IXFK94N50P2 IXYS | Fets individuales: una guía completa

Ixys ixfk94n50p2+Nacido

ElIxys ixfk94n50p2es un MOSFET de potencia de modo de mejora del canal N. Cuenta con un diodo intrínseco rápido, clasificación dinámica de DV/DT y clasificación de avalancha. Con un RDS bajo (ON) ≤55MΩ y un QG bajo, reduce las pérdidas de potencia. Su paquete de baja inductancia mejora el rendimiento. Ideal para el Switch - Mode Suministries, los convertidores DC - DC y las unidades de motor, ofrece una alta densidad de potencia y ahorros de espacio.

Características de IXFK94N50P2

Diodo intrínseco rápido

Esta característica permite que el dispositivo responda rápidamente en los circuitos, mejorando la velocidad de conmutación y reduciendo el tiempo de recuperación inversa. Es adecuado para aplicaciones de alta velocidad de conmutación, como fuentes de alimentación de conmutación de alta frecuencia.

Calificación dinámica de DV/DT

Indica la excelente capacidad del dispositivo para resistir los cambios de voltaje, asegurando un funcionamiento estable en entornos con fluctuaciones de voltaje rápidos. Esto evita el mal funcionamiento o el daño causado por los transitorios de voltaje, salvaguardar la confiabilidad del circuito.

Avalancha clasificada

Significa que el dispositivo puede soportar una cierta cantidad de energía en condiciones de descomposición de avalancha, mejorando la confiabilidad en escenarios extremos como la sobrevoltaje y reduciendo el riesgo de daño por la descomposición de la avalancha.

RDS bajo (ON) y QG

• Bajo RDS (encendido)Reduce la pérdida de energía durante la conducción, mejorando la eficiencia del circuito.

• QG bajoMinimiza la energía requerida para conducir el dispositivo, reduciendo el consumo de energía en el circuito del controlador y mejorando la eficiencia energética general del sistema.

Inductancia de paquete bajo

Reduce los picos de voltaje e interferencia electromagnética (EMI) causada por la inductancia, mejorando la estabilidad del circuito y la inmunidad de ruido. Esto contribuye a un mejor rendimiento y confiabilidad del circuito.

Aplicaciones de IXFK94N50P2

Suministros de modo de cambio y modo resonante: En las fuentes de alimentación del modo de interruptor (SMP), su baja resistencia a la resistencia (ON) ≤55MΩ puede reducir las pérdidas de conducción y mejorar la eficiencia de conversión de energía. El diodo intrínseco rápido y la alta calificación DV/DT pueden cumplir con los requisitos de conmutación de alta frecuencia, reducir las pérdidas de conmutación y hacer que la potencia fuera más estable. En las fuentes de alimentación de modo resonante, las características del dispositivo ayudan a lograr una conmutación suave, reduciendo el ruido y las pérdidas de conmutación y mejorando el rendimiento general de la fuente de alimentación.

Convertidores DC-DC: Los convertidores DC-DC a menudo requieren una conversión eficiente de energía eléctrica. Las características de QG de baja carga del dispositivo (ON) y de baja puerta del dispositivo pueden reducir las pérdidas de potencia y mejorar la eficiencia de conversión. La velocidad de conmutación rápida le permite adaptarse a la operación de alta frecuencia, reduciendo el tamaño y el peso de los componentes magnéticos y logrando la miniaturización del convertidor.

Cargadores de batería: Durante el proceso de carga de la batería, se requiere un control preciso de la corriente y el voltaje. Este dispositivo puede funcionar de manera estable bajo alto voltaje y corriente grande. La baja resistencia reduce la pérdida de energía durante el proceso de carga, mejora la eficiencia de carga y acorta el tiempo de carga. La característica de calificación de avalancha mejora la confiabilidad del circuito y protege el dispositivo de los efectos de carga anormales.

