Vishay SI4946Bey-T1-GE3+Nacido
ElVishay SI4946Bey-T1-GE3es un MOSFET dual de canal N clasificado a 60 V (DS) con una temperatura de unión máxima de 175 y deg; C, lo que permite una operación confiable en entornos de alta temperatura. Se prueba el 100% de RG, asegurando una calidad y rendimiento consistentes. El dispositivo se adhiere a los estándares IEC 61249-2-21 libres de halógenos y las directivas ROHS 2002/95/CE, lo que lo hace ecológico. Su paquete SO -8 ofrece excelentes propiedades eléctricas y mecánicas, lo que permite una fácil instalación de superficie: montaje en placas de circuito densos. Este MOSFET encuentra amplias aplicaciones. En la electrónica automotriz, alimenta a los convertidores DC-DC y controla la iluminación LED. En entornos industriales, impulsa motores y administra la energía en los sistemas de automatización. Para la electrónica de consumo, reduce las pérdidas de energía en los cargadores de dispositivos móviles y mejora la eficiencia de la batería, lo que demuestra ser una solución de semiconductores versátil y confiable.
Características de Vishay Si4946Bey-T1-Ge3
ElVishay SI4946Bey-T1-GE3es un doble canal N 60V (DS) 175 & DEG; C MOSFET con las siguientes características notables:
Características de protección del medio ambiente:Cumple con el estándar libre de halógenos definido por IEC 61249-2-21, y al mismo tiempo, cumple con los requisitos de la Directiva ROHS 2002/95/CE. Es libre de plomo y sin halógenos, lo que demuestra un excelente rendimiento en la protección del medio ambiente. Es adecuado para escenarios de aplicación con restricciones estrictas en sustancias peligrosas, lo que ayuda a reducir la contaminación ambiental causada por los desechos electrónicos.
Alta temperatura de funcionamiento:La temperatura máxima de unión puede alcanzar 175 y grados; C, poseer un excelente rendimiento de resistencia a alta temperatura. Esto permite que el dispositivo funcione de manera estable en entornos de alta temperatura y es adecuado para campos con requisitos de temperatura estrictos como el control automotriz e industrial, ampliando su alcance de aplicación.
Pruebas integrales:Se somete al 100% de pruebas de RG para garantizar la consistencia y confiabilidad de la calidad y el rendimiento del producto. Los productos que se han sometido a pruebas estrictas pueden cumplir mejor los requisitos de diseño en uso práctico, reducir el riesgo de falla y mejorar la estabilidad del sistema.
Formulario de embalaje:Adopta el formulario de embalaje SO SO. Este formulario de embalaje tiene buenas propiedades eléctricas y mecánicas, con un diseño de pin razonable, lo que lo hace conveniente para la instalación y la soldadura. Es adecuado para el montaje de la superficie en placas de circuito de alta densidad, lo que ayuda a reducir el volumen del producto y mejorar el nivel de integración.
Características de protección del medio ambiente:Cumple con el estándar libre de halógenos definido por IEC 61249-2-21, y al mismo tiempo, cumple con los requisitos de la Directiva ROHS 2002/95/CE. Es libre de plomo y sin halógenos, lo que demuestra un excelente rendimiento en la protección del medio ambiente. Es adecuado para escenarios de aplicación con restricciones estrictas en sustancias peligrosas, lo que ayuda a reducir la contaminación ambiental causada por los desechos electrónicos.
Alta temperatura de funcionamiento:La temperatura máxima de unión puede alcanzar 175 y grados; C, poseer un excelente rendimiento de resistencia a alta temperatura. Esto permite que el dispositivo funcione de manera estable en entornos de alta temperatura y es adecuado para campos con requisitos de temperatura estrictos como el control automotriz e industrial, ampliando su alcance de aplicación.
Pruebas integrales:Se somete al 100% de pruebas de RG para garantizar la consistencia y confiabilidad de la calidad y el rendimiento del producto. Los productos que se han sometido a pruebas estrictas pueden cumplir mejor los requisitos de diseño en uso práctico, reducir el riesgo de falla y mejorar la estabilidad del sistema.
Formulario de embalaje:Adopta el formulario de embalaje SO SO. Este formulario de embalaje tiene buenas propiedades eléctricas y mecánicas, con un diseño de pin razonable, lo que lo hace conveniente para la instalación y la soldadura. Es adecuado para el montaje de la superficie en placas de circuito de alta densidad, lo que ayuda a reducir el volumen del producto y mejorar el nivel de integración.
