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Productos de semiconductoros discretos (41164)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
1N5746C	3.7200	RFQ	4667	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N5746		500 MW	Do-35	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			900 MV @ 10 Ma		100 na @ 19 V				27 V	80 ohmios
1N5748C	3.7200	RFQ	1282	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N5748		500 MW	Do-35	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			900 MV @ 10 Ma		100 na @ 23 V				33 V	90 ohmios
1N5749D	4.6800	RFQ	7692	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N5749		500 MW	Do-35	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			900 MV @ 10 Ma		100 na @ 25 V				36 V	90 ohmios
1N5750B	1.8600	RFQ	7018	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N5750		500 MW	Do-35	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			900 MV @ 10 Ma		100 na @ 27 V				39 V	130 ohmios
1N4896	24.1650	RFQ	3863	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-25 ° C ~ 100 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AA, do-7, axial	1N4896		400 MW	Do-7	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1									12.8 V	400 ohmios
1N4897A	49.4550	RFQ	4998	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 100 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AA, do-7, axial	1N4897		400 MW	Do-7	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1									12.8 V	400 ohmios
1N4906A	92.1150	RFQ	8898	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 100 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AA, do-7, axial	1N4906		400 MW	Do-7	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1									12.8 V	100 ohmios
1N4909A	54.5550	RFQ	4818	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 100 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AA, do-7, axial	1N4909		400 MW	Do-7	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1									12.8 V	50 ohmios
1N4910	90.7200	RFQ	6176	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-25 ° C ~ 100 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AA, do-7, axial	1N4910		400 MW	Do-7	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1									12.8 V	50 ohmios
1N4913A	53.1600	RFQ	5920	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 100 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AA, do-7, axial	1N4913		400 MW	Do-7	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1									12.8 V	25 ohmios
1N4914	91.9500	RFQ	9869	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-25 ° C ~ 100 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AA, do-7, axial	1N4914		400 MW	Do-7	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1									12.8 V	25 ohmios
1N4918A	91.6200	RFQ	5722	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 100 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N4918		500 MW	Do-35	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1									19.2 V	600 ohmios
1N4920A	71.7900	RFQ	2642	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 100 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N4920		500 MW	Do-35	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1									19.2 V	300 ohmios
1N4923A	43.4700	RFQ	7110	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 100 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N4923		500 MW	Do-35	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1									19.2 V	150 ohmios
1N4924	79.9200	RFQ	4162	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-25 ° C ~ 100 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N4924		500 MW	Do-35	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1									19.2 V	150 ohmios
1N4931	63.9600	RFQ	2099	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-25 ° C ~ 100 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N4931		500 MW	Do-35	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1									19.2 V	36 ohmios
1N4932A	91.9350	RFQ	7170	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 100 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N4932		500 MW	Do-35	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1									19.2 V	36 ohmios
1N4959	6.6150	RFQ	4513	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	E, axial	1N4959		5 W		descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		10 µA @ 8.4 V				11 V	2.5 ohmios
1N4961	8.7300	RFQ	1224	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	E, axial	1N4961		5 W		descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2266-1N4961	EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		10 µA @ 9.9 V				13 V	3 ohmios
1N4964US	9.1950	RFQ	6867	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	SQ-Melf, E	1N4964		5 W	D-5B	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		5 µA @ 13.7 V				18 V	4 ohmios
1N4965US	9.1950	RFQ	6741	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	SQ-Melf, E	1N4965		5 W	D-5B	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		2 µA @ 15.2 V				20 V	4.5 ohmios
1N4966	6.4900	RFQ	4411	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Descontinuado en sic	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	E, axial	1N4966		5 W		descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2266-1N4966	EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		2 µA @ 16.7 V				22 V	5 ohmios
1N4968US	9.1950	RFQ	5877	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	SQ-Melf, E	1N4968		5 W	D-5B	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		2 µA @ 20.6 V				27 V	6 ohmios
1N4969	6.9800	RFQ	137	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	E, axial	1N4969		5 W		descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		2 µA @ 22.8 V				30 V	8 ohmios
1N4971	6.9800	RFQ	7926	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	E, axial	1N4971		5 W		descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		2 µA @ 27.4 V				36 V	11 ohmios
1N4974	6.9150	RFQ	3360	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	E, axial	1N4974		5 W		descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		2 µA @ 35.8 V				47 V	25 ohmios
1N4974US	9.1950	RFQ	1251	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	SQ-Melf, E	1N4974		5 W	D-5B	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		2 µA @ 35.8 V				47 V	25 ohmios
1N4978US	-	RFQ	8181	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Descontinuado en sic	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	SQ-Melf, E	1N4978		5 W	D-5B	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		2 µA @ 51.7 V				68 V	50 ohmios
1N4981	-	RFQ	7350	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Descontinuado en sic	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	E, axial	1N4981		5 W		descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		2 µA @ 69.2 V				91 V	90 ohmios
1N5187	8.1000	RFQ	1526	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	B, axial	1N5187	Estándar		B, axial	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	200 V	1.5 v @ 9 a	200 ns	2 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	-