SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
JAN1N6485DUS/TR Microchip Technology Jan1n6485dus/tr -
RFQ
ECAD 2871 0.00000000 Tecnología de Microchip MIL-PRF-19500/406 Tape & Reel (TR) Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Sq-melf, un 1.5 W D-5A descascar 150-Enero1n6485dus/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 50 µA @ 1 V 3.3 V 10 ohmios
JANTXV1N6317US/TR Microchip Technology Jantxv1n6317us/tr 23.1686
RFQ
ECAD 2803 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/533 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie SQ-Melf, B 500 MW B, SQ-Melf descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-JantXV1N6317US/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.4 v @ 1 a 5 µA @ 2 V 5.1 V 1300 ohmios
JANTXV1N4990CUS Microchip Technology Jantxv1n4990cus 40.8900
RFQ
ECAD 7395 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/356 Una granela Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SQ-Melf, B 5 W E-Mada - Alcanzar sin afectado 150-jantxv1n4990cus EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 2 µA @ 167 V 220 V 550 ohmios
JANTXV1N3039C-1 Microchip Technology Jantxv1n3039c-1 38.0400
RFQ
ECAD 8399 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/115 Una granela Activo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N3039 1 W Do-41 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 10 µA @ 47.1 V 62 V 125 ohmios
JANTXV2N4029 Microchip Technology Jantxv2n4029 -
RFQ
ECAD 7145 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/512 Una granela Descontinuado en sic -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-206AA, a 18-3 Lata de metal 500 MW Un 18 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 1 80 V 1 A 10 µA (ICBO) PNP 1v @ 100 mapa, 1a 100 @ 100 maja, 5v -
JANS1N6486CUS/TR Microchip Technology Jans1n6486cus/tr -
RFQ
ECAD 9269 0.00000000 Tecnología de Microchip MIL-PRF-19500/406 Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Sq-melf, un 1.5 W D-5A descascar 150-jans1n6486cus/tr EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 50 µA @ 1 V 3.6 V 10 ohmios
JANS2N6988 Microchip Technology Jans2n6988 185.0406
RFQ
ECAD 2158 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/558 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero 14-DIP (0.300 ", 7.62 mm) 2N6988 400MW A-116 - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 1 60V 600mA 10 µA (ICBO) 4 PNP (Quad) 1.6v @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150mA, 10V -
SMBJ5344AE3/TR13 Microchip Technology SMBJ534444AE3/TR13 0.8100
RFQ
ECAD 7067 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-214AA, SMB SMBJ5344 5 W SMBJ (DO-214AA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 1 a 10 µA @ 5.9 V 8.2 V 1.5 ohmios
UPR15E3/TR7 Microchip Technology UPR15E3/TR7 0.7000
RFQ
ECAD 1947 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-216AA UPR15 Estándar DO-216 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 975 MV @ 2 A 25 ns 2 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 2.5a -
JAN1N3912R Microchip Technology Jan1n3912r -
RFQ
ECAD 8767 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/308 Una granela Activo Montaje Do-203ab, do-5, semental Estándar Do-5 - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 300 V 1.4 V @ 50 A 200 ns -65 ° C ~ 150 ° C 30A -
APT36GA60B Microchip Technology APT36GA60B 4.8100
RFQ
ECAD 9843 0.00000000 Tecnología de Microchip Power MOS 8 ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 APT36GA60 Estándar 290 W To-247 [b] descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 400V, 20a, 10ohm, 15V PT 600 V 65 A 109 A 2.5V @ 15V, 20a 307 µJ (Encendido), 254 µJ (apaguado) 102 NC 16ns/122ns
S50310 Microchip Technology S50310 158.8200
RFQ
ECAD 6051 0.00000000 Tecnología de Microchip * Una granela Activo - Alcanzar sin afectado 150-S50310 1
JANTXV1N4482DUS Microchip Technology Jantxv1n4482dus 56.4150
RFQ
ECAD 1109 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/406 Una granela Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Sq-melf, un 1.5 W D-5A - Alcanzar sin afectado 150-jantxv1n4482dus EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 50 na @ 40.8 V 51 V 60 ohmios
CD4745A Microchip Technology CD4745A 1.8354
RFQ
ECAD 8831 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie Morir 1 W Morir descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-CD4745A EAR99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 200 Ma 100 na @ 12.2 V 16 V 16 ohmios
CD3826 Microchip Technology CD3826 4.0650
RFQ
ECAD 2813 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie Morir 1 W Morir - Alcanzar sin afectado 150-CD3826 EAR99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 3 µA @ 1 V 5.1 V 7 ohmios
CDLL5529A Microchip Technology CDLL5529A 6.4800
RFQ