Aplicaciones de Vishay SI4946Bey-T1-GE3
El Vishay SI4946Bey-T1-GE3 es un doble canal N 60V (DS) 175 & DEG; C MOSFET. Gracias a sus propias características, tiene una amplia gama de aplicaciones en numerosos campos:
Campo de electrónica automotriz:Debido a su alta temperatura de unión máxima de 175 y grados; C, puede adaptarse a entornos de alta temperatura, como el compartimento del motor automotriz. Se puede utilizar en el sistema de gestión de energía de los vehículos. Por ejemplo, puede convertir el voltaje de la batería en un voltaje estable requerido por diferentes dispositivos electrónicos. Como elemento de conmutación en el convertidor DC-DC, puede controlar eficientemente el encendido de la corriente para garantizar el funcionamiento estable de los dispositivos electrónicos automotrices. En el sistema de iluminación automotriz, especialmente en el circuito de transmisión del faro LED, al utilizar sus características de conmutación rápida, puede lograr un control preciso de la corriente LED, ajustar el brillo y reducir el consumo de energía.
Campo de control industrial:En el aspecto de la unidad de motor industrial, puede servir como un tubo de interruptor de alimentación. Con un voltaje de fuente de drenaje de 60V y una corriente de drenaje continuo relativamente alta (con valores nominal correspondientes a diferentes temperaturas), puede proporcionar una corriente de accionamiento estable para motores pequeños y medianos y controlar la velocidad de arranque, parada y rotación de los motores. En el circuito de potencia de los equipos de automatización de fábrica, puede realizar la conversión de voltaje y la regulación de energía para garantizar el funcionamiento estable del equipo. Sus características libres de halógenos y que cumplen con el ROHS también cumplen con los requisitos de protección del medio ambiente de la industria.
Campo de electrónica de consumo:En los módulos de administración de energía de dispositivos móviles, como computadoras portátiles y tabletas, al aprovechar su baja resistencia (con valores de resistencia específicos a diferentes voltajes de fuente de puerta), puede reducir la pérdida de energía durante el proceso de conversión de energía y mejorar la duración de la batería. En algunos cargadores pequeños, como dispositivo de conmutación, puede lograr una conversión de voltaje eficiente, convirtiendo la corriente alterna en corriente continua adecuada para cargar el dispositivo. Su formulario de embalaje SO SO también facilita el diseño en una placa de circuito compacto.
Campo de electrónica automotriz:Debido a su alta temperatura de unión máxima de 175 y grados; C, puede adaptarse a entornos de alta temperatura, como el compartimento del motor automotriz. Se puede utilizar en el sistema de gestión de energía de los vehículos. Por ejemplo, puede convertir el voltaje de la batería en un voltaje estable requerido por diferentes dispositivos electrónicos. Como elemento de conmutación en el convertidor DC-DC, puede controlar eficientemente el encendido de la corriente para garantizar el funcionamiento estable de los dispositivos electrónicos automotrices. En el sistema de iluminación automotriz, especialmente en el circuito de transmisión del faro LED, al utilizar sus características de conmutación rápida, puede lograr un control preciso de la corriente LED, ajustar el brillo y reducir el consumo de energía.
Campo de control industrial:En el aspecto de la unidad de motor industrial, puede servir como un tubo de interruptor de alimentación. Con un voltaje de fuente de drenaje de 60V y una corriente de drenaje continuo relativamente alta (con valores nominal correspondientes a diferentes temperaturas), puede proporcionar una corriente de accionamiento estable para motores pequeños y medianos y controlar la velocidad de arranque, parada y rotación de los motores. En el circuito de potencia de los equipos de automatización de fábrica, puede realizar la conversión de voltaje y la regulación de energía para garantizar el funcionamiento estable del equipo. Sus características libres de halógenos y que cumplen con el ROHS también cumplen con los requisitos de protección del medio ambiente de la industria.
Campo de electrónica de consumo:En los módulos de administración de energía de dispositivos móviles, como computadoras portátiles y tabletas, al aprovechar su baja resistencia (con valores de resistencia específicos a diferentes voltajes de fuente de puerta), puede reducir la pérdida de energía durante el proceso de conversión de energía y mejorar la duración de la batería. En algunos cargadores pequeños, como dispositivo de conmutación, puede lograr una conversión de voltaje eficiente, convirtiendo la corriente alterna en corriente continua adecuada para cargar el dispositivo. Su formulario de embalaje SO SO también facilita el diseño en una placa de circuito compacto.
