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Productos de semiconductoros discretos (41164)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Aporte | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Termistor NTC | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Jan1N4970 | 5.8950 |  | 8685 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | E, axial | 1N4970 | 5 W | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 25.1 V | 33 V | 10 ohmios | ||||||||||||||||||||
 | Jan1n4977us | 9.2100 | | 9441 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | SQ-Melf, E | 1N4977 | 5 W | D-5B | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 47.1 V | 62 V | 42 ohmios | |||||||||||||||||||
| Jan1n4982 | 8.7300 | | 2788 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | E, axial | 1N4982 | 5 W | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 76 V | 100 V | 110 ohmios | ||||||||||||||||||||
| Jan1n4982us | - | | 7900 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Descontinuado en sic | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | SQ-Melf, E | 5 W | D-5B | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 76 V | 100 V | 110 ohmios | ||||||||||||||||||||
| Jan1n4985us | 13.2600 | | 7208 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | SQ-Melf, E | 1N4985 | 5 W | D-5B | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 98.8 V | 130 V | 190 ohmios | |||||||||||||||||||
| Jan1n4986 | 12.5550 | | 3504 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | E, axial | 1N4986 | 5 W | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 114 V | 150 V | 330 ohmios | ||||||||||||||||||||
| Jan1n4989 | 11.5500 | | 8432 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | E, axial | 1N4989 | 5 W | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 152 V | 200 V | 500 ohmios | ||||||||||||||||||||
 | Jan1N5551 | 6.0900 | | 8382 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/420 | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | B, axial | 1N5551 | Estándar | B, axial | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.2 v @ 9 a | 2 µs | 1 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | |||||||||||||||||
| Jan1N5552 | 5.2000 | | 9487 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/420 | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | B, axial | 1N5552 | Estándar | B, axial | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.2 v @ 9 a | 2 µs | 1 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | |||||||||||||||||
 | Jan1n6074 | 14.4150 | | 6670 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/503 | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | A, axial | 1N6074 | Estándar | A, axial | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 2.04 v @ 9.4 a | 30 ns | 1 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 155 ° C | 3A | - | |||||||||||||||||
 | Apt50df170hj | 35.8300 | | 139 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | Apt50df170 | Estándar | SOT-227 (ISOTOP®) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 2.2 V @ 50 A | 250 µA @ 1700 V | 50 A | Fase única | 1.7 kV | |||||||||||||||||||
 | APTGF50DH120T3G | - | | 7750 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Obsoleto | - | Monte del Chasis | Sp3 | 312 W | Estándar | Sp3 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Puente Asimétrico | Escrutinio | 1200 V | 70 A | 3.7V @ 15V, 50A | 250 µA | Si | 3.45 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||
| APTGF50DSK120T3G | - | | 7598 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Obsoleto | - | Monte del Chasis | Sp3 | 312 W | Estándar | Sp3 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | PÍCARO DE DOBLE DOLAR | Escrutinio | 1200 V | 70 A | 3.7V @ 15V, 50A | 250 µA | Si | 3.45 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||
| Aptgl40h120t1g | 75.1207 | | 3800 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Monte del Chasis | SP1 | Aptgl40 | 220 W | Estándar | SP1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Puente completo | Parada de Campo de Trinchera | 1200 V | 65 A | 2.25V @ 15V, 35A | 250 µA | Si | 1.95 NF @ 25 V | |||||||||||||||
| Aptgl90a120t1g | 72.0600 | | 6424 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | SP1 | Aptgl90 | 385 W | Estándar | SP1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Medio puente | Parada de Campo de Trinchera | 1200 V | 110 A | 2.25V @ 15V, 75a | 250 µA | Si | 4.4 NF @ 25 V | |||||||||||||||
| Aptgl90da120t1g | 53.1400 | | 9378 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Monte del Chasis | SP1 | Aptgl90 | 385 W | Estándar | SP1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Soltero | Parada de Campo de Trinchera | 1200 V | 110 A | 2.25V @ 15V, 75a | 250 µA | Si | 4.4 NF @ 25 V | |||||||||||||||
 | CDLL4371 | 5.9550 | | 9095 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | CDLL4371 | 500 MW | DO-213AB | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 60 µA @ 1 V | 2.7 V | 30 ohmios | |||||||||||||||||||
| CDLL4462 | 11.3550 | | 9131 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | CDLL4462 | 1.5 W | DO-213AB | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 4.5 V | 7.5 V | 2.5 ohmios | |||||||||||||||||||
| CDLL4471 | 11.4600 | | 17 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | CDLL4471 | 1.5 W | DO-213AB | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 Ma | 50 na @ 14.4 V | 18 V | 11 ohmios | |||||||||||||||||||
| CDLL4475 | 11.3550 | | 9980 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | CDLL4475 | 1.5 W | DO-213AB | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 Ma | 50 na @ 21.6 V | 27 V | 18 ohmios | |||||||||||||||||||
| CDLL4476 | 11.3550 | | 7271 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | CDLL4476 | 1.5 W | DO-213AB | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 Ma | 50 na @ 24 V | 30 V | 20 ohmios | |||||||||||||||||||
| CDLL3034 | 15.3000 | | 1510 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 20% | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | CDLL3034 | 1 W | DO-213AB | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 500 na @ 29.7 V | 39 V | 60 ohmios | |||||||||||||||||||
| CDLL3035B | 15.3000 | | 7983 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | CDLL3035 | 1 W | DO-213AB | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 500 na @ 32.7 V | 43 V | 70 ohmios | |||||||||||||||||||
| CDLL3036 | 15.3000 | | 1615 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 20% | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | CDLL3036 | 1 W | DO-213AB | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 500 na @ 35.8 V | 47 V | 80 ohmios | |||||||||||||||||||
| CDLL3036A | 15.3000 | | 9425 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 10% | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | CDLL3036 | 1 W | DO-213AB | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 500 na @ 35.8 V | 47 V | 80 ohmios | |||||||||||||||||||
| CDLL3039 | 15.3000 | | 7369 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 20% | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | CDLL3039 | 1 W | DO-213AB | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 500 na @ 47.1 V | 62 V | 125 ohmios | |||||||||||||||||||
| CDLL3040 | 15.3000 | | 6048 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 20% | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | CDLL3040 | 1 W | DO-213AB | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 500 na @ 51.7 V | 68 V | 150 ohmios | |||||||||||||||||||
| CDLL3828A | 10.1250 | | 8892 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | CDLL3828 | 1 W | DO-213AB | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 3 µA @ 1 V | 6.2 V | 2 ohmios | |||||||||||||||||||
| CDLL4102 | 3.5850 | | 8029 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | CDLL4102 | 500 MW | DO-213AB | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 6.7 V | 8.7 V | 200 ohmios | |||||||||||||||||||
| CDLL4103 | 3.5850 | | 3453 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | CDLL4103 | 500 MW | DO-213AB | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 7 V | 9.1 V | 200 ohmios |
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