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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Aplicacionales | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Relación de la capacidad | Condición de Relación de Capacitancia | Q @ VR, F | Voltaje - Ánodo - Cátodo (Vak) (Max) | Corriente del Regulador (Max) | Voltaje - Limitante (Max) |
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![]() | 1N5344B/TR12 | 2.6850 | ![]() | 5472 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | T-18, axial | 1N5344 | 5 W | T-18 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 1 a | 10 µA @ 5.9 V | 8.2 V | 1.5 ohmios | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Jan2n5003 | 416.0520 | ![]() | 1193 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/535 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Chasis, Soporte de semento | TO10AA, TO-59-4, Stud | 2N5003 | 2 W | TO-59 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 V | 5 A | 50 µA | PNP | 1.5V @ 500mA, 5A | 30 @ 2.5a, 5V | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | CDLL962B/TR | 2.2743 | ![]() | 3201 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | 500 MW | DO-213AB | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL962B/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 8.4 V | 11 V | 9.5 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | HSM540G/TR13 | 1.9350 | ![]() | 8278 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Tape & Reel (TR) | Activo | HSM540 | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
Jantx1n3890 | 296.4000 | ![]() | 9697 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/304 | Una granela | Activo | Montaje | DO-203AA, DO-4, semento | 1N3890 | Estándar | DO-203AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.5 V @ 20 A | 200 ns | 10 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 12A | 115pf @ 10V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv1n3827dur-1 | 62.0400 | ![]() | 5920 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1N3827 | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 3 µA @ 2 V | 5.6 V | 5 ohmios | |||||||||||||||||||||||||
Jantxv1n4982c | 22.2000 | ![]() | 9351 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | E, axial | 5 W | E, axial | - | Alcanzar sin afectado | 150-jantxv1n4982c | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 76 V | 100 V | 110 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv1n988cur-1/tr | - | ![]() | 6948 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/117 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA | 400 MW | DO-213AA | - | 150-JantXV1N988CUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.3 V @ 200 Ma | 500 na @ 99 V | 130 V | 1100 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5345E3/TR8 | 2.6250 | ![]() | 8175 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | T-18, axial | 1N5345 | 5 W | T-18 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.2 v @ 1 a | 10 µA @ 6.25 V | 8.7 V | 2 ohmios | |||||||||||||||||||||||||
1N825A-1 | 4.5000 | ![]() | 3373 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N825A-1 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.2 V | 10 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv1n5288-1/tr | 36.5700 | ![]() | 1450 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N5288 | 500MW | Do-7 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N5288-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 429 µA | 1.05V | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv2n6032 | 511.7840 | ![]() | 5242 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/528 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TA) | A Través del Aguetero | TO-204AA, TO-3 | 140 W | A 3 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 90 V | 50 A | 25 mA (ICBO) | NPN | 10 @ 50a, 2.6v | - | ||||||||||||||||||||||||||
Jantx1n4965 | 6.8700 | ![]() | 4002 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | E, axial | 1N4965 | 5 W | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 15.2 V | 20 V | 4.5 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||
Jantxv2n4930 | - | ![]() | 3012 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/397 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 1 W | TO-39 (TO-205Ad) | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 200 V | 200 MA | PNP | 1.2V @ 3 mm, 30 mA | 50 @ 30mA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4690E3/TR | 5.5062 | ![]() | 8288 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N4690E3/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 µA @ 4 V | 5.6 V | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDLL4750A/TR | 3.2319 | ![]() | 5915 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | DO-213AB | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL4750A/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 100 na @ 20.6 V | 27 V | 35 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantx1n6305r | - | ![]() | 9328 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | Estándar | Do-5 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.18 V @ 150 A | 60 ns | 25 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 70a | ||||||||||||||||||||||||||
1N4970U/TR | 8.3125 | ![]() | 1318 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | SQ-Melf, E | 5 W | D-5B | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N4970U/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 25.1 V | 33 V | 10 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||
1N4574A | 29.3250 | ![]() | 4610 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-1N4574A | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 V | 100 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDLL5533C | 12.1950 | ![]() | 6587 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5533C | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 11.7 V | 13 V | 90 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jan1N5304-1 | 31.5150 | ![]() | 9348 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N5304 | 500MW | Do-7 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.98mA | 1.75V | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Smaj4745e3/tr13 | 0.6450 | ![]() | 3103 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Smaj4745 | 2 W | DO-214AC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 12.2 V | 16 V | 16 ohmios | |||||||||||||||||||||||||
GC2510-17 | - | ![]() | 8952 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 2-SMD, Plano Plano | - | - | Alcanzar sin afectado | 150-GC2510-17 | EAR99 | 8541.10.0060 | 1 | 0.4pf @ 6V, 1MHz | Soltero | 15 V | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||
Jan1N754D-1 | 6.4950 | ![]() | 7817 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/127 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N754 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 2 µA @ 4 V | 6.8 V | 5 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5350AE3/TR8 | 2.6250 | ![]() | 1678 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | T-18, axial | 1N5350 | 5 W | T-18 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.2 v @ 1 a | 1 µA @ 9.4 V | 13 V | 2.5 ohmios | |||||||||||||||||||||||||
![]() | MV21003-P00 | - | ![]() | 9080 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Banda | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Morir | Chip | - | Alcanzar sin afectado | 150-MV21003-P00 | EAR99 | 8541.10.0040 | 1 | 0.5pf @ 4V, 1 MHz | Soltero | 30 V | 3.4 | C0/C30 | 7000 @ 4V, 50MHz | |||||||||||||||||||||||||||
Jans1n4983us | 92.0400 | ![]() | 1376 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, E | 5 W | D-5B | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 83.6 V | 110 V | 125 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CD967A | 1.6950 | ![]() | 5688 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Morir | 500 MW | Morir | - | Alcanzar sin afectado | 150-CD967A | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 Ma | 500 na @ 14 V | 18 V | 21 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||
1N4988 | - | ![]() | 5637 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Descontinuado en sic | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | E, axial | 1N4988 | 5 W | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 136.8 V | 180 V | 450 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jan1N5290-1/TR | 31.6650 | ![]() | 1977 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N5290 | 500MW | Do-7 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N5290-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 517 µA | 1.05V |
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