ECAD 4870 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie Do-213ab, melf CDLL5529 500 MW DO-213AB descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 100 na @ 7 V 9.1 V 45 ohmios
JANTXV1N6776 Microchip Technology Jantxv1n6776 -
RFQ
ECAD 9963 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo A Través del Aguetero Un 257-3 Estándar Un 257 - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 1.15 v @ 15 a 35 ns 10 µA @ 800 MV -65 ° C ~ 150 ° C 15A 300pf @ 5V, 1MHz
JANSP2N2907AUA/TR Microchip Technology Jansp2n2907aua/tr 156.0008
RFQ
ECAD 6948 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/291 Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 200 ° C Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo 2N2907 500 MW Ua - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-JANSP2N2907AUA/TR EAR99 8541.21.0095 1 60 V 600 mA 50NA PNP 1.6v @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150mA, 10V -
JANTXV2N6987U/TR Microchip Technology Jantxv2n6987u/tr 85.9579
RFQ
ECAD 9415 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/558 Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-SMD, sin Plomo 2N6987 1W 6-SMD - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-jantxv2n6987u/tr EAR99 8541.29.0095 1 60V 600mA 10 µA (ICBO) 4 PNP (Quad) 1.6v @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150mA, 10V -
JANTXV1N5969US Microchip Technology Jantxv1n5969us -
RFQ
ECAD 5131 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/356 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SQ-Melf, E 500 MW D-5B - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.4 v @ 1 a 1 ma @ 4.74 V 6.2 V 1 ohmios
APTM20UM03FAG Microchip Technology Aptm20um03fag 354.3825
RFQ
ECAD 8516 0.00000000 Tecnología de Microchip Power MOS 7® Una granela Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Sp6 Aptm20 Mosfet (Óxido de metal) Sp6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 200 V 580a (TC) 10V 3.6mohm @ 290a, 10V 5V @ 15 Ma 840 NC @ 10 V ± 30V 43300 pf @ 25 V - 2270W (TC)
JANTX1N5540D-1 Microchip Technology Jantx1n5540d-1 21.9150
RFQ
ECAD 3697 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/437 Una granela Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5540 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 10 na @ 18 V 20 V 100 ohmios
JANTXV1N3344RB Microchip Technology Jantxv1n3344rb -
RFQ
ECAD 2994 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/358 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje Do-203ab, do-5, semental 50 W Do-5 - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 A 10 µA @ 99.8 V 130 V 50 ohmios
R3540 Microchip Technology R3540 42.3000
RFQ
ECAD 1591 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo Montaje Do-203ab, do-5, semental R3540 Polaridad Inversa Estándar Do-5 descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.25 V @ 200 A 25 µA @ 400 V -65 ° C ~ 200 ° C 70a -
JANTX1N6343DUS Microchip Technology Jantx1n6343dus 51.3380
RFQ
ECAD 1666 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/533 Una granela Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SQ-Melf, B 500 MW B, SQ-Melf descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-Jantx1n6343dus EAR99 8541.10.0050 1 1.4 v @ 1 a 50 na @ 47 V 62 V 125 ohmios
JANTX1N4993US/TR Microchip Technology Jantx1n4993us/tr 19.4446
RFQ
ECAD 6565 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/356 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero E, axial 5 W E, axial - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-JantX1N4993US/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 2 µA @ 228 V 300 V 950 ohmios
JAN1N4465DUS/TR Microchip Technology Jan1n4465dus/tr 33.6000
RFQ
ECAD 2461 0.00000000 Tecnología de Microchip MIL-PRF-19500/406 Tape & Reel (TR) Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Sq-melf, un 1.5 W D-5A - 150-ENERO1N4465DUS/TR EAR99 8541.10.0050 100 1.5 v @ 1 a 300 na @ 8 V 10 V 5 ohmios
UTR62/TR Microchip Technology UTR62/TR 9.4350
RFQ
ECAD 2558 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero A, axial Estándar A, axial - Alcanzar sin afectado 150-UTR62/TR EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.1 v @ 1 a 400 ns 3 µA @ 600 V -65 ° C ~ 175 ° C 2A 40pf @ 0V, 1 MHz
2N5682E3 Microchip Technology 2N5682E3 20.8012
RFQ
ECAD 9543 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN 1 W A-5 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1 120 V 10 µA 10 µA NPN 40 @ 250mA, 2V 30MHz
APT47GA60JD40 Microchip Technology APT47GA60JD40 31.9400
RFQ
ECAD 3084 0.00000000 Tecnología de Microchip Power MOS 8 ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita APT47GA60 283 W Estándar ISOTOP® descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 Soltero PT 600 V 87 A 2.5V @ 15V, 47a 275 µA No 6.32 NF @ 25 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock