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Productos de semiconductoros discretos (41164)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Condición de Relación de Capacitancia Q @ VR, F
R4340TS Microchip Technology R4340TS 102.2400
RFQ
 ECAD 7663 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo Montaje DO-205AA, DO-8, Semento Estándar DO-205AA (DO-8) - Alcanzar sin afectado 150-R4340TS EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.1 v @ 200 a 50 µA @ 400 V -65 ° C ~ 200 ° C 150a -
JANTX1N6328C Microchip Technology Jantx1n6328c 29.2350
RFQ
 ECAD 3342 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/533 Una granela Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) - Alcanzar sin afectado 150-Jantx1n6328c EAR99 8541.10.0050 1 1.4 v @ 1 a 50 na @ 11 V 15 V 10 ohmios
APT65GP60JDQ2 Microchip Technology APT65GP60JDQ2 37.8200
RFQ
 ECAD 4269 0.00000000 Tecnología de Microchip Power MOS 7® Tubo Activo Monte del Chasis Isotop Apt65gp60 431 W Estándar ISOTOP® descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 Soltero PT 600 V 130 A 2.7V @ 15V, 65a 1.25 mA No 7.4 NF @ 25 V
JANTXV1N3041BUR-1/TR Microchip Technology Jantxv1n3041bur-1/tr 16.1196
RFQ
 ECAD 8827 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/115 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AB, MELL (Vidrio) 1 W DO-213AB (Melf, LL41) - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-JantXV1N3041BUR-1/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 10 µA @ 56 V 75 V 175 ohmios
KVX3901A-23-4/TR Microchip Technology KVX3901A-23-4/TR 7.8450
RFQ
 ECAD 4833 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 KVX3901 Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 1,000 32pf @ 3V, 1MHz 1 par Cátodo Común 27 V - 500 @ 4V, 50MHz
1N4908 Microchip Technology 1N4908 25.7700
RFQ
 ECAD 4122 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 5% -25 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero Do-204AA, do-7, axial 1N4908 400 MW Do-7 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 12.8 V 50 ohmios
JANTX1N4565AUR-1/TR Microchip Technology Jantx1n4565aur-1/tr 6.1200
RFQ
 ECAD 8096 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/452 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AA (Vidrio) 500 MW DO-213AA - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-JantX1N4565AUR-1/TR EAR99 8541.10.0050 1 2 µA @ 3 V 3 V 200 ohmios
JAN1N977B-1 Microchip Technology Jan1N977B-1 2.0250
RFQ
 ECAD 7218 0.00000000 Tecnología de Microchip MIL-PRF-19500/117 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N977 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 500 na @ 36 V 47 V 105 ohmios
APT12057B2LLG Microchip Technology Apt12057b2llg 37.4903
RFQ
 ECAD 1574 0.00000000 Tecnología de Microchip Power MOS 7® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Apt12057 Mosfet (Óxido de metal) T-Max ™ [B2] descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 1200 V 22a (TC) 10V 570mohm @ 11a, 10v 5V @ 2.5MA 290 NC @ 10 V ± 30V 6200 pf @ 25 V - 690W (TC)
CDLL5276A Microchip Technology CDLL5276A 3.5850
RFQ
 ECAD 8591 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 10% -65 ° C ~ 200 ° C Montaje en superficie DO-213AA DO-213AA - Alcanzar sin afectado 150-CDLL5276A EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 100 na @ 108 V 150 V 1500 ohmios
JANTX1N5543BUR-1 Microchip Technology Jantx1n5543bur-1 14.7600
RFQ
 ECAD 9223 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/437 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AA (Vidrio) 1N5543 500 MW DO-213AA descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 10 na @ 22.4 V 25 V 100 ohmios
JANTXV1N5543B-1 Microchip Technology Jantxv1n5543b-1 9.1200
RFQ
 ECAD 2713 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/437 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5543 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 10 na @ 22.4 V 25 V 100 ohmios
JAN1N6662US/TR Microchip Technology Jan1n6662us/tr -
RFQ
 ECAD 4358 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/587 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie Sq-melf, un Estándar A, SQ-Melf - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-ENERO1N6662US/TR EAR99 8541.10.0070 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 1 V @ 400 Ma 50 na @ 400 V -65 ° C ~ 175 ° C -
JAN2N1481 Microchip Technology Jan2n1481 131.4040
RFQ
