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Memoria (70500)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Sic programable	Voltaje - Suministro	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	FRECUENCIA DE RELOJ	TUPO Programable	Tipo de Memoria	Tamaña de Memoria	TIempo de Acceso	Formato de Memoria	Organización de la Memoria	Interfaz de Memoria	Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página	Sic programable
NDQ86PFI-7NET	10.6400	RFQ	3602	Insignis Technology Corporation	NDQ86P	Banda	Activo	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Montaje en superficie	96-TFBGA		SDRAM - DDR4		1.14V ~ 1.26V	96-FBGA (7.5x13)	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)		1982-NDQ86PFI-7NET			198	1.333 GHz		Volante	8 gbit	18 ns	Dracma	512m x 16	Vana	15ns
MT29E3T08EUHBBM4-3: B	-	RFQ	2330	Micron Technology Inc.	-	Banda	Obsoleto	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	-	-	MT29E3T08	Flash - nand		2.5V ~ 3.6V	-	-			Alcanzar sin afectado		3A991B1A	8542.32.0071	1.120	333 MHz		No Volátil	3Tbit		Destello	384g x 8	Paralelo	-
71V416S12YGI8	-	RFQ	6853	Renesas Electronics America Inc	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	44-BSOJ (0.400 ", 10.16 mm de ancho)	71v416s	Sram - Asínncrono		3V ~ 3.6V	44-SOJ	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		3A991B2A	8542.32.0041	500			Volante	4mbit	12 ns	Sram	256k x 16	Paralelo	12ns
71v124sa10yg	-	RFQ	5431	Renesas Electronics America Inc	-	Tubo	Obsoleto	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Montaje en superficie	32-BSOJ (0.400 ", 10.16 mm de ancho)	71v124	Sram - Asínncrono		3.15V ~ 3.6V	32-SOJ	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		3A991B2B	8542.32.0041	23			Volante	1 mbit	10 ns	Sram	128k x 8	Paralelo	10ns
S25FL128P0XMFI000	3.2400	RFQ	2	Nexperia USA Inc.	-	Una granela	Obsoleto									-				2156-S25FL128P0XMFI000			93
93AA46BX-I/SN	0.3150	RFQ	4094	Tecnología de Microchip	-	Tubo	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	93AA46	Eeprom		1.8v ~ 5.5V	8-Soico	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	93AA46BX-I/SNDR	EAR99	8542.32.0051	100	2 MHz		No Volátil	1 kbit		Eeprom	64 x 16	Microondas	6 ms
IS49NLS96400-33BLI	-	RFQ	1262	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	-	Banda	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	144-TFBGA	IS49NLS96400	RDRAM 2		1.7V ~ 1.9V	144-FCBGA (11x18.5)	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.32.0032	104	300 MHz		Volante	576Mbit	20 ns	Dracma	64m x 9	Paralelo	-
29205BXA	330.1800	RFQ	39	Criar	-	Una granela	Obsoleto	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)	A Través del Aguetero	28-CDIP (0.600 ", 15.24 mm)		Flash - Nand, DRAM - LPDDR		4.5V ~ 5.5V	28 Cerdip	descascar	No Aplicable	3 (168 Horas)	Vendedor indefinido		3A001A2C	8542.32.0041	1			Volante	64 kbits	150 ns	Sram	8k x 8	Paralelo	150ns
JS28F00AP33EFA	-	RFQ	6799	Micron Technology Inc.	-	Banda	Obsoleto	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho)	JS28F00AP33	Flash - Ni		2.3V ~ 3.6V	56-TSOP	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		3A991B1A	8542.32.0071	576	40 MHz		No Volátil	1 gbit	105 ns	Destello	64m x 16	Paralelo	105ns
MT29F2G08ABBEAHC: E	-	RFQ	1730	Micron Technology Inc.	-	Una granela	Obsoleto	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Montaje en superficie	63-vfbga	MT29F2G08	Flash - nand		1.7V ~ 1.95V	63-vfbga (10.5x13)	-	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		3A991B1A	8542.32.0071	1.140			No Volátil	2 GBIT		Destello	256m x 8	Paralelo	-
24CS256-E/SM	1.0500	RFQ	50	Tecnología de Microchip	-	Tubo	Activo	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho)		Flash - Nand, DRAM - LPDDR		1.7V ~ 5.5V	8-Soij	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	150-24CS256-E/SM	EAR99	8542.32.0051	90	1 MHz		No Volátil	256 kbit	400 ns	Eeprom	32k x 8	I²C	5 ms
AT17N010-10PI	-	RFQ	8784	Tecnología de Microchip	-	Tubo	Obsoleto	-40 ° C ~ 85 ° C	A Través del Aguetero	8-DIP (0.300 ", 7.62 mm)	AT17N010		Sin verificado	3V ~ 3.6V	8 pdip	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.32.0051	50		Eeprom		1 MB