Atributos de Vishay Si4946bey-T1-Ge3
| Categoría de productos | Mosfet | ROHS | Detalles |
| ALCANZAR | Detalles | Tecnología | Si |
| Estilo de montaje | SMD/SMT | Paquete / estuche | Soic-8 |
| Polaridad del transistor | N-canal | Número de canales | 2 canales |
| VDS - Voltaje de desglose de fuente de drenaje | 60 V | ID - corriente de drenaje continuo | 6.5 A |
| RDS ON - Resistencia a la fuente de drenaje | 41 Mohms | VGS - Voltaje de fuente de puerta | - 20 V, + 20 V |
| VGS TH - Voltaje de umbral de fuente de puerta | 1 V | QG - carga de puerta | 17 NC |
| Temperatura de funcionamiento mínimo | - 55 C | Temperatura máxima de funcionamiento | + 175 C |
| PD - Disipación de potencia | 3.7 W | Modo de canal | Realce |
| Nombre de comercio | Trenchfet | Serie | Si4 |
| Marca | Vishay semiconductores | Configuración | Dual |
| Tiempo de caída | 10 ns | Transconductancia hacia adelante - min | 24 s |
| Tipo de producto | Mosfet | Tiempo de elevación | 12 ns |
| Cantidad de fábrica | 2500 | Subcategoría | Mosfets |
| Tipo de transistor | 2 canal | Tiempo de retraso típico de apagado | 25 ns |
| Tiempo de retraso de encendido típico | 10 ns | Alias de # Parte | Si4946bey-ge3 |
| Peso unitario | 0.026455 oz |
La hoja de datos de Vishay SI4946Bey-T1-Ge3
Las categorías de Vishay SI4946Bey-T1-GE3
Los transistores de efecto de campo-óxido de metal-semiconductor (MOSFET) son componentes cruciales en la electrónica moderna, reconocidos por su alta impedancia de entrada, velocidades de conmutación rápida y bajo consumo de energía. Estas características los hacen ideales para una amplia gama de aplicaciones, desde sistemas de gestión de energía hasta circuitos de conmutación de alta frecuencia. Los MOSFET funcionan controlando el flujo de corriente entre la fuente y los terminales de drenaje a través de un campo eléctrico aplicado al terminal de la puerta. Esta operación controlada por voltaje permite una regulación precisa de la potencia, lo que permite la conversión y gestión eficientes de energía. Su capacidad de encender y apagar rápidamente reduce las pérdidas de energía, lo que mejora la eficiencia general de los dispositivos electrónicos. En varias industrias, los Mosfets juegan papeles indispensables. En el sector automotriz, se utilizan en unidades de control del motor y sistemas de iluminación; En Consumer Electronics, optimizan la duración de la batería en teléfonos inteligentes y computadoras portátiles; Y en aplicaciones industriales, impulsan motores y administran la distribución de energía.
Entre los muchos Mosfets disponibles,El Vishay Si4946Bey-T1-Ge3se destaca. Como un doble canal N 60V (DS) 175 & DEG; C MOSFET, combina tolerancia a alta temperatura, amistad ambiental y confiabilidad. Su prueba de 100% RG garantiza un rendimiento consistente, mientras que el paquete SO-8 facilita la integración fácil. Ya sea en electrónica automotriz, industrial o de consumo, este MOSFET ofrece una solución robusta y eficiente para las necesidades de gestión de energía.
Entre los muchos Mosfets disponibles,El Vishay Si4946Bey-T1-Ge3se destaca. Como un doble canal N 60V (DS) 175 & DEG; C MOSFET, combina tolerancia a alta temperatura, amistad ambiental y confiabilidad. Su prueba de 100% RG garantiza un rendimiento consistente, mientras que el paquete SO-8 facilita la integración fácil. Ya sea en electrónica automotriz, industrial o de consumo, este MOSFET ofrece una solución robusta y eficiente para las necesidades de gestión de energía.
