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Productos de semiconductoros discretos (41164)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
1N3349RB	49.3800	RFQ	3235	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	1N3349		50 W	Do-5	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A	10 µA @ 136.8 V				180 V	90 ohmios
1N3350RB	49.3800	RFQ	7389	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	1N3350		50 W	Do-5	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A	10 µA @ 152 V				200 V	100 ohmios
1N3507A	2.4900	RFQ	2091	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N3507		500 MW	Do-35	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma					3.6 V	22 ohmios
1N3510A	2.4900	RFQ	8500	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N3510		500 MW	Do-35	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma					4.7 V	16 ohmios
1N3518A	2.4900	RFQ	5408	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N3518		500 MW	Do-35	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma					1 V	7 ohmios
1N3521A	2.4900	RFQ	1344	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N3521		500 MW	Do-35	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma					13 V	12 ohmios
1N3523A	2.4900	RFQ	1700	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N3523		500 MW	Do-35	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma					16 V	16 ohmios
1N3524A	2.4900	RFQ	3962	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N3524		500 MW	Do-35	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma					18 V	18 ohmios
1N3528A	2.4900	RFQ	7495	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N3528		500 MW	Do-35	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma					27 V	40 ohmios
1N3822A-1	-	RFQ	1162	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Descontinuado en sic	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N3822		1 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 200 ma	75 µA @ 1 V				3.6 V	10 ohmios
1N3828A-1	-	RFQ	2304	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Descontinuado en sic	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N3828		1 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 200 ma	3 µA @ 3 V				6.2 V	2 ohmios
1N4105ur	3.7950	RFQ	8350	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	1N4105		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma	50 na @ 8.44 V				11 V	200 ohmios
1N4108ur	3.7950	RFQ	9546	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	1N4108		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma	50 na @ 10.65 V				14 V	200 ohmios
1N4110ur	3.7950	RFQ	8653	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	1N4110		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma	50 na @ 12.15 V				16 V	100 ohmios
1n4111ur	3.7950	RFQ	6874	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	1N4111		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma	50 na @ 12.92 V				17 V	100 ohmios
1N4112ur	3.7950	RFQ	6126	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	1N4112		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma	50 na @ 13.67 V				18 V	100 ohmios
1N4113ur	3.7950	RFQ	6884	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	1N4113		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma	50 na @ 14.44 V				19 V	150 ohmios
1N4114ur	3.7950	RFQ	5457	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	1N4114		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma	10 na @ 15.2 V				20 V	150 ohmios
1N4115ur	3.7950	RFQ	1085	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	1N4115		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma	10 na @ 16.72 V				22 V	150 ohmios
1N4124ur	3.7950	RFQ	7720	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	1N4124		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma	10 na @ 32.65 V				43 V	250 ohmios
1N4128ur	3.7950	RFQ	1460	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	1N4128		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma	10 na @ 45.6 V				60 V	400 ohmios
1N4131ur	3.7950	RFQ	2822	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	1N4131		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma	10 na @ 57 V				75 V	700 ohmios
1N4153ur-1	1.5400	RFQ	543	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	DO-213AA	1N4153	Estándar		DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0070	1	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad	50 V		50 na @ 50 V	-65 ° C ~ 175 ° C	150 Ma	2pf @ 0V, 1 MHz
1N4549RB	53.5800	RFQ	1636	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	1N4549		500 MW	Do-5	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A	150 µA @ 500 MV				3.9 V	0.16 ohmios
1N4551RB	53.5800	RFQ	5986	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	1N4551		500 MW	Do-5	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A	100 µA @ 1 V				4.7 V	0.12 ohmios
1N4552RB	53.5800	RFQ	4926	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	1N4552		500 MW	Do-5	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A	20 µA @ 1 V				5.1 V	0.12 ohmios
1N4553RB	53.5800	RFQ	7282	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	1N4553		500 MW	Do-5	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A	20 µA @ 1 V				5.6 V	0.12 ohmios
1N4554B	-	RFQ	1751	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Descontinuado en sic	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	1N4554		500 MW	Do-5	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A	20 µA @ 2 V				6.2 V	0.14 ohmios
1N4555B	53.5800	RFQ	2510	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	1N4555		500 MW	Do-5	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A	10 µA @ 2 V				6.8 V	0.16 ohmios
1N4556B	53.5800	RFQ	9081	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	1N4556		500 MW	Do-5	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A	10 µA @ 3 V				7.5 V	0.24 ohmios