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Productos de semiconductoros discretos (41164)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Jantx1n3026b-1/tr | 8.9908 |  | 2966 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N3026B-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 13.7 V | 18 V | 20 ohmios | |||||||||||||||
 | 1N5615E3 | 4.9050 | | 5728 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Axial | Estándar | A, axial | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N5615E3 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.6 v @ 3 a | 150 ns | 500 na @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 45pf @ 12V, 1 MHz | |||||||||||||
 | 1N4740DGE3 | 8.5652 | | 6987 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N4740DGE3 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 7.6 V | 10 V | 7 ohmios | |||||||||||||||
 | Jans1n4104dur-1/tr | 137.5900 | | 1860 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jans1n4104dur-1/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 7.6 V | 10 V | 200 ohmios | |||||||||||||||
 | CDLL5530/TR | 5.9052 | | 7612 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 20% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | 500 MW | DO-213AB | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5530/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 50 na @ 8 V | 10 V | 60 ohmios | |||||||||||||||
| Jantxv1n990bur-1/tr | - | | 7269 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jantxv1n990bur-1/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.3 V @ 200 Ma | 500 na @ 122 V | 160 V | 1.7 ohmios | |||||||||||||||
 | 1N5968U/TR | 60.5815 | | 7172 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, E | 5 W | D-5B | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N5968U/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 5 Ma @ 4.28 V | 5.6 V | 1 ohmios | |||||||||||||||
 | Jans1n4623-1/tr | 55.5200 | | 6480 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jans1n4623-1/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 2 µA @ 2 V | 4.3 V | 1.6 ohmios | |||||||||||||||
 | 1N5993B/TR | 2.0083 | | 4359 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N5993B/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 2 µA @ 2 V | 5.1 V | 50 ohmios | |||||||||||||||
 | 1N4960U/TR | 7.4613 | | 3206 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 5 W | B, SQ-Melf | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N4960U/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 10 µA @ 9.1 V | 12 V | 2.5 ohmios | |||||||||||||||
| Jan1N756D-1/TR | 5.8919 | | 8600 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/127 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Enero1n756d-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 6 V | 8.2 V | 8 ohmios | |||||||||||||||
| CDLL4568AE3/TR | 14.4750 | | 9808 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL4568AE3/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 200 ohmios | |||||||||||||||||
| Jan1N5541D-1/TR | 12.3823 | | 3820 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N5541D-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 19.8 V | 22 V | 100 ohmios | |||||||||||||||
 | CD4574A | 20.5800 | | 8583 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | Morir | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CD4574A | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 V | 100 ohmios | |||||||||||||||||
 | Jantxv1n7052-1/tr | 11.3850 | | 5655 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N7052-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
| CDLL5263/TR | 2.7664 | | 2374 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 20% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | 10 MW | DO-213AB | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5263/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 43 V | 56 V | 150 ohmios | |||||||||||||||
| CD5919B | 3.8437 | | 8756 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CD5919B | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
 | Jantx1n4476/tr | 6.3707 | | 7168 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1.5 W | DO-204Al (DO-41) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N4476/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 50 na @ 24 V | 30 V | 20 ohmios | |||||||||||||||
| Jan1N4619Cur-1/TR | 15.0024 | | 8378 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N4619CUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 400 na @ 1 V | 3 V | 1600 ohmios | |||||||||||||||
 | Jantxv2n5153u3/tr | 92.9138 | | 6626 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/545 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-SMD, sin Plomo | 1.16 W | U3 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jantxv2n5153u3/tr | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 V | 1 MA | 1mera | PNP | 1.5V @ 500mA, 5A | 70 @ 2.5a, 5V | - | |||||||||||||
| Janhca1n4622 | 12.1695 | | 8322 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 500 MW | DO-7 (DO-204AA) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JANHCA1N4622 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 2 V | 3.9 V | 1650 ohmios | |||||||||||||||
 | 1N4624 | 2.3275 | | 2252 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 500 MW | DO-7 (DO-204AA) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N4624 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 µA @ 3 V | 4.7 V | 1550 ohmios | |||||||||||||||
| Jantxv1n3044c-1/tr | 33.8618 | | 8428 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N3044C-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 76 V | 100 V | 350 ohmios | |||||||||||||||
| Jankca1n759a | - | | 8054 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/127 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jankca1n759a | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 9 V | 12 V | 30 ohmios | |||||||||||||||
| CDLL822/TR | 4.4100 | | 3837 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 4.83% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL822/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.2 V | 15 ohmios | ||||||||||||||||
| CDLL825AE3/TR | 6.2250 | | 8950 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 4.84% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-cdll825ae3/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.2 V | 10 ohmios | ||||||||||||||||
| Jantxv1n4103cur-1/tr | 29.5260 | | 1728 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N4103CUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 7 V | 9.1 V | 200 ohmios | |||||||||||||||
 | Jan1n3035dur-1/TR | 36.2558 | | 2174 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N3035DUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 32.7 V | 43 V | 70 ohmios | |||||||||||||||
| CD3031B | 3.6043 | | 6001 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Morir | 1 W | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CD3031B | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 500 na @ 22.8 V | 30 V | 40 ohmios | |||||||||||||||
| Jantx1n3035cur-1/tr | 33.2500 | | 4250 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N3035CUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 32.7 V | 43 V | 70 ohmios |
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