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Productos de semiconductoros discretos (41164)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 1N959B/TR | 3.3782 |  | 1787 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 500 MW | DO-7 (DO-204AA) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N959B/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 50 µA @ 6.2 V | 8.2 V | 6.5 ohmios | ||||||||||||||||
 | CDLL4476/TR | 10.2410 | | 7340 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | 1.5 W | DO-213AB | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL4476/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 Ma | 50 na @ 24 V | 30 V | 20 ohmios | ||||||||||||||||
 | Jan2n5794auc/tr | 131.6606 | | 8104 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/495 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-SMD, sin Plomo | 2N5794 | 600MW | 6-SMD | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Enero2N5794AUC/TR | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 40V | 600mA | 10 µA (ICBO) | 2 NPN (dual) | 900mv @ 30 mA, 300 mA | 100 @ 150mA, 10V | - | |||||||||||||
 | Jan1N748C-1/TR | 4.7481 | | 3510 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/127 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N748C-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 2 µA @ 1 V | 3.9 V | 23 ohmios | ||||||||||||||||
 | SBR6030LE3 | 123.0900 | | 5427 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | Schottky | Do-5 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-SBR6030LE3 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 480 MV @ 60 A | 5 Ma @ 30 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 60A | - | |||||||||||||||
| Jantx1n4623c-1/tr | 9.8021 | | 9603 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N4623C-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 2 V | 4.3 V | 1600 ohmios | |||||||||||||||||
 | BZV55C6V8/TR | 2.7664 | | 6111 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 6% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | DO-213AA | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-BZV55C6V8/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 2 µA @ 4 V | 6.8 V | ||||||||||||||||||
| BZV55C39/TR | 2.7664 | | 1722 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | DO-213AA | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-BZV55C39/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 50 na @ 27.3 V | 39 V | ||||||||||||||||||
| 1N4106-1/TR | 2.3408 | | 2412 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N4106-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 50 na @ 9.2 V | 12 V | 200 ohmios | ||||||||||||||||
| Jans1n4124dur-1/tr | 137.5900 | | 9544 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Jans1n4124dur-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 32.7 V | 43 V | 250 ohmios | ||||||||||||||||
| Jan1N4122-1/TR | 3.7772 | | 4582 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Enero1N4122-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 27.4 V | 36 V | 200 ohmios | |||||||||||||||||
 | Jantx2n3635ub/tr | 15.5610 | | 8259 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/357 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-SMD, sin Plomo | 1.5 W | 3-SMD | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX2N3635UB/TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 140 V | 1 A | 10 µA | PNP | 600mv @ 5 mm, 50 Ma | 100 @ 50 mm, 10v | - | ||||||||||||||
| CDLL4714C/TR | 6.0249 | | 9720 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL4714C/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
| Jantxv1n6940utk3/tr | 563.4900 | | 9209 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Thinkey ™ 3 | Schottky | Thinkey ™ 3 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jantxv1n6940utk3/tr | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 15 V | 500 MV @ 150 A | 5 Ma @ 15 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 150a | ||||||||||||||||
 | UES1302Sme3 | 40.3950 | | 2201 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | B, axial | Estándar | B, axial | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Ues1302Sme3 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 925 MV @ 6 A | 30 ns | 5 µA @ 100 V | 175 ° C | 6A | - | ||||||||||||||
| CDLL5258/TR | 2.7132 | | 4571 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 20% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | 10 MW | DO-213AB | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5258/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 27 V | 36 V | 70 ohmios | ||||||||||||||||
| UMX1089-GM2 | 9.5550 | | 7924 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-UMX1089-GM2 | EAR99 | 8541.10.0060 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
 | 1N967A/TR | 2.0083 | | 2241 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 500 MW | Do-7 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N967A/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 13.7 V | 18 V | 21 ohmios | ||||||||||||||||
| Janhca1n4575a | 46.6950 | | 8196 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/452 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JANHCA1N4575A | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 V | 50 ohmios | |||||||||||||||||
 | JANHCC2N6193 | - | | 6465 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/561 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 1 W | TO-205Ad (TO-39) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JANHCC2N6193 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 V | 5 A | 100 µA | PNP | 1.2V @ 500 Ma, 5a | 60 @ 2a, 2v | - | ||||||||||||||
| Jantx1n4956/tr | 6.2909 | | 4977 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | E, axial | 5 W | - | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N4956/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 50 µA @ 6.2 V | 8.2 V | 1.5 ohmios | ||||||||||||||||
 | 1N5621us/TR | 8.5050 | | 2436 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Sq-melf, un | Estándar | D-5A | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N5621US/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.6 v @ 3 a | 300 ns | 500 na @ 800 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 20pf @ 12V, 1 MHz | ||||||||||||||
| Jan1n5415/tr | 6.7800 | | 4275 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/411 | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | B, axial | Estándar | B, axial | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N5415/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1.5 v @ 9 a | 150 ns | 1 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | ||||||||||||||
| Jantx1n5522c-1/tr | 16.3856 | | 2616 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N5522C-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 2 µA @ 2 V | 4.7 V | 22 ohmios | ||||||||||||||||
| Jans1n4620c-1/tr | 116.4206 | | 4491 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jans1n4620c-1/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 3.5 µA @ 1.5 V | 3.3 V | 1.65 ohmios | ||||||||||||||||
| 1N827UR-1/TR | 10.4850 | | 7593 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N827UR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.2 V | 15 ohmios | |||||||||||||||||
 | CD6324 | 2.1014 | | 8166 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | - | Montaje en superficie | Morir | Morir | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CD6324 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||
| 1N6628/TR | 10.7700 | | 4880 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | A, axial | Estándar | A, axial | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N6628/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.35 v @ 2 a | 45 ns | 2 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1.75a | - | ||||||||||||||
| 1N4690UR-1/TR | 4.6816 | | 6852 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N4690UR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 100 Ma | 10 µA @ 4 V | 5.6 V | |||||||||||||||||
 | Jantx1n4614-1/tr | 4.4156 | | 1199 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N4614-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 3.5 µA @ 1 V | 1.8 V | 1200 ohmios |
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