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Productos de semiconductoros discretos (41164)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Resistencia @ if, f | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Jans1n4625dur-1/tr | 103.1100 |  | 4820 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Jans1n4625dur-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 3 V | 5.1 V | 1.5 ohmios | ||||||||||||||||||||
 | Jans2n5154u3 | 202.2102 | | 3694 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/544 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-SMD, sin Plomo | 1 W | U3 | - | Alcanzar sin afectado | 2266-jans2n5154u3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 V | 1 MA | 1mera | NPN | 1.5V @ 500mA, 5A | 70 @ 2.5a, 5V | - | |||||||||||||||||||
 | Jankcal2n3634 | - | | 4045 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/357 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 1 W | TO-39 (TO-205Ad) | - | Alcanzar sin afectado | 150-Jankcal2N3634 | 100 | 140 V | 1 A | 10 µA | PNP | 600mv @ 5 mm, 50 Ma | 50 @ 50 mapa, 10v | - | |||||||||||||||||||||
 | 1N1353 | 39.3150 | | 4311 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | 1N1353 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1N6031B-1 | 2.7750 | | 2078 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N6031B-1 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 152 V | 200 V | 2000 ohmios | |||||||||||||||||||||
 | 1N1202A | 34.7100 | | 6180 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/260 | Una granela | Activo | Montaje | DO-203AA, DO-4, semento | Estándar | DO-203AA (DO-4) | descascar | Alcanzar sin afectado | 1N1202ams | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.35 V @ 38 A | 5 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 12A | - | ||||||||||||||||||||
| 2N335T2 | 65.1035 | | 4880 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | 2N335 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Jantx1n752a-1 | 2.3800 | | 534 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/127 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N752 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 2.5 V | 5.6 V | 8 ohmios | |||||||||||||||||||
 | SMBJ5918A/TR13 | 1.5600 | | 6999 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMBJ5918 | 2 W | SMBJ (DO-214AA) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 2 V | 5.1 V | 4 ohmios | |||||||||||||||||||
| HSM190GE3/TR13 | 1.0650 | | 1220 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-215AA, Ala de Gaviota de SMB | HSM190 | Schottky | DO-215AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 90 V | 840 MV @ 1 A | 100 µA @ 90 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | ||||||||||||||||||
| JTXM19500/483-02 | 581.0550 | | 6259 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | JTXM19500 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | Jans1n4970us | 92.0400 | | 2982 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, E | 5 W | D-5B | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 25.1 V | 33 V | 10 ohmios | |||||||||||||||||||||
| Jantx2n6213 | - | | 1398 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/461 | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO13AA, TO-66-2 | 3 W | TO-66 (TO-213AA) | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 350 V | 2 A | 5 mm | PNP | 2V @ 125MA, 1A | 30 @ 1a, 5v | - | ||||||||||||||||||
 | Jantx1n3036b-1/tr | 9.0573 | | 7658 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N3036B-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 35.8 V | 47 V | 80 ohmios | ||||||||||||||||||||
| Jan1n4984dus | 41.7000 | | 7916 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | SQ-Melf, E | 1N4984 | 5 W | D-5B | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 91.2 V | 120 V | 170 ohmios | |||||||||||||||||||
| Jantx1n4983dus/tr | 30.9000 | | 3657 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/356 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 5 W | E-Mada | - | 150-Jantx1n4983dus/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 83.6 V | 110 V | 125 ohmios | ||||||||||||||||||||||
| 1N746AUR-1 | 3.0300 | | 2059 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA | 1N746 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 1 V | 3.3 V | 24 ohmios | ||||||||||||||||||||
 | Jantx1n6343 | 12.4350 | | 6595 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | B, axial | 1N6343 | 500 MW | B, axial | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 47 V | 62 V | 125 ohmios | ||||||||||||||||||||
 | 2N6306 | 68.5482 | | 2554 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | TO-204AA, TO-3 | 2N6306 | 125 W | TO-204AD (TO-3) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 250 V | 8 A | 50 µA | NPN | 5V @ 2a, 8a | 15 @ 3a, 5v | - | ||||||||||||||||||
| Jansf2n2221aubc | 238.4918 | | 4229 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/255 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-SMD, sin Plomo | 500 MW | UBC | - | Alcanzar sin afectado | 150-JANSF2N2221AUBC | 1 | 50 V | 800 Ma | 50NA | NPN | 1V @ 50 Ma, 500 Ma | 100 @ 150mA, 10V | - | |||||||||||||||||||||
| R20430 | 33.4500 | | 9819 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-R20430 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Jantx2n4236 | 40.5517 | | 7627 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/580 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 2N4236 | 1 W | To-39 | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 V | 1 A | 1mera | PNP | 600mv @ 100 mm, 1a | 40 @ 100mA, 1V | - | ||||||||||||||||||
| UM7108SM | - | | 2172 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C | Mel | - | - | Alcanzar sin afectado | 150-UM7108SMTR | EAR99 | 8541.10.0060 | 1 | 8 W | 1.2pf @ 100V, 1 MHz | PIN - Single | 800V | 600mohm @ 100 mm, 100MHz | |||||||||||||||||||||||
 | Jantx2n6385 | 57.2565 | | 2713 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/523 | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-204AA, TO-3 | 6 W | TO-204AA (TO-3) | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 V | 10 A | 1MA (ICBO) | NPN - Darlington | 3V @ 100 Ma, 10a | 1000 @ 5a, 3V | - | ||||||||||||||||||||
 | Jan2n2946a | - | | 8072 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/382 | Una granela | Descontinuado en sic | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-206AB, TO-46-3 METAL CAN | 400 MW | A-46 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 35 V | 100 mA | 10 µA (ICBO) | PNP | - | 50 @ 1 MMA, 500mv | - | ||||||||||||||||||
 | Jankcbl2n2222a | - | | 3157 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-206AA, a 18-3 Lata de metal | 500 MW | TO-18 (TO-206AA) | - | Alcanzar sin afectado | 150-JANKCBL2N2222A | 100 | 50 V | 800 Ma | 50NA | NPN | 1V @ 50 Ma, 500 Ma | 100 @ 150mA, 10V | - | |||||||||||||||||||||
| Jantxv1n6310d | 45.0600 | | 8795 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N6310 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 60 µA @ 1 V | 2.7 V | 30 ohmios | ||||||||||||||||||||
| Jan2n1893s | 24.1129 | | 4427 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/182 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 2N1893 | 3 W | TO-39 (TO-205Ad) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 V | 500 mA | 10 µA (ICBO) | NPN | 5V @ 15 Ma, 150 Ma | 40 @ 150mA, 10V | - | |||||||||||||||||
 | 1N751A-1 | 2.1800 | | 1 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N751 | 500 MW | Do-35 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 2 V | 5.1 V | 14 ohmios | |||||||||||||||||||
| 1N1401 | 38.3850 | | 4678 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | DO-205AA, DO-8, Semento | Estándar | DO-205AA (DO-8) | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-1N1401 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.2 v @ 200 a | 50 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 100A | - |
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