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Productos de semiconductoros discretos (41164)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Resistencia @ if, f | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Jantxv1n3032c-1/tr | 33.8618 |  | 8571 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N3032C-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 25.1 V | 33 V | 45 ohmios | |||||||||||||||||||
 | 1N4567-1/TR | 4.2750 | | 4118 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | 0 ° C ~ 75 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 500 MW | DO-7 (DO-204AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N4567-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 V | 200 ohmios | ||||||||||||||||||||
 | 1N4920A/TR | 72.0000 | | 9802 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N4920A/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 19.2 V | 300 ohmios | |||||||||||||||||||||
 | CDLL5244/TR | 2.7132 | | 1169 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 20% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | 10 MW | DO-213AB | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5244/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 10 V | 14 V | 15 ohmios | |||||||||||||||||||
 | Jantx1n992b-1/tr | - | | 7041 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N992B-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.3 V @ 200 Ma | 500 na @ 2 V | 200 V | 2500 ohmios | |||||||||||||||||||
| Jantxv1n943b-1/tr | - | | 4794 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/157 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N943B-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 15 µA @ 8 V | 11.7 V | 30 ohmios | ||||||||||||||||||||
 | Jantx1n4109dur-1/tr | 24.7513 | | 8448 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N4109DUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 50 na @ 11.4 V | 15 V | 100 ohmios | |||||||||||||||||||
 | Jan1N4616C-1/TR | 8.6317 | | 9066 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N4616C-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 2 µA @ 1 V | 2.2 V | 1300 ohmios | |||||||||||||||||||
 | Jantx1n3022dur-1/tr | 41.5359 | | 4768 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N3022DUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 9.1 V | 12 V | 9 ohmios | |||||||||||||||||||
| Jantxv1n3034cur-1/tr | 41.0438 | | 5415 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N3034CUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 29.7 V | 39 V | 60 ohmios | |||||||||||||||||||
| Jantx1n3023b-1/tr | 8.9908 | | 8055 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N3023B-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 9.9 V | 13 V | 10 ohmios | |||||||||||||||||||
| Jantxv1n3034d-1/tr | 32.2392 | | 5822 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N3034D-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 29.7 V | 39 V | 60 ohmios | |||||||||||||||||||
 | Jantx1n4623-1/tr | 3.9501 | | 9373 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N4623-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 4 µA @ 2 V | 4.3 V | 1600 ohmios | |||||||||||||||||||
 | 1N4723/TR | 40.2601 | | 3655 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Axial | 1N4723 | Estándar | Axial | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N4723/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1 v @ 3 a | 25 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | |||||||||||||||||
| Jantxv1n4127dur-1/tr | 32.0663 | | 4438 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N4127DUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 42.6 V | 56 V | 300 ohmios | |||||||||||||||||||
 | CD5546B | 2.0349 | | 3517 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Morir | 500 MW | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CD5546B | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 Ma | 10 na @ 29.7 V | 33 V | 100 ohmios | |||||||||||||||||||
| Cdll6677/tr | 6.4050 | | 4803 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-213AA | Schottky | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL6677/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 650 MV @ 500 Ma | 10 µA @ 40 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 500mA | 50pf @ 0v, 1 MHz | ||||||||||||||||||
| Jantx1n5542bur-1/tr | 13.2202 | | 9573 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Jantx1n5542bur-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 19.8 V | 22 V | 100 ohmios | |||||||||||||||||||
| Jan1n4101ur-1/TR | 7.8736 | | 1744 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Enero1n4101ur-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 6.3 V | 8.2 V | 200 ohmios | ||||||||||||||||||||
 | LXZ1000-23-14 | 5.9400 | | 4818 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | 125 ° C (TJ) | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Sot-23-3 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-LXZ1000-23-14 | EAR99 | 8541.10.0060 | 1 | 75 MW | 0.3pf @ 500mv, 1 MHz | Schottky - Conexión de la Serie de 1 par | 1V | - | |||||||||||||||||||||
| 1N4572A-1/TR | 6.7800 | | 8866 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/452 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N4572A-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 V | 100 ohmios | ||||||||||||||||||||
| Jantxv1n4619dur-1/tr | 34.0081 | | 4641 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jantxv1n4619dur-1/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 400 na @ 1 V | 3 V | 1600 ohmios | |||||||||||||||||||
| Jantxv1n966b-1/tr | 3.2186 | | 7896 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TA) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantXv1N966B-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 12 V | 16 V | 17 ohmios | |||||||||||||||||||
| Jan1n974dur-1/TR | 12.7680 | | 7131 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N974DUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 27 V | 36 V | 70 ohmios | |||||||||||||||||||
 | Janhcb2n2222a | 8.9376 | | 9513 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | TO-206AA, a 18-3 Lata de metal | 500 MW | Un 18 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JANHCB2N2222A | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 V | 800 Ma | 50NA | NPN | 1V @ 50 Ma, 500 Ma | 100 @ 150mA, 10V | - | |||||||||||||||||
| UM7006F | 33.1950 | | 3388 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C | - | - | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-UM7006F | EAR99 | 8541.10.0060 | 1 | 100000 W | 0.9pf @ 100V, 1 MHz | PIN - Single | 600V | 1ohm @ 100 mm, 100MHz | |||||||||||||||||||||
| CDLL0.5A20/TR | 3.7800 | | 8711 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-213AA | Schottky | DO-213AA | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL0.5A20/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 20 V | 650 MV @ 500 Ma | 10 µA @ 20 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 500mA | 50pf @ 0v, 1 MHz | ||||||||||||||||||
| CDLL4739D | 7.3682 | | 1545 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL4739D | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 3 µA @ 7 V | 9.1 V | 5 ohmios | |||||||||||||||||||
| Jan1N754D-1/TR | 5.8919 | | 1746 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/127 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N754D-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 2 µA @ 4 V | 6.8 V | 5 ohmios | |||||||||||||||||||
| Jantx1n4118c-1/tr | 12.1695 | | 6656 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N4118C-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 20.5 V | 27 V | 150 ohmios |
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