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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Tipo de fet | Current - Max | Current - Hold (IH) (Max) | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - Estado Fuera | Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) | Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) | Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) | Current - On State (IT (AV)) (Max) | Tipo scr | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Resistencia @ if, f | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
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![]() | UPP1002/TR13 | 8.8650 | ![]() | 8380 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | PowerMite® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | DO-216AA | UPP1002 | DO-216 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 12,000 | 2.5 W | 1.6pf @ 100V, 1 MHz | PIN - Single | 100V | 1ohm @ 10mA, 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | LXS301-23-2/TR | 6.9750 | ![]() | 6108 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | LXS301 | Sot-23-3 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-LXS301-23-2/TR | EAR99 | 8541.10.0060 | 1,000 | 1 A | 250 MW | 1.4pf @ 0v, 1 MHz | Schottky - Conexión de la Serie de 1 par | 20V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
GMP4233-GM1 | 2.4600 | ![]() | 6271 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-GMP4233-GM1 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UMX9989-GM2 | 9.5550 | ![]() | 7972 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-UMX9989-GM2 | EAR99 | 8541.10.0060 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N3743U4 | 78.4966 | ![]() | 2702 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-SMD, sin Plomo | 1 W | U4 | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 300 V | 200 MA | PNP | 1.2V @ 3 mm, 30 mA | 50 @ 30mA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jan2n5002 | 416.0520 | ![]() | 2124 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/534 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Chasis, Soporte de semento | TO10AA, TO-59-4, Stud | 2N5002 | 2 W | TO-59 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 V | 5 A | 50 µA | NPN | 1.5V @ 500mA, 5A | 30 @ 2.5a, 5V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R4240F | 59.8350 | ![]() | 1107 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | DO-205AA, DO-8, Semento | R4240 | Polaridad Inversa Estándar | DO-205AA (DO-8) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.2 v @ 200 a | 50 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 125a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
Jan2n2326s | - | ![]() | 2088 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/276 | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 125 ° C | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | TO-39 (TO-205Ad) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 100 | 2 MA | 200 V | 800 MV | - | 200 µA | 220 Ma | Puerta sensible | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N3507L | 12.2626 | ![]() | 6969 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN | 2N3507 | 1 W | TO-5AA | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 50 V | 3 A | 1 µA | NPN | 1.5V @ 250 Ma, 2.5a | 35 @ 500mA, 1V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N3054A | 50.2075 | ![]() | 4529 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Jantx1n4621d-1 | 15.5700 | ![]() | 8721 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N4621 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 3.5 µA @ 2 V | 3.6 V | 1700 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantx1n3017dur-1 | 46.6950 | ![]() | 6138 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Una granela | Activo | ± 1% | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1N3017 | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 100 µA @ 5.7 V | 7.5 V | 4 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
1N974B | 2.1450 | ![]() | 1982 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N974 | 500 MW | Do-7 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1N974bms | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 27.4 V | 36 V | 70 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N1204A | 34.7100 | ![]() | 5652 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | DO-203AA, DO-4, semento | 1N1204 | Estándar | DO-203AA (DO-4) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | 1N1204ams | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.35 V @ 38 A | 5 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 12A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jan1N3325RB | - | ![]() | 4248 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/358 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | 50 W | Do-5 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 10 µA @ 25.1 V | 33 V | 3.2 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Jan1n6309us | 15.2850 | ![]() | 7712 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 1N6309 | 500 MW | B, SQ-Melf | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 100 µA @ 1 V | 2.4 V | 30 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MML4403-GM3/TR | 7.5750 | ![]() | 2881 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C | 4-SMD, sin Plomo | MML4403 | - | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150 MML4403-GM3/TR | EAR99 | 8541.10.0060 | 1,000 | 1.5pf @ 0v, 1 MHz | PIN - 2 Independiente | 75V | 1ohm @ 100 mm, 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | LXZ1000-23-13/TR | 6.1800 | ![]() | 8351 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 125 ° C (TJ) | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-LXZ1000-23-13/TR | EAR99 | 8541.10.0060 | 1,000 | 75 MW | 0.3pf @ 500mv, 1 MHz | Schottky - Single | 1v | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CDLL5538 | 6.4800 | ![]() | 9631 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 20% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | CDLL5538 | 500 MW | DO-213AB | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 15 V | 18 V | 100 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Jantxv2n3501 | 15.8403 | ![]() | 6528 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/366 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 2N3501 | 1 W | TO-39 (TO-205Ad) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 150 V | 300 mA | 10 µA (ICBO) | NPN | 400mv @ 15 mA, 150 mA | 100 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jans1n4116cur-1 | 97.9650 | ![]() | 9406 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 18.3 V | 24 V | 150 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv2n6990 | 51.5242 | ![]() | 9533 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/559 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Puñetazo | 2N6990 | 400MW | Puñetazo | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 50V | 800mA | 10 µA (ICBO) | 4 NPN (Quad) | 1V @ 50 Ma, 500 Ma | 100 @ 150mA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv1n4469c | 31.6350 | ![]() | 3739 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4469 | 1.5 W | Do-41 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 Ma | 50 na @ 12 V | 15 V | 9 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
Apt6010lfllg | 33.7700 | ![]() | 1610 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Power MOS 7® | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO-264-3, TO-264AA | Apt6010 | Mosfet (Óxido de metal) | To-264 [l] | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2266-Act6010lfllg | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 600 V | 54a (TC) | 100mohm @ 27a, 10v | 5V @ 2.5MA | 150 NC @ 10 V | 6710 pf @ 25 V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2n2605ub | 77.4193 | ![]() | 9312 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-SMD, sin Plomo | 2N2605 | 400 MW | UB | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 V | 30 Ma | 10NA | PNP | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 150 @ 500 µA, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
Jan2n4930 | - | ![]() | 2439 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/397 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 1 W | TO-39 (TO-205Ad) | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 200 V | 200 MA | PNP | 1.2V @ 3 mm, 30 mA | 50 @ 30mA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | LXS101-23-3/TR | 6.9750 | ![]() | 1350 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | LXS101 | Sot-23-3 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-LXS101-23-3/TR | EAR99 | 8541.10.0060 | 1,000 | 1 A | 250 MW | 1PF @ 0V, 1MHz | Schottky - 1 par Ánodo Común | 8V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | LXS301-23-4/TR | 6.9750 | ![]() | 6051 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | LXS301 | Sot-23-3 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-LXS301-23-4/TR | EAR99 | 8541.10.0060 | 1,000 | 1 A | 250 MW | 1.4pf @ 0v, 1 MHz | Schottky - 1 par Cátodo Común | 20V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UPP1001E3/TR13 | 2.2200 | ![]() | 5186 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | PowerMite® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | DO-216AA | UPP1001 | DO-216 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 12,000 | 2.5 W | 1.6pf @ 100V, 1 MHz | PIN - Single | 100V | 1ohm @ 10mA, 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N4235 | - | ![]() | 2031 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Descontinuado en sic | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 1 W | TO-205Ad | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 V | 1 A | 1mera | PNP | 600mv @ 100 mm, 1a | 40 @ 100mA, 1V | - |
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