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Productos de semiconductoros discretos (41164)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Aplicacionales Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Voltaje - Ánodo - Cátodo (Vak) (Max) Corriente del Regulador (Max) Voltaje - Limitante (Max)
2N4930 Microchip Technology 2N4930 9.5494
RFQ
 ECAD 8174 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN 2N4930 1 W To-39 descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 1 200 V 200 MA 250NA (ICBO) PNP 1.2V @ 3 mm, 30 mA 50 @ 30mA, 10V -
JANS1N4468C Microchip Technology Jans1n4468c 207.1050
RFQ
 ECAD 2502 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/406 Una granela Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1.5 W Do-41 - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 50 na @ 10.4 V 13 V 8 ohmios
1N6492 Microchip Technology 1N6492 46.9800
RFQ
 ECAD 8702 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/567 Una granela Activo A Través del Aguetero To-205Af Metal CAN 1N6492 Schottky TO-205AF (TO-39) descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 45 V 680 MV @ 4 A 2 Ma @ 45 V -65 ° C ~ 175 ° C 3.6a 450pf @ 5V, 1 MHz
UPS115U/TR7 Microchip Technology UPS115U/TR7 1.2900
RFQ
 ECAD 3881 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-216AA UPS115 Schottky Powermite descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 15 V 220 MV @ 1 A 10 Ma @ 15 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
JANS2N3500 Microchip Technology Jans2n3500 54.3900
RFQ
 ECAD 3094 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/366 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN 2N3500 1 W TO-39 (TO-205Ad) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 150 V 300 mA 10 µA (ICBO) NPN 400mv @ 15 mA, 150 mA 40 @ 150mA, 10V -
JANTXV1N4454-1 Microchip Technology Jantxv1n4454-1 3.3900
RFQ
 ECAD 2527 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/144 Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial Estándar DO-35 (DO-204AH) - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado JantXV1N4454-1MS EAR99 8541.10.0070 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 1 V @ 10 Ma 4 ns 100 µA @ 50 V -65 ° C ~ 175 ° C 200 MMA -
JANTXV1N3766R Microchip Technology Jantxv1n3766r 80.8200
RFQ
 ECAD 3325 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/297 Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental 1N3766 Polaridad Inversa Estándar Do-5 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.4 V @ 110 A 10 µA @ 800 V -65 ° C ~ 175 ° C 35a -
JAN2N6547 Microchip Technology Jan2n6547 46.3004
RFQ
 ECAD 7788 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/525 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-204AA, TO-3 2N6547 175 W TO-204AA (TO-3) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 400 V 15 A - NPN 5V @ 3a, 15a 12 @ 5a, 2v -
1N5295UR-1 Microchip Technology 1N5295ur-1 21.8250
RFQ
 ECAD 6005 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - Montaje en superficie DO-213AB, MELL (Vidrio) 1N5295 500MW DO-213AB (Melf, LL41) descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 1 100V 902 µA 1.25V
1PMT5931B/TR13 Microchip Technology 1 PMT5931B/TR13 2.2200
RFQ
 ECAD 2400 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-216AA 1PMT5931 3 W DO-216AA descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 12,000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 13.7 V 18 V 12 ohmios
1N5946B Microchip Technology 1N5946B 3.4050
RFQ
 ECAD 5308 0.00000000 Tecnología de Microchip MIL-PRF-19500 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do041, axial 1N5946 1.25 W Do-41 descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 1N5946BMS EAR99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 56 V 75 V 140 ohmios
APTM120U10SAG Microchip Technology Aptm120u10sag 334.2900
RFQ
 ECAD 5529 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Sp6 Aptm120 Mosfet (Óxido de metal) Sp6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 1200 V 116a (TC) 10V 120mohm @ 58a, 10v 5V @ 20MA 1100 NC @ 10 V ± 30V 28900 pf @ 25 V - 3290W (TC)
JANTX1N5418 Microchip Technology Jantx1n5418 6.3200
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/411 Una granela Activo A Través del Aguetero B, axial 1N5418 Estándar B, axial descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.5 v @ 9 a 150 ns 1 µA @ 400 V -65 ° C ~ 175 ° C 3A -
JANS1N5420US Microchip Technology Jans1n5420us 70.4400
RFQ
 ECAD 7227 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/411 Una granela Activo Montaje en superficie SQ-Melf, B Estándar B, SQ-Melf - Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.5 v @ 9 a 400 ns -65 ° C ~ 175 ° C 3A -