SI4946BEY-T1-GE3 Fabricante-Vishay
Vishay ha logrado un éxito notable en el campo de MOSFET. Como fabricante de componentes electrónicos de renombre mundial, ha desarrollado una amplia gama de productos a través de su profunda acumulación tecnológica e inversión continua de innovación. Sus productos MOSFET cubren un amplio espectro, que va desde bajo voltaje hasta alto voltaje, y de tipos estándar a aquellos para aplicaciones especiales, satisfacen las necesidades de varias industrias. Vishay se destaca prominentemente en la innovación tecnológica. Por ejemplo, ha introducido MOSFET con tecnología de fuente avanzada, que reduce significativamente la resistencia y mejora la densidad de potencia y el rendimiento térmico. Los MOSFET de potencia de la cuarta serie E -Generation han disminuido en gran medida el producto de la resistencia y la carga de la puerta, mejorando la eficiencia de conversión de energía. En términos de tecnología de envasado, Vishay ha desarrollado una variedad de formularios de embalaje avanzados. La serie Powerpak, por ejemplo, puede mejorar efectivamente la disipación de calor, reducir el tamaño del producto y aumentar la integración. En términos de desempeño del mercado, los Mosfets de Vishay tienen la mayor cuota de mercado global de clasificación en el segmento por debajo de 200V. Sus productos se utilizan ampliamente en electrónica automotriz, control industrial, electrónica de consumo, equipos de comunicación y otros campos. En la electrónica automotriz, se aplican a la manejo del motor y la gestión de la batería; En el control industrial, se utilizan para impulsar motores y regular la energía; En Consumer Electronics, optimizan la gestión de energía y extienden la duración de la batería. Además, Vishay se adhiere estrictamente a los estándares de protección del medio ambiente. Sus productos son principales, gratuitos, halógenos, gratis y cumplen con la Directiva ROHS. Con estas ventajas, los MOSFET de Vishay son altamente confiables por los ingenieros electrónicos de todo el mundo y ocupan una posición significativa en el campo MOSFETS.
SI4946Bey-T1-GE3 Piezas alternativas: IRF7478TRPBF
<td da| Ocultar atributos compartidos |  |  |
| Número de parte | Si4946bey-t1-ge3+Nacido | IRF7478TRPBF+Nacido |
| Fabricante: | Vishay Siliconix | Infineon Technologies |
| Descripción: | MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8-SOIC | MOSFET N-CH6 60V 7A 8-SOIC |
| Tiempo de entrega de fábrica: | 14 semanas | 12 semanas |
| Montar: | Montaje en superficie | Montaje en superficie |
| Tipo de montaje: | Montaje en superficie | Montaje en superficie |
| Paquete / Caso: | 8-SOIC (0.154, 3.90 mm de ancho) | 8-SOIC (0.154, 3.90 mm de ancho) |
| Número de alfileres: | 8 | 8 |
| Peso: | 506.605978mg | - |
| Material del elemento del transistor: | SILICIO | - |
| Actual - drenaje continuo (id) @ 25 ℃: | 6.5a | 7A TA |
| Número de elementos: | 2 | - |
| Apague el tiempo de retraso: | 25 ns | 44 ns |
| Temperatura de funcionamiento: | -55 ° C ~ 175 ° C TJ | -55 ° C ~ 150 ° C TJ |
| Embalaje: | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| Serie: | Trenchfet® | Hexfet® |
| Publicado: | 2013 | 2004 |
| Código JESD-609: | E3 | - |
| Estado de la parte: | Activo | No para nuevos diseños |
| Nivel de sensibilidad de humedad (MSL): | 1 (ilimitado) | 1 (ilimitado) |
| Número de terminaciones: | 8 | - |
| Código ECCN: | EAR99 | EAR99 |
| Resistencia: | 41mohm | 26mohm |
| Acabado terminal: | Lata mate | - |
| Disipación de potencia máxima: | 3.7w | - |
| Forma terminal: | Ala de la gaviota | - |
| Temperatura máxima de reflujo (CEL): | 260 | - |
| Tiempo@pico de temperatura de reflujo-max (s): | 30 | - |
| Número de pieza base: | Si4946 | - |
| Recuento de alfileres: | 8 | - |
| Configuración del elemento: | Dual | Soltero |
| Modo de funcionamiento: | Modo de mejora | - |
| Disipación de potencia: | 2.4w | 2.5w |
| Activar el tiempo de retraso: | 10 ns | 7.7 ns |
| Tipo de FET: | 2 canal N (dual) | N-canal |
| Rds on (max) @ id, VGS: | 41m Ω @ 5.3a, 10V | 26m Ω @ 4.2a, 10V |
| VGS (th) (max) @ id: | 3V @ 250μA | 3V @ 250μA |
| Capacitancia de entrada (CISS) (Max) @ VDS: | 840pf @ 30V | 1740pf @ 25V |
| Gate Charge (QG) (Max) @ VGS: | 25nc @ 10V | 31NC @ 4.5V |
| Tiempo de subida: | 12ns | 2.6ns |
| Tiempo de otoño (tipos): | 10 ns | 13 ns |
| Corriente de drenaje continuo (ID): | 5.3a | 4.2a |
| Voltaje umbral: | 2.4V | 3V |
| Etiquetas: Vishay Si4946bey-t1-ge3-dual n-canal MOSFET
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