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Productos de semiconductoros discretos (41164)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Aplicacionales | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Voltaje - Ánodo - Cátodo (Vak) (Max) | Corriente del Regulador (Max) | Voltaje - Limitante (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Jan1n3044cur-1/TR | 29.0339 |  | 4370 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N3044CUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 76 V | 100 V | 350 ohmios | |||||||||||||||||||
 | Janhca1n4624 | 12.1695 | | 6710 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 500 MW | DO-7 (DO-204AA) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JANHCA1N4624 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 µA @ 3 V | 4.7 V | 1550 ohmios | |||||||||||||||||||
 | CDLL3029B/TR | 13.7522 | | 6418 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | 1 W | DO-213AB | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL3029B/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 500 na @ 18.2 V | 24 V | 25 ohmios | |||||||||||||||||||
 | 1N821A/TR | 4.0650 | | 1078 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N821A/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.2 V | 10 ohmios | ||||||||||||||||||||
 | Jantxv1n6320us/tr | 19.1254 | | 1688 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 500 MW | B, SQ-Melf | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jantxv1n6320us/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 2 µA @ 5 V | 6.8 V | 3 ohmios | |||||||||||||||||||
 | 1N5994D/TR | 4.7747 | | 3192 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N5994D/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 2 µA @ 3 V | 5.6 V | 25 ohmios | |||||||||||||||||||
| CDLL5262/TR | 2.7132 | | 8894 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 20% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | 10 MW | DO-213AB | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5262/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 39 V | 51 V | 125 ohmios | |||||||||||||||||||
 | Jan1N5542Bur-1/TR | 12.9542 | | 9030 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N5542BUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 21.6 V | 24 V | 100 ohmios | |||||||||||||||||||
 | Jansl2n2369aub/tr | 149.5210 | | 3028 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/317 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C | Montaje en superficie | 3-SMD, sin Plomo | 2369a | 360 MW | UB | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jansl2n2369aub/tr | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 20 V | 400NA | NPN | 450mv @ 10 Ma, 100 Ma | 20 @ 100 maja, 1v | - | |||||||||||||||||
| CDLL4754A/TR | 3.2319 | | 7618 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | DO-213AB | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL4754A/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 100 na @ 29.7 V | 39 V | 60 ohmios | ||||||||||||||||||||
| 1N5295UR-1/TR | 22.0050 | | 3345 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1N5295 | 500MW | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N5295ur-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 902 µA | 1.25V | |||||||||||||||||||
 | 1N4134/TR | 2.3408 | | 3711 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 400 MW | Do-7 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N4134/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 Ma | 10 na @ 69.16 V | 91 V | 1.2 ohmios | |||||||||||||||||||
| Jantx1n748c-1/tr | 5.2668 | | 7727 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/127 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N748C-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 2 µA @ 1 V | 3.9 V | 23 ohmios | |||||||||||||||||||
 | Jantx1n5190/tr | 14.3400 | | 8085 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/424 | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | B, axial | Estándar | B, axial | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N5190/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.5 v @ 9 a | 400 ns | 2 µA @ 600 V | - | 3A | - | |||||||||||||||||
| Jantxv1n746cur-1/tr | 14.8295 | | 8667 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/127 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jantxv1n746cur-1/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 1 V | 3.3 V | 28 ohmios | |||||||||||||||||||
| 1N5314/TR | 18.8100 | | 1957 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N5314 | 500MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N5314/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 5.17MA | 2.9V | |||||||||||||||||||
| Jantxv1n4622d-1/tr | 16.5186 | | 2295 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N4622D-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 2.5 µA @ 2 V | 3.9 V | 1650 ohmios | |||||||||||||||||||
 | CD3821A | 4.3624 | | 4347 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Morir | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CD3821A | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 100 µA @ 1 V | 3.3 V | 10 ohmios | ||||||||||||||||||||
| Jan1n333333b | - | | 3562 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/358 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | 50 W | Do-5 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Enero1n3333b | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 10 µA @ 42.6 V | 52 V | 5.5 ohmios | |||||||||||||||||||
| Jantxv1n3042dur-1/tr | 50.5932 | | 4961 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N3042DUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 62.2 V | 82 V | 200 ohmios | |||||||||||||||||||
 | 1N444448/TR | 1.2236 | | 1279 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | Estándar | Do-35 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N4444/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 75 V | 1 V @ 100 Ma | 4 ns | 25 na @ 20 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 200 MMA | - | |||||||||||||||||
| Jantx1n6342/tr | 11.1587 | | 4401 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | B, axial | 500 MW | B, axial | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N6342/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 43 V | 52.7 V | 100 ohmios | |||||||||||||||||||
| Jantx1n4126-1/tr | 5.7190 | | 3291 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N4126-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 38.8 V | 51 V | 300 ohmios | |||||||||||||||||||
| CD5296 | 19.2450 | | 7829 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C | - | Montaje en superficie | CD529 | - | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CD5296 | EAR99 | 8541.10.0040 | 1 | 100V | 1.001MA | 1.29V | |||||||||||||||||||||
| Jan1N5520CUR-1/TR | 32.9574 | | 9196 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N5520CUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 1 V | 3.9 V | 22 ohmios | |||||||||||||||||||
| 1N4148UR-1E3/TR | 1.5162 | | 7943 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-213AA | 1N4148 | Estándar | DO-213AA | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N4148UR-1E3/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 75 V | 1.2 V @ 100 Ma | 20 ns | 500 na @ 75 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 200 MMA | 4PF @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||||
| CD5306 | 19.2450 | | 1443 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C | - | Montaje en superficie | CD530 | - | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CD5306 | EAR99 | 8541.10.0040 | 1 | 100V | 2.42MA | 1.95V | |||||||||||||||||||||
| Jantx1n5811us/tr | 8.8200 | | 8211 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/477 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | Estándar | B, SQ-Melf | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Jantx1n5811us/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 875 MV @ 4 A | 30 ns | 5 µA @ 150 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | 60pf @ 10V, 1 MHz | |||||||||||||||||
| Jankca1n4574a | - | | 1148 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/452 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Jankca1n4574a | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 V | 100 ohmios | ||||||||||||||||||||
| 1N5227Be3/TR | 2.5669 | | 4330 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TA) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N5227BE3/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 Ma | 15 µA @ 1 V | 3.6 V | 24 ohmios |
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