SIC
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Productos de semiconductoros discretos (41164)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Aplicacionales Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Current - Hold (IH) (Max) Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Voltaje - Estado Fuera Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Current - On State (IT (AV)) (Max) Tipo scr Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Voltaje - Ánodo - Cátodo (Vak) (Max) Corriente del Regulador (Max) Voltaje - Limitante (Max)
JAN1N3600 Microchip Technology Jan1n3600 -
RFQ
 ECAD 2704 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/231 Una granela Descontinuado en sic A Través del Aguetero Do-204AA, do-7, axial Estándar Do-7 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 1 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 50 V 1 V @ 200 Ma 4 ns 100 na @ 50 V -65 ° C ~ 175 ° C 200 MMA -
JAN2N1716 Microchip Technology Jan2n1716 -
RFQ
 ECAD 4976 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN A-5 - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 0000.00.0000 1 60 V 750 Ma - NPN - - -
JAN2N2222AL Microchip Technology Jan2n2222al 7.0490
RFQ
 ECAD 4467 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/255 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-206AA, a 18-3 Lata de metal 2N2222 500 MW TO-18 (TO-206AA) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 1 50 V 800 Ma 50NA NPN 1V @ 50 Ma, 500 Ma 100 @ 150mA, 10V -
CDLL5229C Microchip Technology CDLL5229C 6.7200
RFQ
 ECAD 3851 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AA 10 MW DO-213AA - Alcanzar sin afectado 150-CDLL5229C EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 5 µA @ 1 V 4.3 V 22 ohmios
JANTX2N3999 Microchip Technology Jantx2n3999 -
RFQ
 ECAD 5530 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/374 Una granela Descontinuado en sic -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Chasis, Soporte de semento TO10AA, TO-59-4, Stud 2 W TO-59 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 80 V 10 A 10 µA NPN 2V @ 500 Ma, 5a 80 @ 1a, 2v -
JANS1N5288-1 Microchip Technology Jans1n5288-1 99.8700
RFQ
 ECAD 1178 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/463 Una granela Activo -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - A Través del Aguetero Do-204AA, do-7, axial 1N5288 500MW Do-7 - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 1 100V 429 µA 1.05V
JANS2N5003 Microchip Technology Jans2n5003 -
RFQ
 ECAD 6575 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/535 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Chasis, Soporte de semento TO10AA, TO-59-4, Stud 2 W TO-59/I - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 80 V 50 µA 50 µA PNP 1.5V @ 500mA, 5A 30 @ 2.5a, 5V -
2N3507L Microchip Technology 2N3507L 12.2626
RFQ
 ECAD 6969 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN 2N3507 1 W TO-5AA descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 50 V 3 A 1 µA NPN 1.5V @ 250 Ma, 2.5a 35 @ 500mA, 1V -
2N6326 Microchip Technology 2N6326 376.5762
RFQ
 ECAD 8665 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo - A Través del Aguetero TO-204AA, TO-3 200 W A 3 - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 60 V 30 A - PNP - - -
APTMC120AM09CT3AG Microchip Technology APTMC120AM09CT3AG -
RFQ
 ECAD 9212 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Sp3 APTMC120 CARBURO DE SILICIO (SIC) 1250W Sp3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 2 N Canal (Pierna de Fase) 1200V (1.2kv) 295A (TC) 9mohm @ 200a, 20V 2.4V @ 40MA (typ) 644nc @ 20V 11000PF @ 1000V -
JANTX2N2326S Microchip Technology Jantx2n2326s -
RFQ
 ECAD 3420 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/276 Una granela Obsoleto -65 ° C ~ 125 ° C A Través del Aguetero TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN A-5 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 1 2 MA 200 V 800 MV - 200 µA 220 Ma Puerta sensible
UZ7706R Microchip Technology UZ7706R 468.9900
RFQ
 ECAD 5396 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje Semental 10 W Axial - Alcanzar sin afectado 150-UZ7706R EAR99 8541.10.0050 1 1 Ma @ 5.2 V 6.8 V 0.6 ohmios
SG2023J-883B Microchip Technology SG2023J-883B -
RFQ
 ECAD 7788 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero - SG2023 - 16-CDIP descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 25 95V 500mA - 7 NPN Darlington 1.6V @ 500 µA, 350 mA 1000 @ 350MA, 2V -
JAN1N3890R Microchip Technology Jan1n3890r 333.0150
RFQ
 ECAD 6587 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/304 Una granela Activo Montaje DO-203AA, DO-4, semento Estándar DO-203AA (DO-4) - Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.5 V @ 20 A 150 ns 10 µA @ 100 V -65 ° C ~ 175 ° C 12A 115pf @ 10V, 1 MHz
JANTX2N3506AL Microchip Technology Jantx2n3506al 14.1113
RFQ
