SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Tipo de fet Current - Max Current - Hold (IH) (Max) Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Estado Fuera Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Current - On State (IT (AV)) (Max) Tipo scr Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Resistencia @ if, f Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
UPP1002/TR13 Microchip Technology UPP1002/TR13 8.8650
RFQ
ECAD 8380 0.00000000 Tecnología de Microchip PowerMite® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) DO-216AA UPP1002 DO-216 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 12,000 2.5 W 1.6pf @ 100V, 1 MHz PIN - Single 100V 1ohm @ 10mA, 100MHz
LXS301-23-2/TR Microchip Technology LXS301-23-2/TR 6.9750
RFQ
ECAD 6108 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 125 ° C TO36-3, SC-59, SOT-23-3 LXS301 Sot-23-3 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-LXS301-23-2/TR EAR99 8541.10.0060 1,000 1 A 250 MW 1.4pf @ 0v, 1 MHz Schottky - Conexión de la Serie de 1 par 20V -
GMP4233-GM1 Microchip Technology GMP4233-GM1 2.4600
RFQ
ECAD 6271 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-GMP4233-GM1 EAR99 8541.10.0070 1
UMX9989-GM2 Microchip Technology UMX9989-GM2 9.5550
RFQ
ECAD 7972 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-UMX9989-GM2 EAR99 8541.10.0060 1
2N3743U4 Microchip Technology 2N3743U4 78.4966
RFQ
ECAD 2702 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-SMD, sin Plomo 1 W U4 - Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 300 V 200 MA PNP 1.2V @ 3 mm, 30 mA 50 @ 30mA, 10V -
JAN2N5002 Microchip Technology Jan2n5002 416.0520
RFQ
ECAD 2124 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/534 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Chasis, Soporte de semento TO10AA, TO-59-4, Stud 2N5002 2 W TO-59 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 80 V 5 A 50 µA NPN 1.5V @ 500mA, 5A 30 @ 2.5a, 5V -
R4240F Microchip Technology R4240F 59.8350
RFQ
ECAD 1107 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo Montaje DO-205AA, DO-8, Semento R4240 Polaridad Inversa Estándar DO-205AA (DO-8) descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.2 v @ 200 a 50 µA @ 400 V -65 ° C ~ 200 ° C 125a -
JAN2N2326S Microchip Technology Jan2n2326s -
RFQ
ECAD 2088 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/276 Una granela Obsoleto -65 ° C ~ 125 ° C A Través del Aguetero TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN TO-39 (TO-205Ad) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 100 2 MA 200 V 800 MV - 200 µA 220 Ma Puerta sensible
2N3507L Microchip Technology 2N3507L 12.2626
RFQ
ECAD 6969 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN 2N3507 1 W TO-5AA descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 50 V 3 A 1 µA NPN 1.5V @ 250 Ma, 2.5a 35 @ 500mA, 1V -
2N3054A Microchip Technology 2N3054A 50.2075
RFQ
ECAD 4529 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo - Alcanzar sin afectado 0000.00.0000 1
JANTX1N4621D-1 Microchip Technology Jantx1n4621d-1 15.5700
RFQ
ECAD 8721 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/435 Una granela Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N4621 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 3.5 µA @ 2 V 3.6 V 1700 ohmios
JANTX1N3017DUR-1 Microchip Technology Jantx1n3017dur-1 46.6950
RFQ
ECAD 6138 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/115 Una granela Activo ± 1% -55 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AB, MELL (Vidrio) 1N3017 1 W DO-213AB (Melf, LL41) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 100 µA @ 5.7 V 7.5 V 4 ohmios
1N974B Microchip Technology 1N974B 2.1450
RFQ
ECAD 1982 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AA, do-7, axial 1N974 500 MW Do-7 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1N974bms EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 5 µA @ 27.4 V 36 V 70 ohmios
1N1204A Microchip Technology 1N1204A 34.7100
RFQ
ECAD 5652 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo Montaje DO-203AA, DO-4, semento 1N1204 Estándar DO-203AA (DO-4) descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 1N1204ams EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.35 V @ 38 A 5 µA @ 400 V -65 ° C ~ 150 ° C 12A -
JAN1N3325RB Microchip Technology Jan1N3325RB -
RFQ
ECAD 4248 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/358 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje Do-203ab, do-5, semental 50 W Do-5 - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 A 10 µA @ 25.1 V 33 V 3.2 ohmios
JAN1N6309US Microchip Technology Jan1n6309us 15.2850
RFQ
