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Productos de semiconductoros discretos (41164)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Aplicacionales Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Voltaje - Ánodo - Cátodo (Vak) (Max) Corriente del Regulador (Max) Voltaje - Limitante (Max)
JANS1N4472C Microchip Technology Jans1n4472c 207.0600
RFQ
 ECAD 8662 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/406 Una granela Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1.5 W Do-41 - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 50 na @ 16 V 20 V 12 ohmios
JANTXV1N5287-1/TR Microchip Technology Jantxv1n5287-1/tr 36.5700
RFQ
 ECAD 2802 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/463 Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - A Través del Aguetero Do-204AA, do-7, axial 1N5287 500MW Do-7 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-JantXV1N5287-1/TR EAR99 8541.10.0070 1 100V 363 µA 1V
1N5418USE3/TR Microchip Technology 1N5418USE3/TR 9.9600
RFQ
 ECAD 5542 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SQ-Melf, B Estándar B, SQ-Melf - 100 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.5 v @ 9 a 150 ns 1 µA @ 400 V -65 ° C ~ 175 ° C 3A -
JANS1N4984US Microchip Technology Jans1n4984us 92.0400
RFQ
 ECAD 9628 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/356 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SQ-Melf, E 5 W D-5B - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 2 µA @ 91.2 V 120 V 170 ohmios
JANTXV1N5307-1/TR Microchip Technology Jantxv1n5307-1/tr 36.5700
RFQ
 ECAD 5071 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/463 Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - A Través del Aguetero Do-204AA, do-7, axial 1N5307 500MW Do-7 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-JantXV1N5307-1/TR EAR99 8541.10.0070 1 100V 2.64mA 2V
1N5519D Microchip Technology 1N5519D 5.6850
RFQ
 ECAD 2200 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) - Alcanzar sin afectado 150-1N5519D EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 3 µA @ 1 V 3.6 V 24 ohmios
JANTX1N5289UR-1 Microchip Technology Jantx1n5289ur-1 38.2650
RFQ
 ECAD 2487 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/463 Una granela Activo -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - Montaje en superficie DO-213AB, MELL (Vidrio) 1N5289 500MW DO-213AB (Melf, LL41) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 1 100V 473 µA 1.05V
JANTX1N4481US Microchip Technology Jantx1n4481us -
RFQ
 ECAD 2987 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/406 Una granela Descontinuado en sic ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie Sq-melf, un 1.5 W D-5A descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1 V @ 200 Ma 50 na @ 37.6 V 47 V 50 ohmios
JANTX2N4261UB Microchip Technology Jantx2n4261ub -
RFQ
 ECAD 7069 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/511 Una granela Descontinuado en sic -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-SMD, sin Plomo 200 MW UB descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 1 15 V 30 Ma 10 µA (ICBO) PNP 350mv @ 1 mapa, 10 ma 30 @ 10mA, 1V -
JANS1N6332DUS Microchip Technology Jans1n6332dus 527.5650
RFQ
 ECAD 6584 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/533 Una granela Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SQ-Melf, B 500 MW B, SQ-Melf - Alcanzar sin afectado 150-jans1n6332dus EAR99 8541.10.0050 1 1.4 v @ 1 a 50 na @ 17 V 22 V 20 ohmios
JANSL2N5002 Microchip Technology Jansl2n5002 -
RFQ
 ECAD 4004 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/534 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Montaje TO10AA, TO-59-4, Stud 2 W TO-59 - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 80 V 50 µA 50 µA NPN 1.5V @ 500mA, 5A 30 @ 2.5a, 5V -
JANTX1N5304UR-1 Microchip Technology Jantx1n5304ur-1 38.2650
RFQ
 ECAD 3069 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/463 Una granela Activo -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - Montaje en superficie DO-213AB, MELL (Vidrio) 1N5304 500MW DO-213AB (Melf, LL41) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 1 100V 1.98mA 1.75V
JANS1N6874UTK2 Microchip Technology Jans1n6874utk2 608.4000
RFQ
 ECAD 4923 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/469 Una granela Activo Montaje en superficie Thinkey ™ 2 Estándar Thinkey ™ 2 - Alcanzar sin afectado 150-jans1n6874utk2 EAR99 8541.10.0070 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1 V @ 400 Ma -65 ° C ~ 175 ° C 400mA -
JANSR2N2906AUBC Microchip Technology Jansr2n2906aubc 305.9206
RFQ
 ECAD 4072 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/291 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-SMD, sin Plomo 500 MW UBC - Alcanzar sin afectado 150-JANSR2N2906AUBC 1 60 V 600 mA 50NA PNP 1.6v @ 50 mA, 500 mA 40 @ 150mA, 10V -