JANTX1N6628US Microchip Technology Jantx1n6628us 23.8800
RFQ
 ECAD 1135 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/590 Una granela Activo Montaje en superficie SQ-Melf, E 1N6628 Estándar D-5B descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 660 V 1.35 v @ 2 a 30 ns 2 µA @ 660 V -65 ° C ~ 150 ° C 1.75a 40pf @ 10V, 1 MHz
1N3270 Microchip Technology 1N3270 151.2750
RFQ
 ECAD 8582 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo Montaje DO-205AB, DO-9, Semento 1N3270 Estándar DO-205AB (DO-9) descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 1N3270 MS EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 700 V 1.3 V @ 300 A 75 µA @ 700 V -65 ° C ~ 190 ° C 275a -
JANTXV2N4261 Microchip Technology Jantxv2n4261 -
RFQ
 ECAD 7164 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/511 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-72-3 METAL LATA 2N4261 200 MW TO-72 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 1 15 V 30 Ma 10 µA (ICBO) PNP 350mv @ 1 mapa, 10 ma 30 @ 10mA, 1V -
1N5923PE3/TR12 Microchip Technology 1N5923PE3/TR12 0.9150
RFQ
 ECAD 1675 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N5923 1.5 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 4.000 1.2 v @ 200 ma 5 µA @ 6.5 V 8.2 V 3.5 ohmios
1N3154UR-1 Microchip Technology 1N3154ur-1 8.2950
RFQ
 ECAD 8776 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TA) Montaje en superficie DO-213AA (Vidrio) 1N3154 500 MW DO-213AA descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 2 a 10 µA @ 5.5 V 8.8 V 15 ohmios
1PMT5944BE3/TR13 Microchip Technology 1 PMT5944BE3/TR13 0.7350
RFQ
 ECAD 1496 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-216AA 1pmt5944 3 W DO-216AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 12,000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 47.1 V 62 V 100 ohmios
2N1700 Microchip Technology 2N1700 43.4644
RFQ
 ECAD 4741 0.00000000 Tecnología de Microchip * Una granela Activo 2N1700 - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1
2N6325 Microchip Technology 2N6325 836.8360
RFQ
 ECAD 4820 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo - Montaje Un stud de 211 MB, TO-63-4 350 W TO-63 - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 300 V 30 A - PNP - - -
1N5263A Microchip Technology 1N5263A 2.1000
RFQ
 ECAD 7589 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) - Alcanzar sin afectado 150-1N5263A EAR99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 200 Ma 100 na @ 41 V 56 V 150 ohmios
S8-4148/TR13 Microchip Technology S8-4148/TR13 3.3600
RFQ
 ECAD 6314 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) S8-4148 Estándar 8-Soico descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 2.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 4 Independientes 75 V 400 mA (DC) 1.2 V @ 100 Ma 5 ns 100 na @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C
2N3762 Microchip Technology 2N3762 27.5443
RFQ
 ECAD 5466 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN 1 W TO-39 (TO-205Ad) - Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 40 V 1.5 A 10 µA (ICBO) PNP 900mv @ 100 mm, 1a 30 @ 1a, 1.5V -
2N5739 Microchip Technology 2N5739 37.1850
RFQ
 ECAD 4217 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo - A Través del Aguetero TO13AA, TO-66-2 35 W TO-66 (TO-213AA) - Alcanzar sin afectado 150-2N5739 EAR99 8541.29.0095 1 60 V 10 A - PNP - - -
JAN2N5663 Microchip Technology Jan2n5663 -
RFQ
 ECAD 7941 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/454 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN 2N5663 1 W A-5 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 300 V 2 A 200NA NPN 800mv @ 400mA, 2a 25 @ 500mA, 5V -
JANTX1N4100UR-1 Microchip Technology Jantx1n4100ur-1 11.3700
RFQ
 ECAD 1739 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/533 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AA 1N4100 500 MW DO-213AA descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 1 µA @ 5.7 V 7.5 V 200 ohmios
JANTXV1N4110-1 Microchip Technology Jantxv1n4110-1 9.0450
RFQ
 ECAD 2503 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/435 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N4110 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 50 na @ 12.2 V 16 V 100 ohmios
2N5336 Microchip Technology 2N5336 31.8934
RFQ
 ECAD 8640 0.00000000 Tecnología de Microchip * Una granela Activo 2N5336 - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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