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Productos de semiconductoros discretos (41164)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Actual: Fuga Inversa @ VR	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
1N3308RA	49.3800	RFQ	8652	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	1N3308	50 W	Do-5	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 10 A	25 µA @ 6.1 V	9.1 V	0.5 ohmios
1N3311A	49.3800	RFQ	9750	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	1N3311	50 W	Do-5	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 10 A	10 µA @ 9.1 V	12 V	1 ohmios
1N3311RA	49.3800	RFQ	2490	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	1N3311	50 W	Do-5	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 10 A	10 µA @ 9.1 V	12 V	1 ohmios
1N3312RA	49.3800	RFQ	6458	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	1N3312	50 W	Do-5	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 10 A	10 µA @ 9.9 V	13 V	1.1 ohmios
1N3313A	49.3800	RFQ	9948	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	1N3313	50 W	Do-5	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 10 A	10 µA @ 11.4 V	14 V	1.2 ohmios
1N3313RB	49.3800	RFQ	1164	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	1N3313	50 W	Do-5	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 10 A	10 µA @ 11.4 V	14 V	1.2 ohmios
1N3314A	49.3800	RFQ	7520	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	1N3314	50 W	Do-5	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 10 A	10 µA @ 11.4 V	15 V	1.4 ohmios
1N3314B	49.3800	RFQ	1255	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	1N3314	50 W	Do-5	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 10 A	10 µA @ 11.4 V	15 V	1.4 ohmios
1N3316B	49.3800	RFQ	3863	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	1N3316	50 W	Do-5	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 10 A	10 µA @ 13 V	17 V	1.8 ohmios
1N3317A	49.3800	RFQ	5630	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	1N3317	50 W	Do-5	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 10 A	10 µA @ 13.7 V	18 V	2 ohmios
1N3317B	49.3800	RFQ	1806	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	1N3317	50 W	Do-5	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 10 A	10 µA @ 13.7 V	18 V	2 ohmios
1N3317RB	49.3800	RFQ	6099	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	1N3317	50 W	Do-5	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 10 A	10 µA @ 13.7 V	18 V	2 ohmios
1N3319A	49.3800	RFQ	7589	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	1N3319	50 W	Do-5	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 10 A	10 µA @ 15.2 V	20 V	2.4 ohmios
1N3319RB	49.3800	RFQ	1303	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	1N3319	50 W	Do-5	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 10 A	10 µA @ 15.2 V	20 V	2.4 ohmios
1N3320B	-	RFQ	3510	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Descontinuado en sic	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	1N3320	50 W	Do-5	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 10 A	10 µA @ 16.7 V	22 V	2.5 ohmios
1N3324B	49.3800	RFQ	8401	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	1N3324	50 W	Do-5	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 10 A	10 µA @ 22.8 V	30 V	3 ohmios
1N3327B	49.3800	RFQ	4779	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	1N3327	50 W	Do-5	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 10 A	10 µA @ 29.7 V	39 V	4 ohmios
1N3328A	49.3800	RFQ	3554	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	1N3328	50 W	Do-5	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 10 A	10 µA @ 32.7 V	43 V	4.5 ohmios
1N3330B	49.3800	RFQ	8815	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	1N3330	50 W	Do-5	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 10 A	10 µA @ 35.8 V	47 V	5 ohmios
1N3330RB	49.3800	RFQ	8184	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	1N3330	50 W	Do-5	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 10 A	10 µA @ 35.8 V	47 V	5 ohmios
1N3331A	49.3800	RFQ	4880	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	1N3331	50 W	Do-5	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 10 A	10 µA @ 38.8 V	50 V	5 ohmios
1N3332A	49.3800	RFQ	6907	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	1N3332	50 W	Do-5	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 10 A	10 µA @ 38.8 V	51 V	5.2 ohmios
1N3332B	49.3800	RFQ	1965	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	1N3332	50 W	Do-5	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 10 A	10 µA @ 38.8 V	51 V	5.2 ohmios
1N333333RB	49.3800	RFQ	1859	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	1N3333	50 W	Do-5	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 10 A	10 µA @ 42.6 V	52 V	5.5 ohmios
1N3334RB	49.3800	RFQ	7176	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	1N3334	50 W	Do-5	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 10 A	10 µA @ 42.6 V	56 V	6 ohmios
1N3335A	49.3800	RFQ	7141	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	1N3335	50 W	Do-5	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 10 A	10 µA @ 47.1 V	62 V	7 ohmios
1N3335B	49.3800	RFQ	9346	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	1N3335	50 W	Do-5	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 10 A	10 µA @ 47.1 V	62 V	7 ohmios
1N3336B	49.3800	RFQ	4293	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	1N3336	50 W	Do-5	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 10 A	10 µA @ 51.7 V	68 V	8 ohmios
1N3337B	49.3800	RFQ	2863	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	1N3337	50 W	Do-5	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 10 A	10 µA @ 56 V	75 V	9 ohmios
1N3337RB	49.3800	RFQ	4209	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	1N3337	50 W	Do-5	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 10 A	10 µA @ 56 V	75 V	9 ohmios

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Productos de semiconductoros discretos (41164)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²