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Productos de semiconductoros discretos (41164)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Aplicacionales | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Voltaje - Ánodo - Cátodo (Vak) (Max) | Corriente del Regulador (Max) | Voltaje - Limitante (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CDLL5919BE3 | 3.6575 |  | 3815 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1.25 W | DO-213AB (Melf, LL41) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5919BE3 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 3 V | 5.6 V | 2 ohmios | |||||||||||||
 | CDLL5276B/TR | 3.4713 | | 3159 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | DO-213AB | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5276B/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 108 V | 150 V | 1500 ohmios | ||||||||||||||
 | 1N4460U/TR | 10.2410 | | 1112 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1.5 W | A, SQ-Melf | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N4460U/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 10 µA @ 3.72 V | 6.2 V | 4 ohmios | |||||||||||||
| Enero1n5620us/tr | 8.4450 | | 6167 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/427 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Sq-melf, un | Estándar | D-5A | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Enero1n5620us/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.3 V @ 3 A | 2 µs | 500 na @ 800 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 1A | - | |||||||||||
 | CDLL4619E3 | 3.0989 | | 2487 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL4619E3 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 800 na @ 1 V | 3 V | 1600 ohmios | |||||||||||||
| Jantx1n649ur-1/tr | - | | 1723 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/240 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-213AA | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N649UR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 1 V @ 400 Ma | 50 na @ 600 V | ||||||||||||||||||
 | CD4684 | 2.3408 | | 8289 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Morir | 500 MW | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CD4684 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 Ma | 7.5 µA @ 1.5 V | 3.3 V | ||||||||||||||
 | Jantx1n3041c-1/tr | 22.7962 | | 2351 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N3041C-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 56 V | 75 V | 175 ohmios | |||||||||||||
 | 1N3154A-1/TR | 6.6300 | | 3144 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N3154 | 500 MW | Do-7 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N3154A-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 2 a | 10 µA @ 5.5 V | 8.8 V | 15 ohmios | ||||||||||||
 | Jantxv1n4116d-1/tr | 25.8153 | | 1460 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jantxv1n4116d-1/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 18.3 V | 24 V | 150 ohmios | |||||||||||||
 | Jans1n4971us/tr | 86.0502 | | 5734 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | SQ-Melf, E | 5 W | D-5B | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jans1n4971us/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 27.4 V | 36 V | 11 ohmios | |||||||||||||
| CDLL4619/TR | 3.0989 | | 6253 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL4619/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 400 na @ 1 V | 3 V | 1600 ohmios | |||||||||||||
 | Jantxv1n3331rb | - | | 5311 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/358 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | 50 W | Do-5 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N3331RB | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 10 µA @ 38.8 V | 50 V | 5 ohmios | |||||||||||||
| Jans1n4979us/tr | 86.0502 | | 9148 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, E | 5 W | D-5B | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jans1n4979us/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 56 V | 75 V | 55 ohmios | |||||||||||||
 | Jantx1n3042b-1/tr | 9.0573 | | 4248 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N3042B-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 62.2 V | 8.2 V | 200 ohmios | |||||||||||||
| 1N6662US/TR | 16.1400 | | 3962 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/587 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Sq-melf, un | Estándar | A, SQ-Melf | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N6662US/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1 V @ 400 Ma | 50 na @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 500mA | - | ||||||||||||
| Jantx1n4130d-1/tr | 15.1886 | | 3357 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N4130D-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 51.7 V | 68 V | 700 ohmios | |||||||||||||
| CDLL5240B/TR | 3.1388 | | 1326 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | 10 MW | DO-213AB | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5240B/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 3 µA @ 8 V | 10 V | 17 ohmios | |||||||||||||
| Jantx1n4106dur-1/tr | 27.5443 | | 7630 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N4106DUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 50 na @ 9.2 V | 12 V | 200 ohmios | |||||||||||||
| 1N6677/TR | 4.5000 | | 1771 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | Schottky | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N6677/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 40 V | 500 MV @ 200 Ma | 5 µA @ 40 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 200 MMA | 50pf @ 0v, 1 MHz | ||||||||||||
| Jantx1n937b-1/tr | - | | 7014 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/1 | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N937B-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µA @ 6 V | 8.55 V | 20 ohmios | ||||||||||||||
| 1N4699UR-1/TR | 4.6816 | | 8615 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N4699ur-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 100 Ma | 50 na @ 9.1 V | 12 V | ||||||||||||||
| Jantxv1n4120dur-1/tr | 32.0663 | | 8693 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jantxv1n4120dur-1/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 22.8 V | 30 V | 200 ohmios | |||||||||||||
| Jan1n4572aur-1/TR | 10.0800 | | 9043 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/452 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Enero1n4572aur-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 V | 100 ohmios | ||||||||||||||
 | 1n6864us/tr | 161.7750 | | 4025 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/620 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | Schottky | B, SQ-Melf | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1n6864us/tr | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 80 V | 700 MV @ 3 A | 150 µA @ 80 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 3A | - | ||||||||||||
| Jantx1n3156ur-1/tr | - | | 3053 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/158 | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C (TA) | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N3156UR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µA @ 5.5 V | 8.4 V | 15 ohmios | ||||||||||||||
| Jans1n5293-1/tr | 100.0200 | | 1151 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 500MW | Do-7 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jans1n5293-1/tr | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 748 µA | 1.15V | ||||||||||||||
| Jantx1n6857-1/tr | - | | 9498 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/444 | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | Schottky | Do-35 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N6857-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 20 V | 350 MV @ 1 MA | 150 na @ 16 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 150 Ma | |||||||||||||
 | 1N957B/TR | 3.1388 | | 9219 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 500 MW | Do-7 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N957B/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 150 µA @ 5.2 V | 6.8 V | 4.5 ohmios | |||||||||||||
| CDLL4135/TR | 3.7240 | | 2371 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | 500 MW | DO-213AB | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL4135/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 50 na @ 76 V | 100 V | 1600 ohmios |
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