Fuentes ininterrumpidas (UPS): Cuando la alimentación de la red falla, el UPS debe cambiar rápidamente a la fuente de alimentación de la batería. La velocidad de conmutación rápida de este MOSFET puede lograr un cambio rápido, asegurando que la carga permanezca alimentada. Las características de alta densidad de potencia y inductancia de paquetes bajos aseguran el funcionamiento estable de los UPS en condiciones de trabajo complejas, proporcionando una fuente de alimentación de respaldo confiable para equipos críticos.

Unidades de motor AC y DC: Al conducir motores de CA y DC, es necesario controlar grandes corrientes y voltajes. Las capacidades de manejo de alta corriente del dispositivo (ID25 = 94A, IDM = 240a) cumplen con los requisitos para el inicio y el funcionamiento del motor. La baja resistencia reduce las pérdidas de accionamiento del motor y mejora la eficiencia del sistema. La calificación de avalancha y las características rápidas de diodos intrínsecos protegen el dispositivo de la fuerza electromotriz posterior del motor.

Aplicaciones de conmutación de encendido de alta velocidad: En los circuitos de potencia que requieren una conmutación rápida, como amplificadores de potencia de alta frecuencia y suministros de pulso, su diodo intrínseco rápido y su alta calificación DV/DT permiten operaciones de conmutación de alta velocidad. La baja carga de puerta reduce el consumo de energía del circuito de accionamiento y mejora el rendimiento general del sistema.

Atributos de IXFK94N50P2

Hoja de datos de IXFK94N50P2

Pinouts de IXFK94N50P2

A - 264 información del pin de paquete

• Pin 1: Es la puerta (abreviada como G), que sirve como terminal de control. Al aplicar diferentes voltajes, controla el estado de activación del MOSFET. Cambiar el voltaje de la puerta puede ajustar la conductividad del canal, controlando así la magnitud de la corriente entre el drenaje y la fuente.
• Pins 2 y 4: Ambos son el drenaje (abreviado como D). En un circuito, el drenaje es el terminal de salida de corriente, conectado a la carga u otros componentes del circuito. Hacerá altos voltajes y corrientes. En aplicaciones como las alimentaciones de conmutación y las unidades de motor, la magnitud de la corriente de drenaje y las variaciones de voltaje afectan el rendimiento del circuito.
• Pin 3: Es la fuente (abreviada como S), que es el terminal de entrada actual. Está conectado al terminal negativo de la fuente de alimentación o la tierra, proporcionando un potencial de referencia para que el circuito garantice el flujo normal de la corriente y realice la función del circuito.

Información de pin de paquete más247

• Pin 1: Es la puerta (abreviada como g), y su función es la misma que la de la puerta en el paquete TO 264, utilizado para controlar el estado de ON -OFF de MOSFET.
• Pin 2: Es el drenaje (abreviado como D). Como terminal de salida de corriente, está conectado a la carga u otras partes del circuito y tiene grandes corrientes y voltajes en el circuito.
• Pin 3: Es la fuente (abreviada como S). Como terminal de entrada de corriente, proporciona un punto de referencia de bajo potencial para que el circuito garantice el flujo estable de corriente y mantenga el funcionamiento normal del circuito.

Ixys ixfk94n50p2Categoría- Fets individuales

Los FET individuales (transistores de efectos de campo) son componentes cruciales en los circuitos electrónicos modernos. Aprovechando sus características de corriente únicas controladas por voltaje, juegan roles irremplazables en varias aplicaciones de circuito. En los circuitos de amplificación de señal, amplifican con precisión las señales eléctricas débiles. En los circuitos de conmutación, permiten una conducción rápida y un corte para controlar el flujo de corriente. Con su alta impedancia de entrada, afectan mínimamente los circuitos anteriores, reduciendo efectivamente la distorsión de la señal y la mejora del rendimiento del circuito.
Los diferentes tipos de FET individuales, como el canal N y el canal P, atienden a diversos requisitos de circuito. Los FET de canales N se usan ampliamente en sistemas de suministro de energía positivos y manejan eficientemente grandes corrientes. ElIxys ixfk94n50p2es un sobresaliente MOSFET de potencia de modo de mejora del canal N. Cuenta con una baja resistencia (RDS (ON)), reduciendo significativamente las pérdidas de conducción y mejorando la eficiencia del circuito. Su diodo intrínseco rápido y su alta calificación DV/DT aseguran un funcionamiento estable en escenarios de conmutación de alta frecuencia. Además, la característica con clasificación de avalanchas mejora la confiabilidad, lo que lo hace sobresalir en aplicaciones tales como alimentación de modo de conmutación y unidades de motor, proporcionando una opción de componentes confiable para numerosos diseños de circuitos.