 ECAD 7198 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/349 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN 2N3506 1 W A-5 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 40 V 3 A - NPN 1.5V @ 250 Ma, 2.5a 40 @ 1.5a, 2v -
1N5350CE3/TR12 Microchip Technology 1N5350CE3/TR12 3.3900
RFQ
 ECAD 6014 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C A Través del Aguetero T-18, axial 1N5350 5 W T-18 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 1 a 1 µA @ 9.4 V 13 V 2.5 ohmios
JANTX1N5518CUR-1 Microchip Technology Jantx1n5518cur-1 -
RFQ
 ECAD 6673 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/437 Una granela Descontinuado en sic ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AA (Vidrio) 500 MW DO-213AA descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 5 µA @ 1 V 3.3 V 26 ohmios
JAN1N4938-1 Microchip Technology Jan1N4938-1 -
RFQ
 ECAD 6608 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/169 Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N4938 Estándar Do-35 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 1 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 175 V 1 V @ 100 Ma 50 ns 100 µA @ 200 V -65 ° C ~ 175 ° C 100mA -
JANTX1N3828C-1 Microchip Technology Jantx1n3828c-1 21.9600
RFQ
 ECAD 5133 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/115 Una granela Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N3828 1 W Do-41 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 3 µA @ 3 V 6.2 V 2 ohmios
JANTX2N5795 Microchip Technology Jantx2n5795 120.3406
RFQ
 ECAD 3850 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/496 Una granela Activo -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-78-6 METAL CAN 2N5795 600MW Un 78-6 - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 1 60V 600mA 10 µA (ICBO) 2 PNP (dual) 1.6v @ 50 mA, 500 mA 40 @ 150mA, 10V -
JANTX2N2326AS Microchip Technology Jantx2n2326as -
RFQ
 ECAD 4579 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/276 Una granela Obsoleto -65 ° C ~ 125 ° C A Través del Aguetero TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN A-5 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 1 2 MA 200 V 800 MV - 200 µA 220 Ma Puerta sensible
JAN2N5339 Microchip Technology Jan2N5339 9.5494
RFQ
 ECAD 6748 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/560 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN 2N5339 1 W TO-39 (TO-205Ad) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 100 V 5 A 100 µA NPN 1.2V @ 500 Ma, 5a 60 @ 2a, 2v -
1N4737P/TR8 Microchip Technology 1N4737P/TR8 1.8600
RFQ
 ECAD 8693 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4737 1 W DO-204Al (DO-41) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.500 1.2 v @ 200 ma 10 µA @ 5 V 7.5 V 4 ohmios
JAN2N5416S Microchip Technology Jan2n5416s -
RFQ
 ECAD 7807 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/485 Una granela Descontinuado en sic -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN 750 MW TO-39 (TO-205Ad) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 1 300 V 1 A 1mera PNP 2V @ 5 mm, 50 Ma 30 @ 50mA, 10V -
JAN1N3007RB Microchip Technology Jan1N3007RB -
RFQ
 ECAD 7032 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/124 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje DO-203AA, DO-4, semento 10 W DO-213AA (DO-4) - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 2 a 10 µA @ 83.6 V 110 V 55 ohmios
1N944 Microchip Technology 1N944 33.1350
RFQ
 ECAD 4354 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AA, do-7, axial 1N944 500 MW Do-7 descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 15 µA @ 8 V 11.7 V 30 ohmios
JANTXV2N6649 Microchip Technology Jantxv2n6649 132.2286
RFQ
 ECAD 3824 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/527 Una granela Activo -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-204AA, TO-3 5 W TO-204AA (TO-3) - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 60 V 10 A 1MA (ICBO) PNP - Darlington 3V @ 100 Ma, 10a 1000 @ 5a, 3V -
JANTX2N2812 Microchip Technology Jantx2n2812 -
RFQ
 ECAD 8318 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo 200 ° C (TJ) Montaje TO11MA, TO-210AC, TO-61-4, STARD TO-61 - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 0000.00.0000 1 60 V 10 A - NPN - - -
JANTX1N4985CUS/TR Microchip Technology Jantx1n4985cus/tr 24.7500
RFQ
 ECAD 7385 0.00000000 Tecnología de Microchip MIL-PRF-19500/356 Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SQ-Melf, B 5 W E-Mada - 150-Jantx1n4985cus/TR EAR99 8541.10.0050 100 1.5 v @ 1 a 2 µA @ 98.8 V 130 V 190 ohmios
JAN2N3810L Microchip Technology Jan2n3810l 21.9982
RFQ
 ECAD 5793 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/336 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-78-6 METAL CAN 2N3810 350MW Un 78-6 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 1 60V 50mera 10 µA (ICBO) 2 PNP (dual) 250mv @ 100 µA, 1 mA 150 @ 1 MMA, 5V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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