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Productos de semiconductoros discretos (41164)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Aporte | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Real - Corte de Coleción (Max) | Termistor NTC | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Jansm2n3636l | - |  | 9699 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/357 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN | 1 W | A-5 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 175 V | 10 µA | 10 µA | PNP | 600mv @ 5 mm, 50 Ma | 50 @ 50 mapa, 10v | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1N4784A/TR | 265.7700 | | 9585 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N4784A/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 8.5 V | 100 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Jansp2n5154u3 | 229.9812 | | 1661 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-SMD, sin Plomo | 1 W | U3 (SMD-0.5) | - | Alcanzar sin afectado | 150-JANSP2N5154U3 | 1 | 80 V | 2 A | 50 µA | NPN | 1.5V @ 500mA, 5A | 70 @ 2.5a, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5241 | 37.5858 | | 8324 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | 2N5241 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Jantxv1n5552us | 14.2050 | | 2074 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/420 | Una granela | Activo | Montaje en superficie | SQ-Melf, E | 1N5552 | Estándar | D-5B | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.2 v @ 9 a | 2 µs | 1 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N333AT2 | 65.1035 | | 9212 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | 2N333 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Jan1n4969 | 5.8950 | | 9855 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | E, axial | 1N4969 | 5 W | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 22.8 V | 30 V | 8 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Jantx2n2945aub | 434.5428 | | 1089 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/382 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-SMD, sin Plomo | 400 MW | UB | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 20 V | 100 mA | 10 µA (ICBO) | PNP | - | 70 @ 1 MMA, 500mv | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | UES1103SM | 21.9300 | | 90 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | Sq-melf, un | UES1103 | Estándar | Una masa | - | Rohs no conforme | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 975 MV @ 2 A | 25 ns | 2 µA @ 150 V | 175 ° C (Máximo) | 2.5a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | Jan2n3419s | 16.5053 | | 5775 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/393 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 2N3419 | 1 W | TO-39 (TO-205Ad) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 V | 3 A | 5 µA | NPN | 500mv @ 200MA, 2a | 20 @ 1a, 2v | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | TP5322K1-G | 0.7500 | | 8 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | TP5322 | Mosfet (Óxido de metal) | TO36AB (SOT23) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 220 V | 120MA (TJ) | 4.5V, 10V | 12ohm @ 200Ma, 10V | 2.4V @ 1MA | ± 20V | 110 pf @ 25 V | - | 360MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||
 | 1N5368E3/TR8 | 2.6250 | | 6672 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | T-18, axial | 1N5368 | 5 W | T-18 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.2 v @ 1 a | 500 na @ 33.8 V | 47 V | 25 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Apt15dq60bg | 1.5200 | | 5 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO-247-3 | APT15DQ60 | Estándar | To-247 [b] | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 2.4 v @ 15 a | 19 ns | 25 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 15A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1 PMT4129E3/TR7 | - | | 4385 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | PowerMite® | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-216AA | 1pmt4129 | 1 W | DO-216 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 47.1 V | 62 V | 250 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2N3902 | 45.5259 | | 5593 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-204AA, TO-3 | 2N3902 | 5 W | TO-204AD (TO-3) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 400 V | 3.5 A | 250 µA | NPN | 2.5V @ 700mA, 3.5a | 30 @ 1a, 5v | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N4485US | 11.3550 | | 6443 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1N4485 | 1.5 W | A, SQ-Melf | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | 1N4485 USMS | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 250 na @ 54.4 V | 68 V | 100 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N1201B | 34.7100 | | 8915 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | DO-203AA, DO-4, semento | 1N1201 | Estándar | DO-4 (DO-203AA) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | 1N1201BMS | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 1.2 V @ 30 A | 10 µA @ 150 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 12A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
| JANHCB2N5004 | 49.6622 | | 8759 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/534 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje | Morir | 2 W | Morir | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 V | 50 µA | 50 µA | NPN | 1.5V @ 500mA, 5A | 70 @ 2.5a, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2N1714 | 20.3850 | | 5039 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN | TO-5AA | - | Alcanzar sin afectado | 150-2n1714 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 V | 750 Ma | - | NPN | - | - | 16MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Apt50gt120ju3 | - | | 9563 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Isotop | 347 W | Estándar | Sot-227 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 100 | Soltero | Parada de Campo de Trinchera | 1200 V | 75 A | 2.1V @ 15V, 50A | 5 Ma | No | 3.6 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||
| APT150GN120J | 47.4600 | | 30 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Isotop | Apt150 | 625 W | Estándar | ISOTOP® | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Soltero | Parada de Campo de Trinchera | 1200 V | 215 A | 2.1V @ 15V, 150a | 100 µA | No | 9.5 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||
| Apt100gt120ju3 | 38.3400 | | 5932 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Isotop | Apt100 | 480 W | Estándar | Sot-227 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Soltero | Parada de Campo de Trinchera | 1200 V | 140 A | 2.1V @ 15V, 100A | 5 Ma | No | 7.2 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||
| Jantxv1n5814 | - | | 6420 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/478 | Una granela | Descontinuado en sic | Chasis, Soporte de semento | DO-203AA, DO-4, semento | Estándar | DO-203AA (DO-4) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 950 MV @ 20 A | 35 ns | 10 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 20A | 300pf @ 10V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
| Jantx2n3636ub | 15.4280 | | 9870 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/357 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-SMD, sin Plomo | 2N3636 | 1.5 W | 3-SMD | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 175 V | 1 A | 10 µA | PNP | 600mv @ 5 mm, 50 Ma | 50 @ 50 mapa, 10v | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Jansr2n2907aubc/tr | 306.0614 | | 4922 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/291 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-SMD, sin Plomo | 500 MW | UBC | - | Alcanzar sin afectado | 150-JANSR2N2907AUBC/TR | 50 | 60 V | 600 mA | 50NA | PNP | 1.6v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CDLL4910A | 104.3100 | | 5271 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | CDLL4910 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 15 µA @ 8 V | 12.8 V | 50 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5941ape3/TR8 | 0.9150 | | 2664 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N5941 | 1.5 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 35.8 V | 47 V | 67 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Jan1n2824b | - | | 2815 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A-204AD | 1N2824 | 10 W | TO-204AD (TO-3) | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 2 a | 10 µA @ 25.1 V | 33 V | 3.2 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N3043BUR-1/TR | 15.4500 | | 6735 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | - | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 69.2 V | 91 V | 250 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N3767 | 59.5650 | | 4052 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | 1N3767 | Estándar | DO-203AB (DO-5) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | 1N3767MS | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 900 V | 1.19 v @ 90 A | 10 µA @ 900 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 40A | - |
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