Fabricante de IXFK94N50P2- IXYS

IXYS ha logrado logros notables en el dominio de un solo FETS. Sus productos, como el IXFK94N50P2 e IXFX94N50P2 N - Modo de mejora del canal MOSFET, son ejemplos principales. Estos dispositivos cuentan con un diodo intrínseco rápido, que permite una conmutación rápida, reduciendo las pérdidas de potencia en aplicaciones de alta frecuencia. Su diseño nominal de avalancha mejora la confiabilidad en condiciones severas, protegiendo los FET de las oleadas de voltaje.
Con un RDS bajo (ON) y QG, los FET individuales de IXYS pueden controlar eficientemente el flujo de corriente, lo que conduce a una mayor densidad de potencia y un rendimiento de ahorro de energía. Estas características las hacen ideales para una amplia gama de aplicaciones, que incluyen Switch - Mode y Resonant - Mode Fower Supplies, DC - Converters y unidades de motor.
Además, IXYS posee numerosas patentes estadounidenses relacionadas con sus MOSFET e IGBTS, lo que indica su fuerte compromiso con la innovación. Al mejorar continuamente el rendimiento del dispositivo y la expansión de los escenarios de aplicación, IXYS se ha establecido firmemente como una fuerza líder en el mercado de FETs.

Comparación de especificaciones: IXFK94N50P2 VS IXFK90N60X VS IXFK90N20

Imagen
Número de parte	Ixfk94n50p2+Nacido	IXFK90N60X+Nacido	IXFK90N20+Nacido
Fabricante	Mochila	Mochila	Ixys Corporation
Paquete	A 264-3	A 264-3	TO264-3
Descripción	N-canal 500 V 94A (TC) 1300W (TC) a través del agujero TO-264AA (IXFK)	MOSFET DISCMSFT NCH ULTRJNCTN XCLASS TO-264 (3)	El producto IXFK90N20 es un MOSFET de alto voltaje capaz de manejar 90 amperios
Existencias	2432	2466	8979
Voltaje de fuente de drenaje (V)	500	600	200
Máxima en resistencia @ 25 ℃ (ohm)	0.055	0.038	0.02
Corriente de drenaje continuo @ 25 ℃ (a)	94	90	90
Carga de la puerta (NC)	228	210	380
Capacitancia de entrada, CISS (PF)	14200	8500	9000
Resistencia térmica [caso de unión] (k/w)	0.096	0.113	0.25
Configuración	Soltero	Soltero	Soltero
Tipo de paquete	A 264	To-264k	A 264
Disipación de potencia (W)	1300	1100	500
Solicitud de muestra	No	No	Sí
Recuperación inversa máxima (NS)	250		200
Stock de verificación	Etiquetas: Ixfk94n50p2 ixys Anterior:Texas Instruments CD4541Be Timers: una guía completa El Texas Instruments CD4541BE es un Temporizador/oscilador programable versátil diseñado para tiempo preciso y generación de reloj. Admite ambos rc n ... Próximo:¿Qué es el controlador de motor BTS7960?: Una guía completa El Texas Instruments CD4541BE es un Temporizador/oscilador programable versátil diseñado para tiempo preciso y generación de reloj. Admite ambos rc n ... 2000+ Volumen de RFQ promedio diario 30,000,000 Unidad de producto estándar 2800+ Fabricantes mundiales 15,000 m2 Almacén en stock Lista de RFQ (0 elementos) Entregar Lista de carritos (0 elementos) Entregar Lista de deseos (0 elementos) AD9208BBPZ-3000 Almohadilla expuesta de 196-LFBGA Cantidad: 1 Entregar Compare la lista (0 elementos) Entregar Presione Enter para buscar o ESC para cerrar