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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Aporte | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Real - Corte de Coleción (Max) | Termistor NTC | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
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![]() | Smaj4762e3/tr13 | 0.6450 | ![]() | 6868 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Smaj4762 | 2 W | DO-214AC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 62.2 V | 82 V | 200 ohmios | ||||||||||||||||||||||
![]() | Jan2n3767 | 26.9724 | ![]() | 9987 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/518 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO13AA, TO-66-2 | 2N3767 | 25 W | TO-66 (TO-213AA) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 V | 4 A | 500 µA | NPN | 2.5V @ 100 mA, 1A | 40 @ 500mA, 5V | - | ||||||||||||||||||||
![]() | 1N5833 | 57.4200 | ![]() | 9304 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | 1N5833 | Schottky | Do-5 | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | 1N5833MS | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 550 MV @ 40 A | 20 Ma @ 30 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 40A | - | |||||||||||||||||||||
Jantxv1n4980d | 23.4600 | ![]() | 5288 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | E, axial | 5 W | E, axial | - | Alcanzar sin afectado | 150-jantxv1n4980d | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 62.2 V | 82 V | 80 ohmios | |||||||||||||||||||||||||
1N4617-1 | 2.8050 | ![]() | 8325 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N4617 | 500 MW | Do-7 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 1 V | 2.4 V | 1400 ohmios | |||||||||||||||||||||||
![]() | UFR10280 | 72.8700 | ![]() | 6931 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | Estándar | DO-203AB (DO-5) | - | Alcanzar sin afectado | 150-UFR10280 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1 V @ 100 A | 120 ns | 25 µA @ 800 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 100A | 210pf @ 10V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||
Jantx1n3824d-1 | 27.4650 | ![]() | 7331 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N3824 | 1 W | Do-41 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 1 V | 4.3 V | 9 ohmios | |||||||||||||||||||||||
![]() | Jantx1n5809 | 7.4800 | ![]() | 8203 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/477 | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | B, axial | 1N5809 | Estándar | B, axial | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 875 MV @ 4 A | 30 ns | 5 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | 60pf @ 10V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | Jans1n4966 | 80.1900 | ![]() | 4715 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | B, axial | 5 W | B, axial | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 16.7 V | 22 V | 5 ohmios | ||||||||||||||||||||||||
Jantxv2n3501 | 15.8403 | ![]() | 6528 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/366 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 2N3501 | 1 W | TO-39 (TO-205Ad) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 150 V | 300 mA | 10 µA (ICBO) | NPN | 400mv @ 15 mA, 150 mA | 100 @ 150mA, 10V | - | |||||||||||||||||||||
![]() | SMBJ5388A/TR13 | 1.6350 | ![]() | 3678 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMBJ5388 | 5 W | SMBJ (DO-214AA) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 1 a | 500 na @ 144 V | 200 V | 480 ohmios | ||||||||||||||||||||||
![]() | Jantx1n4960dus/tr | 32.4000 | ![]() | 1940 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/356 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 5 W | E-Mada | - | 150-JantX1N4960DUS/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 v @ 1 a | 10 µA @ 9.1 V | 12 V | 2.5 ohmios | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Jans1n5814r | 873.6000 | ![]() | 1944 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/478 | Una granela | Activo | Montaje | DO-203AA, DO-4, semento | Estándar | DO-203AA (DO-4) | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 950 MV @ 20 A | 35 ns | 10 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 20A | 300pf @ 10V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | Aptgt50tdu60pg | 150.8300 | ![]() | 4625 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Sp6 | Aptgt50 | 176 W | Estándar | SP6-P | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Triple, Dual - Fuente Común | Parada de Campo de Trinchera | 600 V | 80 A | 1.9V @ 15V, 50A | 250 µA | No | 3.15 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||
CDLL5267B | 3.5850 | ![]() | 9098 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | CDLL5267 | 10 MW | DO-213AB | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 56 V | 75 V | 270 ohmios | |||||||||||||||||||||||
![]() | 2N3501ub/TR | 17.1703 | ![]() | 5312 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/366 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-SMD, sin Plomo | 500 MW | UB | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-2N3501UB/TR | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 150 V | 300 mA | 10 µA (ICBO) | NPN | 400mv @ 15 mA, 150 mA | 100 @ 150mA, 10V | - | |||||||||||||||||||||
1N961B-1/TR | 3.4050 | ![]() | 4474 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N961B-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 278 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 µA @ 7.6 V | 10 V | 8.5 ohmios | |||||||||||||||||||||||||
Jans1n4128-1 | 33.7800 | ![]() | 3386 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 45.6 V | 60 V | 400 ohmios | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 2n930ub | 21.5859 | ![]() | 1379 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | 2N930 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Apt30d30bg | 2.9500 | ![]() | 2863 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To-247-2 | Apt30d30 | Estándar | To-247 [b] | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 300 V | 1.4 V @ 30 A | 25 ns | 250 µA @ 300 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 30A | - | ||||||||||||||||||||
![]() | 1 PMT5942A/TR7 | 2.2200 | ![]() | 8719 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-216AA | 1pmt5942 | 3 W | DO-216AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 38.8 V | 51 V | 70 ohmios | ||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5251Bur-1/TR | 2.7132 | ![]() | 1923 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N5251bur-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 17 V | 22 V | 29 ohmios | |||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4109D/TR | 6.8894 | ![]() | 6035 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Tape & Reel (TR) | Activo | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N4109D/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
Jantxv1n4618c-1/tr | 13.2335 | ![]() | 3729 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N4618C-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 1 V | 2.7 V | 1500 ohmios | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N3020B-1/TR | 7.4214 | ![]() | 4005 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N3020 | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N3020B-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 25 µA @ 7.6 V | 10 V | 7 ohmios | ||||||||||||||||||||||
CDLL5250B | 2.0850 | ![]() | 3775 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | CDLL5250 | 10 MW | DO-213AB | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 15 V | 20 V | 25 ohmios | |||||||||||||||||||||||
![]() | Jantx2n3996 | - | ![]() | 6293 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/374 | Una granela | Descontinuado en sic | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Chasis, Soporte de semento | A 11-4, semental | 2 W | To-111 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 V | 10 A | 10 µA | NPN | 2V @ 500 Ma, 5a | 40 @ 1a, 2v | - | |||||||||||||||||||||
Jantxv1n6314cus | 54.8400 | ![]() | 7611 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 1N6314 | 500 MW | B, SQ-Melf | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 2 µA @ 1 V | 3.9 V | 23 ohmios | ||||||||||||||||||||||||
Jan1N755D-1/TR | 5.8919 | ![]() | 9533 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/127 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N755D-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 2 µA @ 5 V | 7.5 V | 6 ohmios | ||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBJ5348AE3/TR13 | 0.8100 | ![]() | 1020 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMBJ5348 | 5 W | SMBJ (DO-214AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 1 a | 5 µA @ 8 V | 11 V | 2.5 ohmios |
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