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Productos de semiconductoros discretos (41164)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Actual: Fuga Inversa @ VR	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
1N3320B	-	RFQ	3510	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Descontinuado en sic	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	1N3320	50 W	Do-5	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 10 A	10 µA @ 16.7 V	22 V	2.5 ohmios
1N3324B	49.3800	RFQ	8401	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	1N3324	50 W	Do-5	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 10 A	10 µA @ 22.8 V	30 V	3 ohmios
1N3327B	49.3800	RFQ	4779	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	1N3327	50 W	Do-5	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 10 A	10 µA @ 29.7 V	39 V	4 ohmios
1N3328A	49.3800	RFQ	3554	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	1N3328	50 W	Do-5	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 10 A	10 µA @ 32.7 V	43 V	4.5 ohmios
1N3330B	49.3800	RFQ	8815	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	1N3330	50 W	Do-5	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 10 A	10 µA @ 35.8 V	47 V	5 ohmios
1N3330RB	49.3800	RFQ	8184	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	1N3330	50 W	Do-5	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 10 A	10 µA @ 35.8 V	47 V	5 ohmios
1N3331A	49.3800	RFQ	4880	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	1N3331	50 W	Do-5	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 10 A	10 µA @ 38.8 V	50 V	5 ohmios
1N3332A	49.3800	RFQ	6907	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	1N3332	50 W	Do-5	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 10 A	10 µA @ 38.8 V	51 V	5.2 ohmios
1N3332B	49.3800	RFQ	1965	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	1N3332	50 W	Do-5	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 10 A	10 µA @ 38.8 V	51 V	5.2 ohmios
1N333333RB	49.3800	RFQ	1859	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	1N3333	50 W	Do-5	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 10 A	10 µA @ 42.6 V	52 V	5.5 ohmios
1N3334RB	49.3800	RFQ	7176	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	1N3334	50 W	Do-5	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 10 A	10 µA @ 42.6 V	56 V	6 ohmios
1N3335A	49.3800	RFQ	7141	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	1N3335	50 W	Do-5	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 10 A	10 µA @ 47.1 V	62 V	7 ohmios
1N3335B	49.3800	RFQ	9346	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	1N3335	50 W	Do-5	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 10 A	10 µA @ 47.1 V	62 V	7 ohmios
1N3336B	49.3800	RFQ	4293	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	1N3336	50 W	Do-5	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 10 A	10 µA @ 51.7 V	68 V	8 ohmios
1N3337B	49.3800	RFQ	2863	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	1N3337	50 W	Do-5	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 10 A	10 µA @ 56 V	75 V	9 ohmios
1N3337RB	49.3800	RFQ	4209	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	1N3337	50 W	Do-5	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 10 A	10 µA @ 56 V	75 V	9 ohmios
1N3339A	49.3800	RFQ	9871	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	1N3339	50 W	Do-5	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 10 A	10 µA @ 69.2 V	91 V	15 ohmios
1N3342B	49.3800	RFQ	8203	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	1N3342	50 W	Do-5	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 10 A	10 µA @ 83 V	110 V	30 ohmios
1N3343A	49.3800	RFQ	6879	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	1N3343	50 W	Do-5	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 10 A	10 µA @ 91.2 V	120 V	40 ohmios
1N3345B	49.3800	RFQ	1353	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	1N3345	50 W	Do-5	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 10 A	10 µA @ 114 V	140 V	60 ohmios
1N2820B	94.8900	RFQ	9657	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	A-204AD	1N2820	50 W	TO-204AD (TO-3)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 10 A	10 µA @ 18.2 V	24 V	2.6 ohmios
1N2822B	94.8900	RFQ	1775	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	A-204AD	1N2822	50 W	TO-204AD (TO-3)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 10 A	10 µA @ 20.6 V	27 V	2.8 ohmios
1N2823A	94.8900	RFQ	4211	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	A-204AD	1N2823	50 W	TO-204AD (TO-3)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 10 A	10 µA @ 22.8 V	30 V	3 ohmios
1N2825RB	96.0150	RFQ	7302	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	A-204AD	1N2825	50 W	TO-204AD (TO-3)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 10 A	10 µA @ 27.4 V	36 V	3.5 ohmios
1N2826B	94.8900	RFQ	8923	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	A-204AD	1N2826	50 W	TO-204AD (TO-3)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 10 A	10 µA @ 29.7 V	39 V	4 ohmios
1N2828RB	96.0150	RFQ	5021	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	A-204AD	1N2828	50 W	TO-204AD (TO-3)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 10 A	10 µA @ 34.2 V	45 V	4.5 ohmios
1N2829RB	96.0150	RFQ	8778	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	A-204AD	1N2829	50 W	TO-204AD (TO-3)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 10 A	10 µA @ 35.8 V	47 V	5 ohmios
1N2830B	94.8900	RFQ	1101	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	A-204AD	1N2830	50 W	TO-204AD (TO-3)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 10 A	10 µA @ 38 V	50 V	5 ohmios
1N2832A	94.8900	RFQ	4811	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	A-204AD	1N2832	50 W	TO-204AD (TO-3)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 10 A	10 µA @ 42.6 V	56 V	6 ohmios
1N2833RB	96.0150	RFQ	3856	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	A-204AD	1N2833	50 W	TO-204AD (TO-3)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 10 A	10 µA @ 47.1 V	62 V	7 ohmios

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Productos de semiconductoros discretos (41164)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²