JAN2N3725L Microchip Technology Jan2N3725L -
RFQ
 ECAD 8121 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN A-5 - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 0000.00.0000 1 50 V 500 mA - NPN - - -
1PMT5956E3/TR7 Microchip Technology 1 PMT5956E3/TR7 0.7350
RFQ
 ECAD 4747 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 20% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-216AA 1pmt5956 3 W DO-216AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 152 V 200 V 1200 ohmios
CDLL5289/TR Microchip Technology CDLL5289/TR 25.2900
RFQ
 ECAD 4104 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 175 ° C - Montaje en superficie DO-213AB, MELL (Vidrio) CDLL52 500MW DO-213AB (Melf, LL41) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-CDLL5289/TR EAR99 8541.10.0050 1 100V 473 µA 1.05V
JANTX1N4100D-1/TR Microchip Technology Jantx1n4100d-1/tr 17.1969
RFQ
 ECAD 6815 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/435 Tape & Reel (TR) Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-JantX1N4100D-1/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 1 µA @ 5.7 V 7.5 V 200 ohmios
JANTXV1N6341CUS Microchip Technology Jantxv1n6341cus 57.1050
RFQ
 ECAD 7538 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/533 Una granela Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SQ-Melf, B 500 MW B, SQ-Melf - Alcanzar sin afectado 150-jantxv1n6341cus EAR99 8541.10.0050 1 1.4 v @ 1 a 50 na @ 39 V 51 V 85 ohmios
1N6320US/TR Microchip Technology 1N6320U/TR 13.9916
RFQ
 ECAD 7057 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/533 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SQ-Melf, B 500 MW B, SQ-Melf descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-1N6320U/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.4 v @ 1 a 2 µA @ 4 V 6.8 V 3 ohmios
1N4693E3/TR Microchip Technology 1N4693E3/TR 3.8171
RFQ
 ECAD 7713 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% - - - 500 MW - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-1N4693E3/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 10 µA @ 5.7 V 7.5 V
JANTXV1N4619-1/TR Microchip Technology Jantxv1n4619-1/tr 5.2535
RFQ
 ECAD 9974 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/435 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-JantXV1N4619-1/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 400 na @ 1 V 3 V 1600 ohmios
1N5524A Microchip Technology 1N5524A 1.8150
RFQ
 ECAD 7843 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) - Alcanzar sin afectado 150-1N5524A EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 2 µA @ 3 V 5.6 V
JANS2N3439U4 Microchip Technology Jans2n3439u4 -
RFQ
 ECAD 3596 0.00000000 Tecnología de Microchip * Una granela Activo 2N3439 - Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1
2N6594 Microchip Technology 2N6594 110.9100
RFQ
 ECAD 6383 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-204AA, TO-3 100 W TO-204AD (TO-3) - Alcanzar sin afectado 150-2N6594 EAR99 8541.29.0095 1 40 V 12 A - PNP - - -
SMBG5344BE3/TR13 Microchip Technology SMBG5344BE3/TR13 1.1400
RFQ
 ECAD 1557 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-215AA, Ala de Gaviota de SMB SMBG5344 5 W SMBG (DO-215AA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 1 a 10 µA @ 5.9 V 8.2 V 1.5 ohmios
JANSF2N2369AUB/TR Microchip Technology Jansf2n2369aub/tr 149.4910
RFQ
 ECAD 3411 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/317 Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo 2369a 360 MW UB - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-jansf2n2369aub/tr EAR99 8541.21.0095 1 15 V 400 na 400NA NPN 450mv @ 10 Ma, 100 Ma 20 @ 100 maja, 1v -
1N973B Microchip Technology 1N973B -
RFQ
 ECAD 5831 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Descontinuado en sic ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AA, do-7, axial 500 MW Do-7 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1N973BMS EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 5 µA @ 25.1 V 33 V 58 ohmios
1N2992RB Microchip Technology 1N2992RB 40.3200
RFQ
 ECAD 3199 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Chasis, Soporte de semento DO-203AA, DO-4, semento 1N2992 10 W DO-213AA descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 2 a 10 µA @ 29.7 V 39 V 11 ohmios
JAN1N4469CUS/TR Microchip Technology Jan1n4469cus/tr 24.1200
RFQ
 ECAD 8654 0.00000000 Tecnología de Microchip MIL-PRF-19500/406 Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Sq-melf, un 1.5 W D-5A descascar 150-Enero1n4469cus/TR EAR99 8541.10.0050 100 1.5 v @ 1 a 50 na @ 12 V 15 V 9 ohmios
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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