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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N6007C | 4.1550 | ![]() | 2562 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N6007 | 500 MW | Do-35 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 15 V | 20 V | 48 ohmios | ||||||||||||||||||
![]() | 2N7374 | 244.5450 | ![]() | 7817 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | - | A Través del Aguetero | Un 257-3 | 52.5 W | Un 257 | - | Alcanzar sin afectado | 150-2N7374 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 200 V | 5 A | - | NPN | - | - | - | ||||||||||||||||||
![]() | 2N5335 | 22.2750 | ![]() | 7994 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-2N5335 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5417-1/TR | 5.0250 | ![]() | 6540 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Axial | Polaridad Inversa Estándar | B | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N5417-1/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 188 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.5 v @ 9 a | 150 ns | 1 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | ||||||||||||||||||
Uz710 | 22.4400 | ![]() | 4834 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | A, axial | 3 W | A, axial | - | Alcanzar sin afectado | 150-UZ710 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 40 µA @ 7.6 V | 10 V | 4 ohmios | ||||||||||||||||||||||
Jan1N5519C-1/TR | 12.6749 | ![]() | 8287 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N5519C-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 3 µA @ 1 V | 3.6 V | 24 ohmios | ||||||||||||||||||||
![]() | 2N3810U | 38.2700 | ![]() | 100 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-78-6 METAL CAN | 2N3810 | 350MW | Un 78-6 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 60V | 50mera | 10 µA (ICBO) | 2 PNP (dual) | 250mv @ 100 µA, 1 mA | 150 @ 1 MMA, 5V | - | ||||||||||||||||
![]() | Jan1N3024D-1/TR | 19.3515 | ![]() | 8290 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N3024D-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 11.4 V | 15 V | 14 ohmios | |||||||||||||||||||
![]() | Jansd2n2221aubc | 231.8416 | ![]() | 6504 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/255 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-SMD, sin Plomo | 500 MW | UBC | - | Alcanzar sin afectado | 150-Jansd2n2221aubc | 1 | 50 V | 800 Ma | 50NA | NPN | 1V @ 50 Ma, 500 Ma | 100 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||||||||||
![]() | 89100-03TXV | - | ![]() | 6228 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | - | A Través del Aguetero | TO13AA, TO-66-2 | TO-66 (TO-213AA) | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | SMBJ4746AE3/TR13 | 0.4500 | ![]() | 9625 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMBJ4746 | 2 W | SMBJ (DO-214AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 13.7 V | 18 V | 20 ohmios | ||||||||||||||||||
![]() | Jantx1n7049ur-1 | 10.4700 | ![]() | 1733 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R5340TS | 158.8200 | ![]() | 5198 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-R5340TS | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N7055-1 | 7.1700 | ![]() | 2115 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 10% | - | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N7055 | 250 MW | Do-7 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 4.8 V | 35 ohmios | |||||||||||||||||||||
![]() | Jan2n5664 | 26.9857 | ![]() | 2240 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/455 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO13AA, TO-66-2 | 2N5664 | 2.5 W | TO-66 (TO-213AA) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 200 V | 5 A | 200NA | NPN | 1v @ 1a, 5a | 40 @ 1a, 5v | - | ||||||||||||||||
![]() | CDLL5523BE3/TR | 6.0781 | ![]() | 6496 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5523BE3/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 2 µA @ 2.5 V | 5.1 V | 26 ohmios | |||||||||||||||||||
![]() | 1N6009B/TR | 2.0083 | ![]() | 6120 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N6009B/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 18 V | 24 V | 62 ohmios | |||||||||||||||||||
![]() | S4380A | 112.3200 | ![]() | 4908 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | DO-205AA, DO-8, Semento | Estándar | DO-205AA (DO-8) | - | Alcanzar sin afectado | 150-S4380A | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.1 v @ 200 a | 50 µA @ 800 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 150a | - | |||||||||||||||||||
![]() | 1N3035BUR-1/TR | 15.4500 | ![]() | 6771 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | - | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 32.7 V | 43 V | 70 ohmios | ||||||||||||||||||||||
![]() | SMBG5344CE3/TR13 | 1.4400 | ![]() | 4326 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-215AA, Ala de Gaviota de SMB | SMBG5344 | 5 W | SMBG (DO-215AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 1 a | 10 µA @ 5.9 V | 8.2 V | 1.5 ohmios | ||||||||||||||||||
1N5279B-1/TR | 3.3000 | ![]() | 2389 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N5279B-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 286 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 137 V | 180 V | 2200 ohmios | |||||||||||||||||||||
![]() | 1N5732B | 1.8600 | ![]() | 2084 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N5732 | 500 MW | Do-35 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 3 µA @ 4 V | 6.8 V | 10 ohmios | ||||||||||||||||||
![]() | 1N4100C | 4.9200 | ![]() | 4838 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 500 MW | Do-7 | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-1N4100C | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 µA @ 5.7 V | 7.5 V | 200 ohmios | ||||||||||||||||||||
![]() | SG2023DW | - | ![]() | 4850 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | SG2023 | - | 16-soico | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-SG2023DW | EAR99 | 8541.29.0095 | 46 | 95V | 500mA | - | 7 NPN Darlington | 1.6V @ 500 µA, 350 mA | 1000 @ 350MA, 2V | - | ||||||||||||||||
![]() | 1N6768R | 205.5600 | ![]() | 3346 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Un 257-3 | 1N6768 | Polaridad Inversa Estándar | Un 257 | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N6768R | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Ánodo Común | 50 V | 8a (DC) | 1.06 v @ 8 a | 35 ns | 10 µA @ 40 V | - | |||||||||||||||||
![]() | Msasc100h45h | - | ![]() | 4081 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | Thinkey ™ 1 | Schottky | Thinkey ™ 1 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 45 V | 650 MV @ 80 A | -65 ° C ~ 150 ° C | 100A | - | ||||||||||||||||||||
Jantx1n3024b-1 | 9.9900 | ![]() | 1373 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N3024 | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 11.4 V | 15 V | 14 ohmios | |||||||||||||||||||
Jans1n4989c | 415.7700 | ![]() | 7256 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | E, axial | 5 W | E, axial | - | Alcanzar sin afectado | 150-jans1n4989c | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 152 V | 200 V | 500 ohmios | |||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv1n6328 | 14.6700 | ![]() | 1123 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | B, axial | 500 MW | B, axial | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 11 V | 15 V | 10 ohmios | |||||||||||||||||||||
CDLL4465 | 11.4600 | ![]() | 2718 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | CDLL4465 | 1.5 W | DO-213AB | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 Ma | 300 na @ 8 V | 10 V | 5 ohmios |
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