 ECAD 5919 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-S-19500/207 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN 1 W A-5 - Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 40 V 1.5 A 5 µA (ICBO) NPN 750mv @ 10mA, 200 mA 35 @ 200Ma, 4V -
CD5272B Microchip Technology CD5272B 1.4497
RFQ
 ECAD 7540 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie Morir 500 MW Morir descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-CD5272B EAR99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 200 Ma 100 na @ 84 V 110 V 750 ohmios
1N1345 Microchip Technology 1N1345 45.3600
RFQ
 ECAD 7997 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo Montaje DO-203AA, DO-4, semento 1N1345 Estándar DO-4 (DO-203AA) descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 300 V 1.3 V @ 30 A 10 µA @ 300 V -65 ° C ~ 200 ° C 16A -
SMBJ5940C/TR13 Microchip Technology SMBJ5940C/TR13 2.0850
RFQ
 ECAD 1056 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-214AA, SMB SMBJ5940 2 W SMBJ (DO-214AA) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 32.7 V 43 V 53 ohmios
1N4744CP/TR8 Microchip Technology 1N4744CP/TR8 2.2800
RFQ
 ECAD 7614 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4744 1 W DO-204Al (DO-41) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.500 1.2 v @ 200 ma 5 µA @ 11.4 V 15 V 14 ohmios
JANTXV1N749D-1/TR Microchip Technology Jantxv1n749d-1/tr 12.7680
RFQ
 ECAD 2377 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/127 Tape & Reel (TR) Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-jantxv1n749d-1/tr EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 2 µA @ 1 V 4.3 V 22 ohmios
1N4743PE3/TR8 Microchip Technology 1N4743PE3/TR8 0.9150
RFQ
 ECAD 2889 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4743 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.500 1.2 v @ 200 ma 5 µA @ 9.9 V 13 V 10 ohmios
CDLL4749A Microchip Technology CDLL4749A 3.5400
RFQ
 ECAD 2493 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie Do-213ab, melf CDLL4749 DO-213AB descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 100 na @ 18.2 V 24 V 25 ohmios
JAN1N962BUR-1/TR Microchip Technology Jan1n962bur-1/TR 4.0831
RFQ
 ECAD 2714 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/117 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AA (Vidrio) 500 MW DO-213AA - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-ENERO1N962BUR-1/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 1 µA @ 8.4 V 11 V 9.5 ohmios
APT77N60SC6 Microchip Technology Apt77n60sc6 14.4500
RFQ
 ECAD 8181 0.00000000 Tecnología de Microchip Coolmos ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Apt77n60 Mosfet (Óxido de metal) D3pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 600 V 77a (TC) 10V 41mohm @ 44.4a, 10v 3.6V @ 2.96mA 260 NC @ 10 V ± 20V 13600 pf @ 25 V - 481W (TC)
2N5003 Microchip Technology 2N5003 287.5460
RFQ
 ECAD 1109 0.00000000 Tecnología de Microchip * Una granela Activo 2N5003 - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1
APTM50H14FT3G Microchip Technology Aptm50h14ft3g 94.9100
RFQ
 ECAD 8909 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Sp3 Aptm50 Mosfet (Óxido de metal) 208W Sp3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 4 Canales N (Medio Puente) 500V 26A 168mohm @ 13a, 10v 5V @ 1MA 72NC @ 10V 3259pf @ 25V -
1PMT5945E3/TR7 Microchip Technology 1 PMT5945E3/TR7 0.7350
RFQ
 ECAD 7758 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 20% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-216AA 1pmt5945 3 W DO-216AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 51.2 V 68 V 120 ohmios
JANTX1N4574A-1 Microchip Technology Jantx1n4574a-1 -
RFQ
 ECAD 2646 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/452 Una granela Descontinuado en sic ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 2 µA @ 3 V 6.4 V 100 ohmios
JANTXV1N3051DUR-1 Microchip Technology Jantxv1n3051dur-1 -
RFQ
 ECAD 1849 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1
TN0106N3-G-P013 Microchip Technology TN0106N3-G-P013 0.8900
RFQ
 ECAD 4370 0.00000000 Tecnología de Microchip - Cinta y Caja (TB) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) TN0106 Mosfet (Óxido de metal) Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 60 V 350MA (TJ) 4.5V, 10V 3ohm @ 500 mA, 10V 2V @ 500 µA ± 20V 60 pf @ 25 V - 1W (TC)
2N5348 Microchip Technology 2N5348 157.9375
RFQ
 ECAD 5191 0.00000000 Tecnología de Microchip * Una granela Activo 2N5348 - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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