ECAD 7712 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/533 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SQ-Melf, B 1N6309 500 MW B, SQ-Melf descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.4 v @ 1 a 100 µA @ 1 V 2.4 V 30 ohmios
MML4403-GM3/TR Microchip Technology MML4403-GM3/TR 7.5750
RFQ
ECAD 2881 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C 4-SMD, sin Plomo MML4403 - descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 150 MML4403-GM3/TR EAR99 8541.10.0060 1,000 1.5pf @ 0v, 1 MHz PIN - 2 Independiente 75V 1ohm @ 100 mm, 100MHz
LXZ1000-23-13/TR Microchip Technology LXZ1000-23-13/TR 6.1800
RFQ
ECAD 8351 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo 125 ° C (TJ) TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-LXZ1000-23-13/TR EAR99 8541.10.0060 1,000 75 MW 0.3pf @ 500mv, 1 MHz Schottky - Single 1v -
CDLL5538 Microchip Technology CDLL5538 6.4800
RFQ
ECAD 9631 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 20% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie Do-213ab, melf CDLL5538 500 MW DO-213AB descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 10 na @ 15 V 18 V 100 ohmios
JANTXV2N3501 Microchip Technology Jantxv2n3501 15.8403
RFQ
ECAD 6528 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/366 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN 2N3501 1 W TO-39 (TO-205Ad) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 150 V 300 mA 10 µA (ICBO) NPN 400mv @ 15 mA, 150 mA 100 @ 150mA, 10V -
JANS1N4116CUR-1 Microchip Technology Jans1n4116cur-1 97.9650
RFQ
ECAD 9406 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/435 Una granela Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AA (Vidrio) 500 MW DO-213AA - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 10 na @ 18.3 V 24 V 150 ohmios
JANTXV2N6990 Microchip Technology Jantxv2n6990 51.5242
RFQ
ECAD 9533 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/559 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Montaje en superficie Puñetazo 2N6990 400MW Puñetazo descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 1 50V 800mA 10 µA (ICBO) 4 NPN (Quad) 1V @ 50 Ma, 500 Ma 100 @ 150mA, 10V -
JANTXV1N4469C Microchip Technology Jantxv1n4469c 31.6350
RFQ
ECAD 3739 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/406 Una granela Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4469 1.5 W Do-41 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1 V @ 200 Ma 50 na @ 12 V 15 V 9 ohmios
APT6010LFLLG Microchip Technology Apt6010lfllg 33.7700
RFQ
ECAD 1610 0.00000000 Tecnología de Microchip Power MOS 7® Tubo Activo A Través del Aguetero TO-264-3, TO-264AA Apt6010 Mosfet (Óxido de metal) To-264 [l] descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2266-Act6010lfllg EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 600 V 54a (TC) 100mohm @ 27a, 10v 5V @ 2.5MA 150 NC @ 10 V 6710 pf @ 25 V -
2N2605UB Microchip Technology 2n2605ub 77.4193
RFQ
ECAD 9312 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo 2N2605 400 MW UB descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 1 60 V 30 Ma 10NA PNP 300mv @ 500 µA, 10 mA 150 @ 500 µA, 5V -
JAN2N4930 Microchip Technology Jan2n4930 -
RFQ
ECAD 2439 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/397 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN 1 W TO-39 (TO-205Ad) - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 200 V 200 MA PNP 1.2V @ 3 mm, 30 mA 50 @ 30mA, 10V -
LXS101-23-3/TR Microchip Technology LXS101-23-3/TR 6.9750
RFQ
ECAD 1350 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 125 ° C TO36-3, SC-59, SOT-23-3 LXS101 Sot-23-3 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-LXS101-23-3/TR EAR99 8541.10.0060 1,000 1 A 250 MW 1PF @ 0V, 1MHz Schottky - 1 par Ánodo Común 8V -
LXS301-23-4/TR Microchip Technology LXS301-23-4/TR 6.9750
RFQ
ECAD 6051 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 125 ° C TO36-3, SC-59, SOT-23-3 LXS301 Sot-23-3 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-LXS301-23-4/TR EAR99 8541.10.0060 1,000 1 A 250 MW 1.4pf @ 0v, 1 MHz Schottky - 1 par Cátodo Común 20V -
UPP1001E3/TR13 Microchip Technology UPP1001E3/TR13 2.2200
RFQ
ECAD 5186 0.00000000 Tecnología de Microchip PowerMite® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) DO-216AA UPP1001 DO-216 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 12,000 2.5 W 1.6pf @ 100V, 1 MHz PIN - Single 100V 1ohm @ 10mA, 100MHz
2N4235 Microchip Technology 2N4235 -
RFQ
ECAD 2031 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Descontinuado en sic -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN 1 W TO-205Ad descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 1 60 V 1 A 1mera PNP 600mv @ 100 mm, 1a 40 @ 100mA, 1V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock