SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE
APTM100A18FTG Microchip Technology Aptm100a18ftg 195.3300
RFQ
ECAD 9603 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Sp4 Aptm100 Mosfet (Óxido de metal) 780W Sp4 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 2 Canales N (Medio Puente) 1000V (1kV) 43a 210mohm @ 21.5a, 10v 5V @ 5MA 372NC @ 10V 10400pf @ 25V -
APTM100DAM90G Microchip Technology Aptm100dam90g 230.0917
RFQ
ECAD 9653 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Sp6 Aptm100 Mosfet (Óxido de metal) Sp6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 1000 V 78a (TC) 10V 105mohm @ 39a, 10v 5V @ 10mA 744 NC @ 10 V ± 30V 20700 pf @ 25 V - 1250W (TC)
APTM100SK33T1G Microchip Technology APTM100SK33T1G 54.1400
RFQ
ECAD 4824 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis SP1 Aptm100 Mosfet (Óxido de metal) SP1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 1000 V 23a (TC) 10V 396mohm @ 18a, 10v 5V @ 2.5MA 305 NC @ 10 V ± 30V 7868 pf @ 25 V - 390W (TC)
APTM10DAM05TG Microchip Technology Aptm10dam05tg 126.6100
RFQ
ECAD 3900 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Sp4 Aptm10 Mosfet (Óxido de metal) Sp4 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 100 V 278a (TC) 10V 5mohm @ 125a, 10V 4V @ 5MA 700 NC @ 10 V ± 30V 20000 pf @ 25 V - 780W (TC)
APTM120H140FT1G Microchip Technology APTM120H140FT1G 73.6800
RFQ
ECAD 8821 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis SP1 Aptm120 Mosfet (Óxido de metal) 208W SP1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 4 Canales N (Medio Puente) 1200V (1.2kv) 8A 1.68ohm @ 7a, 10v 5V @ 1MA 145nc @ 10V 3812pf @ 25V -
APTM20AM05FG Microchip Technology Aptm20am05fg 279.2300
RFQ
ECAD 6828 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Sp6 Aptm20 Mosfet (Óxido de metal) 1136W Sp6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 2 Canales N (Medio Puente) 200V 317a 5mohm @ 158.5a, 10v 5V @ 10mA 448nc @ 10V 27400pf @ 25V -
APTM20AM06SG Microchip Technology Aptm20am06sg 278.5720
RFQ
ECAD 3264 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Sp6 Aptm20 Mosfet (Óxido de metal) 1250W Sp6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 2 Canales N (Medio Puente) 200V 300A 7.2mohm @ 150a, 10v 5V @ 6MA 325nc @ 10V 18500pf @ 25V -
APTM20AM08FTG Microchip Technology Aptm20am08ftg 178.3214
RFQ
ECAD 2593 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Sp4 Aptm20 Mosfet (Óxido de metal) 781W Sp4 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 2 Canales N (Medio Puente) 200V 208A 10mohm @ 104a, 10v 5V @ 5MA 280nc @ 10V 14400pf @ 25V -
APTM20DUM04G Microchip Technology Aptm20dum04g 300.2300
RFQ
ECAD 3564 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Sp6 Aptm20 Mosfet (Óxido de metal) 1250W Sp6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 2 Canal N (Dual) 200V 372a 5mohm @ 186a, 10v 5V @ 10mA 560nc @ 10V 28900pf @ 25V -
APTM20HM08FG Microchip Technology Aptm20hm08fg 347.3625
RFQ
ECAD 6058 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Sp6 Aptm20 Mosfet (Óxido de metal) 781W Sp6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 4 Canales N (Medio Puente) 200V 208A 10mohm @ 104a, 10v 5V @ 5MA 280nc @ 10V 14400pf @ 25V -
APTM50DAM19G Microchip Technology Aptm50dam19g 200.7200
RFQ
ECAD 1400 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Sp6 Aptm50 Mosfet (Óxido de metal) Sp6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 500 V 163A (TC) 10V 22.5mohm @ 81.5a, 10V 5V @ 10mA 492 NC @ 10 V ± 30V 22400 pf @ 25 V - 1136W (TC)
APTM50HM75STG Microchip Technology Aptm50hm75stg 164.9400
RFQ
ECAD 2832 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Sp4 Aptm50 Mosfet (Óxido de metal) 357W Sp4 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 4 Canales N (Medio Puente) 500V 46a 90mohm @ 23a, 10v 5V @ 2.5MA 123NC @ 10V 5600pf @ 25V -
APTM50SKM19G Microchip Technology Aptm50skm19g 200.7200
RFQ
ECAD 9424 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Sp6 Aptm50 Mosfet (Óxido de metal) Sp6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 500 V 163A (TC) 10V 22.5mohm @ 81.5a, 10V 5V @ 10mA 492 NC @ 10 V ± 30V 22400 pf @ 25 V - 1136W (TC)
APTGT25X120T3G Microchip Technology Aptgt25x120t3g 100.0908
RFQ
ECAD 9932 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Sp3 Aptgt25 156 W Estándar Sp3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 Inversor trifásico Parada de Campo de Trinchera 1200 V 40 A 2.1V @ 15V, 25A 250 µA Si 1.8 nf @ 25 V
APTGT300DA170D3G Microchip Technology Aptgt300da170d3g 269.3100
RFQ
ECAD 3890 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo D-3 Aptgt300 1470 W Estándar D3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 Soltero Parada de Campo de Trinchera 1700 V 530 A 2.4V @ 15V, 300A 8 MA No 26 NF @ 25 V
APTGT300SK120G Microchip Technology Aptgt300sk120g 206.7717
RFQ
ECAD 7977 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Sp6 Aptgt300 1380 W Estándar Sp6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 Soltero Parada de Campo de Trinchera 1200 V 420 A 2.1V @ 15V, 300A 500 µA No 21 NF @ 25 V
APTGT300SK170G Microchip Technology Aptgt300sk170g 269.2320
RFQ
ECAD 5107 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Sp6 Aptgt300 1660 W Estándar Sp6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 Soltero Parada de Campo de Trinchera 1700 V 400 A 2.4V @ 15V, 300A 750 µA No 26.5 NF @ 25 V
APTGT300SK60G Microchip Technology Aptgt300sk60g 168.7800
RFQ
ECAD 1805 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte del Chasis Sp6 Aptgt300 1150 W Estándar Sp6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 Soltero Parada de Campo de Trinchera 600 V 430 A 1.8v @ 15V, 300a 350 µA No 24 nf @ 25 V
APL602LG Microchip Technology Apl602lg 58.7804
RFQ
ECAD 8710 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-264-3, TO-264AA APL602 Mosfet (Óxido de metal) To-264 [l] descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 600 V 49a (TC) 12V 125mohm @ 24.5a, 12V 4V @ 2.5MA ± 30V 9000 pf @ 25 V - 730W (TC)
APT65GP60J Microchip Technology Apt65gp60j 36.0500
RFQ
ECAD 3440 0.00000000 Tecnología de Microchip Power MOS 7® Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita Apt65gp60 431 W Estándar ISOTOP® descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 Soltero PT 600 V 130 A 2.7V @ 15V, 65a 1 MA No 7.4 NF @ 25 V
APT65GP60L2DQ2G Microchip Technology APT65GP60L2DQ2G 20.7000
RFQ
ECAD 2283 0.00000000 Tecnología de Microchip Power MOS 7® Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-264-3, TO-264AA Apt65gp60 Estándar 833 W descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 400V, 65a, 5ohm, 15V PT 600 V 198 A 250 A 2.7V @ 15V, 65a 605 µJ (Encendido), 895 µJ (apagado) 210 NC 30ns/90ns
APT75GP120J Microchip Technology APT75GP120J 43.8700
RFQ
ECAD 7825 0.00000000 Tecnología de Microchip Power MOS 7® Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Isotop APT75GP120 543 W Estándar ISOTOP® descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 Soltero PT 1200 V 128 A 3.9V @ 15V, 75a 1 MA No 7.04 NF @ 25 V
APT75GT120JRDQ3 Microchip Technology APT75GT120JRDQ3 46.6100
RFQ
ECAD 6808 0.00000000 Tecnología de Microchip Thunderbolt IGBT® Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita Apt75gt120 480 W Estándar ISOTOP® descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 Soltero Escrutinio 1200 V 97 A 3.7V @ 15V, 75a 200 µA No 5.1 NF @ 25 V
APT8030LVRG Microchip Technology Apt8030lvrg 23.4800
RFQ
ECAD 6618 0.00000000 Tecnología de Microchip Power Mos V® Tubo Activo A Través del Aguetero TO-264-3, TO-264AA Apt8030 Mosfet (Óxido de metal) To-264 [l] descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 800 V 27a (TC) 300mohm @ 500 mA, 10V 4V @ 2.5MA 510 NC @ 10 V 7900 pf @ 25 V -
APT10086BVFRG Microchip Technology Apt10086bvfrg 20.4800
RFQ
ECAD 5331 0.00000000 Tecnología de Microchip Power Mos V® Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 Apt10086 Mosfet (Óxido de metal) To-247 [b] descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 1000 V 13a (TC) 860mohm @ 500 mA, 10V 4V @ 1MA 275 NC @ 10 V 4440 pf @ 25 V -
APT100GN60LDQ4G Microchip Technology Apt100gn60ldq4g 14.9500
RFQ
ECAD 4621 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-264-3, TO-264AA Apt100 Estándar 625 W To-264 [l] descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 400V, 100a, 1ohm, 15V Parada de Campo de Trinchera 600 V 229 A 300 A 1.85V @ 15V, 100A 4.75mj (Encendido), 2.675mj (apagado) 600 NC 31ns/310ns
APT100GT60JR Microchip Technology Apt100gt60jr -
RFQ
ECAD 3381 0.00000000 Tecnología de Microchip Thunderbolt IGBT® Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Isotop Apt100 500 W Estándar ISOTOP® descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 Soltero Escrutinio 600 V 148 A 2.5V @ 15V, 100A 25 µA No 5.15 NF @ 25 V
APT10M19SVRG Microchip Technology Apt10m19svrg 13.2200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Tecnología de Microchip Power Mos V® Tubo Activo Montaje en superficie TO-268-3, D³PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Apt10m19 Mosfet (Óxido de metal) D3 [S] descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 100 V 75A (TC) 19mohm @ 500 mA, 10V 4V @ 1MA 300 NC @ 10 V 6120 pf @ 25 V -
APT13GP120BDQ1G Microchip Technology Apt13gp120bdq1g 6.9600
RFQ
ECAD 4942 0.00000000 Tecnología de Microchip Power MOS 7® Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Apt13gp120 Estándar 250 W To-247 [b] descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 600V, 13a, 5ohm, 15V PT 1200 V 41 A 50 A 3.9V @ 15V, 13a 115 µJ (Encendido), 165 µJ (apaguado) 55 NC 9ns/28ns
APT15DQ120KG Microchip Technology Apt15dq120kg 0.9800
RFQ
ECAD 227 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-2 APT15DQ120 Estándar Un 220 [k] descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1200 V 3.3 V @ 15 A 240 ns 100 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 15A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock