microchip Technology Jantx1n6338c 29.2350
RFQ
 ECAD 5881 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/533 Una granela Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) - Alcanzar sin afectado 150-Jantx1n6338c EAR99 8541.10.0050 1 1.4 v @ 1 a 50 na @ 30 V 39 V 55 ohmios
2N3500L Microchip Technology 2N3500L 13.5394
RFQ
 ECAD 7775 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN 2N3500 1 W TO-5AA descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 1 150 V 300 mA 10 µA (ICBO) NPN 400mv @ 15 mA, 150 mA 40 @ 150mA, 10V -
JANSR2N2222AUA Microchip Technology Jansr2n222222aua 153.5402
RFQ
 ECAD 2893 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/255 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo 650 MW Ua - Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 1 50 V 800 Ma 50NA NPN 1V @ 50 Ma, 500 Ma 100 @ 150mA, 10V -
JAN1N4614C-1 Microchip Technology Jan1N4614C-1 -
RFQ
 ECAD 6253 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/435 Una granela Obsoleto ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 3 µA @ 1 V 1.8 V 1200 ohmios
GC2511-250A Microchip Technology GC2511 2550A -
RFQ
 ECAD 8569 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 2-smd, sin plomo - - Alcanzar sin afectado 150-GC2511-250ATR EAR99 8541.10.0060 1 0.6pf @ 6V, 1MHz Soltero 15 V - -
1N5287 Microchip Technology 1N5287 18.6000
RFQ
 ECAD 8711 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - A Través del Aguetero Do-204AA, do-7, axial 1N5287 500MW Do-7 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-1N5287 EAR99 8541.10.0070 1 100V 363 µA 1V
JAN1N5711UBD Microchip Technology Jan1n5711ubd 84.8400
RFQ
 ECAD 6302 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/444 Una granela Activo Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Schottky UB - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 1 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 50 V 1 V @ 15 Ma 200 na @ 50 V -65 ° C ~ 150 ° C 2pf @ 0V, 1 MHz
90025-05TXV Microchip Technology 90025-05TXV -
RFQ
 ECAD 6121 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo - A Través del Aguetero TO13AA, TO-66-2 TO-66 (TO-213AA) - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 0000.00.0000 1 - - - - -
JANKCA1N5530B Microchip Technology Jankca1n5530b -
RFQ
 ECAD 9844 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/437 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-jankca1n5530b EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 50 na @ 9.1 V 10 V 60 ohmios
1N2996B Microchip Technology 1N2996B -
RFQ
 ECAD 1776 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Descontinuado en sic ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Chasis, Soporte de semento DO-203AA, DO-4, semento 1N2996 10 W DO-213AA descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2266-1N2996B EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 2 a 10 µA @ 36 V 50 V 15 ohmios
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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