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Productos de semiconductoros discretos (41164)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CDLL965B-1/TR | 3.0300 |  | 7750 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL965B-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 313 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 11 V | 15 V | 16 ohmios | |||||||||||||||
 | 1N5535D/TR | 14.4000 | | 8375 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N5535D/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 13.5 V | 15 V | 100 ohmios | |||||||||||||||
| 1N4581-1/TR | 7.3800 | | 6519 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-1N4581-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 128 | 2 µA @ 3 V | 6.4 V | 25 ohmios | ||||||||||||||||
 | Jantxv1n6621u/tr | 18.2700 | | 7554 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/585 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Sq-melf, un | Polaridad Inversa Estándar | A, SQ-Melf | - | Alcanzar sin afectado | 150-jantxv1n6621u/tr | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 440 V | 1.4 V @ 1.2 A | 45 ns | 500 na @ 440 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1.2a | - | |||||||||||||
| 1N5521D/TR | 5.8650 | | 3777 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N5521D/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 161 | 1.1 V @ 200 Ma | 3 µA @ 1.5 V | 4.3 V | 18 ohmios | |||||||||||||||
 | MSASC100H45HX/TR | - | | 7178 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Thinkey ™ 1 | Schottky, Polaridad Inversa | Thinkey ™ 1 | - | Alcanzar sin afectado | 150-MSASC100H45HX/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 45 V | 650 MV @ 100 A | 10 Ma @ 45 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 100A | - | ||||||||||||||
| MSASC100W80HX/TR | - | | 1315 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-MSASC100W80HX/TR | 100 | |||||||||||||||||||||||||||
| Jan1N4623D-1/TR | 12.1350 | | 2879 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N4623D-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 Ma | 2 µA @ 2 V | 4.3 V | 1600 ohmios | |||||||||||||||
 | Jan1n6343us/tr | 16.0800 | | 3512 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 500 MW | B, SQ-Melf | - | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N6343US/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 47 V | 62 V | 125 ohmios | |||||||||||||||
| CDLL5518D/TR | 16.3950 | | 7444 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5518D/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 1 V | 3.3 V | 26 ohmios | |||||||||||||||
| 2N4391UBC/TR | 53.5950 | | 4163 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-2N4391UBC/TR | 100 | |||||||||||||||||||||||||||
| 1n6941utk3/tr | 267.4800 | | 3870 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Thinkey ™ 3 | Schottky, Polaridad Inversa | Thinkey ™ 3 | - | Alcanzar sin afectado | 150-1n6941utk3/tr | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 500 MV @ 50 A | 5 Ma @ 30 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 150a | 7500pf @ 5V, 1MHz | ||||||||||||||
| CDLL5542C/TR | 12.3900 | | 9334 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5542C/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 21.6 V | 24 V | 100 ohmios | |||||||||||||||
| 1n4465cus/tr | 19.2750 | | 9263 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1.5 W | D-5A | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-1N4465 CU/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 v @ 1 a | 300 na @ 8 V | 10 V | 5 ohmios | |||||||||||||||
| CDLL5276A/TR | 3.7800 | | 4713 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 200 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | DO-213AA | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5276A/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 250 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 108 V | 150 V | 1500 ohmios | ||||||||||||||||
| MSASC75W15FS/TR | - | | 1815 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-MSASC75W15FS/TR | 100 | |||||||||||||||||||||||||||
| CDS4150UR-1/TR | - | | 8874 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDS4150UR-1/TR | 50 | |||||||||||||||||||||||||||
| Jantxv1n4469us/tr | 17.7900 | | 7942 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1.5 W | D-5A | - | Alcanzar sin afectado | 150-jantxv1n4469us/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 v @ 1 a | 50 na @ 12 V | 15 V | 9 ohmios | |||||||||||||||
 | 1N4682/TR | 4.1250 | | 4279 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 500 MW | Do-7 | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N4682/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 230 | 1.5 V @ 100 Ma | 1 µA @ 1 V | 2.7 V | ||||||||||||||||
 | Jan2n2907Aubp/TR | 12.6616 | | 2435 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/291 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-SMD, sin Plomo | 500 MW | UB | - | Alcanzar sin afectado | 150-ENCERO2N2907AUBP/TR | EAR99 | 8541.21.0095 | 100 | 60 V | 600 mA | 50NA | PNP | 1.6v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 1 MMA, 10V | - | |||||||||||||
| 1N5535A/TR | 1.9950 | | 3318 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N5535A/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 477 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 12.5 V | 15 V | ||||||||||||||||
| CDS5534DUR-1/TR | - | | 2039 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDS5534DUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 50 | |||||||||||||||||||||||||
| DSB0.2A40/TR | - | | 8490 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | Schottky | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-DSB0.2A40/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 228 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 20 V | 510 MV @ 200 Ma | 5 µA @ 40 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 200 MMA | 50pf @ 0v, 1 MHz | ||||||||||||||
| MSR2N2222AUBC/TR | 249.9203 | | 4205 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/255 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-SMD, sin Plomo | 500 MW | UBC | - | Alcanzar sin afectado | 150-MSR2N2222AUBC/TR | 100 | 50 V | 800 Ma | 50NA | NPN | 1V @ 50 Ma, 500 Ma | 100 @ 150mA, 10V | - | |||||||||||||||
| CDLL5534D/TR | 16.3950 | | 3802 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5534D/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 12.6 V | 14 V | 100 ohmios | |||||||||||||||
| Jantxv1n6874utk2as/tr | 521.6100 | | 1863 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-jantxv1n6874utk2as/tr | 100 | |||||||||||||||||||||||||||
| 1N5521/TR | 1.9950 | | 8222 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 20% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N5521/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 477 | 1.1 V @ 200 Ma | 3 µA @ 1 V | 4.3 V | ||||||||||||||||
| Jantxv2n2221aua/tr | 26.7596 | | 2307 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/255 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-SMD, sin Plomo | 650 MW | Ua | - | Alcanzar sin afectado | 150-jantxv2n2221aua/tr | 100 | 50 V | 800 Ma | 50NA | NPN | 1V @ 50 Ma, 500 Ma | 40 @ 150mA, 10V | - | |||||||||||||||
| CDLL5224C/TR | 6.9150 | | 7984 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | 10 MW | DO-213AA | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5224C/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 137 | 1.1 V @ 200 Ma | 75 µA @ 1 V | 2.8 V | 30 ohmios | |||||||||||||||
| CDLL5544C/TR | 12.3900 | | 8703 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5544C/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 25.2 V | 28 V | 100 ohmios |
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