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Productos de semiconductoros discretos (41164)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Aplicacionales Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Voltaje - Ánodo - Cátodo (Vak) (Max) Corriente del Regulador (Max) Voltaje - Limitante (Max)
APTGLQ100A65T1G Microchip Technology Aptglq100a65t1g 70.0200
RFQ
 ECAD 1789 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero SP1 Aptglq100 350 W Estándar SP1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 Medio puente Parada de Campo de Trinchera 650 V 200 A 2.3V @ 15V, 100A 100 µA Si 6 NF @ 25 V
JANTX2N5237S Microchip Technology Jantx2n5237s 21.7588
RFQ
 ECAD 1697 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/394 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN 2N5237 1 W TO-39 (TO-205Ad) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 120 V 10 A 10 µA NPN 2.5V @ 1a, 10a 40 @ 5a, 5v -
APTGT100DA60T1G Microchip Technology Aptgt100da60t1g 48.0105
RFQ
 ECAD 3428 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte del Chasis SP1 Aptgt100 340 W Estándar SP1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 Soltero Parada de Campo de Trinchera 600 V 150 A 1.9V @ 15V, 100A 250 µA Si 6.1 NF @ 25 V
APTGT75TA120PG Microchip Technology Aptgt75ta120pg 244.2520
RFQ
 ECAD 4563 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Sp6 Aptgt75 350 W Estándar SP6-P descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 Fase triple Parada de Campo de Trinchera 1200 V 100 A 2.1V @ 15V, 75a 250 µA No 5.34 NF @ 25 V
JAN1N4959C Microchip Technology Jan1N4959C 14.9250
RFQ
 ECAD 5667 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/356 Una granela Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero E, axial 1N4959 5 W E, axial descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 10 µA @ 8.4 V 11 V 2.5 ohmios
JANSP2N2221AUBC Microchip Technology Jansp2n2221aubc 231.8416
RFQ
 ECAD 5285 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/255 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-SMD, sin Plomo 500 MW UBC - Alcanzar sin afectado 150-JANSP2N2221AUBC 1 50 V 800 Ma 50NA NPN 1V @ 50 Ma, 500 Ma 100 @ 150mA, 10V -
UZ8756 Microchip Technology UZ8756 22.4400
RFQ
 ECAD 7382 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero A, axial 1 W A, axial - Alcanzar sin afectado 150-UZ8756 EAR99 8541.10.0050 1 500 na @ 42.5 V 56 V 110 ohmios
APTGT600U170D4G Microchip Technology Aptgt600u170d4g 401.0500
RFQ
 ECAD 8749 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis D4 Aptgt600 2900 W Estándar D4 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 Soltero Parada de Campo de Trinchera 1700 V 1100 A 2.4V @ 15V, 600A 1 MA No 51 NF @ 25 V
APTGLQ100DA120T1G Microchip Technology Aptglq100da120t1g 58.8400
RFQ
 ECAD 6540 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo Aptglq100 520 W Estándar SP1 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 Boost Chopper Parada de Campo de Trinchera 1200 V 170 A 2.42V @ 15V, 100A 50 µA Si 6.15 NF @ 25 V
1PMT4134CE3/TR7 Microchip Technology 1 PMT4134CE3/TR7 0.4950
RFQ
 ECAD 6435 0.00000000 Tecnología de Microchip PowerMite® Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-216AA 1pmt4134 1 W DO-216 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.1 V @ 200 Ma 10 na @ 69.16 V 91 V 250 ohmios
APT35GT120JU3 Microchip Technology APT35GT120JU3 24.4800
RFQ
 ECAD 7246 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Isotop Apt35gt120 260 W Estándar Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 Soltero Parada de Campo de Trinchera 1200 V 55 A 2.1V @ 15V, 35a 5 Ma No 2.53 nf @ 25 V
2N3501E3 Microchip Technology 2N3501E3 13.7123
RFQ
 ECAD 6726 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN 500 MW TO-39 (TO-205Ad) - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 1 150 V 300 mA 10 µA (ICBO) NPN 400mv @ 15 mA, 150 mA 100 @ 150mA, 10V -
JAN2N3507A Microchip Technology Jan2n3507a 12.1695
RFQ
 ECAD 2241 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/349 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN 2N3507 1 W TO-39 (TO-205Ad) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 50 V 3 A - NPN 1.5V @ 250 Ma, 2.5a 30 @ 1.5a, 2v -
JANKCA1N5294 Microchip Technology Jankca1n5294 -
RFQ
 ECAD 7863 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/463 Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - A Través del Aguetero Do-204AA, do-7, axial 500MW Do-7 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-JANKCA1N5294 EAR99 8541.10.0070 1 100V 825 µA 1.2V
JANS2N3634 Microchip Technology Jans2n3634 -
RFQ
 ECAD 5701 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/357 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN 1 W TO-39 (TO-205Ad) - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 140 V 10 µA 10 µA PNP 600mv @ 5 mm, 50 Ma 50 @ 50 mapa, 10v -
UPS840/TR13 Microchip Technology UPS840/TR13 3.2200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie PowerMite®3 UPS840 Schottky Powermit 3 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 450 MV @ 8 A 5 Ma @ 40 V -55 ° C ~ 125 ° C 8A -
1N3154-1 Microchip Technology 1N3154-1 6.4500
RFQ
 ECAD 2376 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AA, do-7, axial 1N3154 500 MW Do-7 descascar Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 2 a 10 µA @ 5.5 V 8.8 V 15 ohmios
2N2222AL Microchip Technology 2n2222al 7.5943
RFQ
 ECAD 1013 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-206AA, a 18-3 Lata de metal 2N2222 500 MW Un 18 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 1 50 V 800 Ma 50NA NPN 1V @ 50 Ma, 500 Ma 100 @ 150mA, 10V -
JANTX2N4930U4 Microchip Technology Jantx2n4930u4 -
RFQ
 ECAD 7688 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/397 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-SMD, sin Plomo 1 W U4 - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 200 V 200 MA PNP 1.2V @ 3 mm, 30 mA 50 @ 30mA, 10V -
APTDF400AK20G Microchip Technology Aptdf400ak20g 129.7611
RFQ
 ECAD 4814 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo Monte del Chasis LP4 Aptdf400 Estándar Sp6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) Conexión de la Serie de 1 par 200 V 500A 1.1 V @ 400 A 60 ns 750 µA @ 200 V
JAN2N6676T1 Microchip Technology Jan2n6676t1 -
RFQ
 ECAD 8088 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-254-3, TO-254AA (CLIENTES POTENCADES RECTOS) Un 254 - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 0000.00.0000 1 300 V 15 A - NPN - - -
1N5813 Microchip Technology 1N5813 75.5100
RFQ
 ECAD 8715 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo Montaje DO-203AA, DO-4, semento 1N5813 Estándar DO-4 (DO-203AA) descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 75 V 950 MV @ 20 A 35 ns 10 µA @ 75 V -65 ° C ~ 175 ° C 20A 300pf @ 10V, 1 MHz
APT10090BFLLG Microchip Technology Apt10090bfllg 16.0500
RFQ
 ECAD 8626 0.00000000 Tecnología de Microchip Power MOS 7® Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Apt10090 Mosfet (Óxido de metal) To-247 [b] descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 1000 V 12a (TC) 10V 950mohm @ 6a, 10v 5V @ 1MA 71 NC @ 10 V ± 30V 1969 pf @ 25 V - 298W (TC)
JANTX1N4577A-1 Microchip Technology Jantx1n4577a-1 8.8200
RFQ
 ECAD 1980 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/452 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N4577 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 2 µA @ 3 V 3 V 50 ohmios
1N5372E3/TR13 Microchip Technology 1N5372E3/TR13 0.9900
RFQ
 ECAD 6172 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C A Través del Aguetero T-18, axial 1N5372 5 W T-18 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.250 1.2 v @ 1 a 500 na @ 44.6 V 62 V 42 ohmios
CD5521B Microchip Technology CD5521B 2.0349
RFQ
 ECAD 8125 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie Morir 500 MW Morir descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-CD5521B EAR99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 200 Ma 3 µA @ 1.5 V 4.3 V 18 ohmios
JANS1N4575AUR-1 Microchip Technology Jans1n4575aur-1 85.9650
RFQ
 ECAD 9561 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/452 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TA) Montaje en superficie DO-213AA 500 MW DO-213AA - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 2 µA @ 3 V 6.4 V 50 ohmios
S3225 Microchip Technology S3225 49.0050
RFQ
 ECAD 8548 0.00000000 Tecnología de Microchip * Una granela Activo - Alcanzar sin afectado 150-S3225 1
2N6384 Microchip Technology 2N6384 63.2016
RFQ
 ECAD 7471 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-204AA, TO-3 2N6384 6 W TO-204AA (TO-3) descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 2n6384ms EAR99 8541.29.0095 1 60 V 10 A 1mera NPN - Darlington 3V @ 100 Ma, 10a 1000 @ 5a, 3V -
CDS5711-1 Microchip Technology CDS5711-1 -
RFQ
 ECAD 3252 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 0000.00.0000 50
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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