MT53B384M32D2NP-062 AAT: B	-	RFQ	9672	Micron Technology Inc.	Automotriz, AEC-Q100	Banda	Activo	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	Montaje en superficie	200 WFBGA	MT53B384	SDRAM - Mobile LPDDR4		1.1V	200-WFBGA (10x14.5)	-		3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.32.0036	1.360	1.6 GHz		Volante	12 gbit		Dracma	384m x 32	-	-
Edfa112a2pf-jd-fd	-	RFQ	9346	Micron Technology Inc.	-	Banda	Obsoleto	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	-	-	Edfa112	SDRAM - Mobile LPDDR3		1.14V ~ 1.95V	-	-	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)			Obsoleto	0000.00.0000	1.190	933 MHz		Volante	16 gbit		Dracma	128m x 128	Paralelo	-
IS46TR16128Al-15HBLA2	-	RFQ	7844	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	-	Banda	Obsoleto	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	Montaje en superficie	96-TFBGA	IS46TR16128	SDRAM - DDR3		1.283V ~ 1.45V	96-TWBGA (9x13)	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.32.0036	190	667 MHz		Volante	2 GBIT	20 ns	Dracma	128m x 16	Paralelo	15ns
IS42S16160D-75ETLI	-	RFQ	5482	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	-	Banda	Obsoleto	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	54-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho)	IS42S16160	Sdram		3V ~ 3.6V	54-TSOP II	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.32.0024	108	133 MHz		Volante	256Mbit	5.5 ns	Dracma	16m x 16	Paralelo	-
SST25PF040C-40V/SN18GVAO	-	RFQ	4961	Tecnología de Microchip	Automotive, AEC-Q100, SST25	Tubo	Activo	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	SST25PF040	Destello		2.3V ~ 3.6V	8-Soico	descascar		3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.32.0071	100	40 MHz		No Volátil	4mbit		Destello	512k x 8	SPI	5 ms
AT27C4096-55pc	-	RFQ	9901	Tecnología de Microchip	-	Tubo	Obsoleto	0 ° C ~ 70 ° C (TC)	A Través del Aguetero	40-dip (0.600 ", 15.24 mm)	AT27C4096	EPROM - OTP		4.5V ~ 5.5V	40 PDIP	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	AT27C409655PC	3A991B1B1	8542.32.0061	10			No Volátil	4mbit	55 ns	EPROM	256k x 16	Paralelo	-
IS42S32200E-7TL-TR	-	RFQ	1589	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Montaje en superficie	86-TFSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho)	IS42S32200	Sdram		3V ~ 3.6V	86-TSOP II	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.32.0002	1.500	143 MHz		Volante	64 Mbbit	5.5 ns	Dracma	2m x 32	Paralelo	-
P08274-001-C	113.5000	RFQ	2834	Prolabs	*	Paquete minorista	Activo									-	Cumplimiento de Rohs			4932-P08274-001-C	EAR99	8473.30.5100	1
AT45DB321B-CI	-	RFQ	3107	Tecnología de Microchip	-	Banda	Obsoleto	-40 ° C ~ 85 ° C (TC)	Montaje en superficie	44-TBGA, CSPBGA	AT45DB321	Destello		2.7V ~ 3.6V	44-CBGA (6x12)	descascar	Rohs no conforme	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		3A991B1A	8542.32.0071	280	20 MHz		No Volátil	32Mbit		Destello	528 bytes x 8192 Páginas	SPI	14 ms
AS4C256M16MD4V-062BAN	20.5900	RFQ	136	Alliance Memory, Inc.	Automotriz, AEC-Q100	Banda	Activo	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	Montaje en superficie	200 WFBGA		SDRAM - Mobile LPDDR4X		1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V	200-FBGA (10x14.5)	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)		1450-AS4C256M16MD4V-062BAN	EAR99	8542.32.0036	136	1.6 GHz		Volante	2 GBIT	3.5 ns	Dracma	128m x 16	Lvstl	18ns
IS61QDP2B42M18A-400M3L	75.0000	RFQ	9667	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	-	Banda	Activo	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Montaje en superficie	165 lbGa	IS61QDP2	Sram - Síncrono, quadp		1.71V ~ 1.89V	165-LFBGA (15x17)	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		3A991B2A	8542.32.0041	105	400 MHz		Volante	36 mbit	8.4 ns	Sram	2m x 18	Paralelo	-
DS1350ABP-70	-	RFQ	1156	Analog Devices Inc./Maxim Integrated	-	Tubo	Obsoleto	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Montaje en superficie	Módulo 34-PowerCap ™	DS1350AB	Nvsram (sram no volátil)		4.75V ~ 5.25V	Módulo de 34 Powercap	descascar	Rohs no conforme	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		3A991B2A	8542.32.0041	40			No Volátil	4mbit	70 ns	Nvsram	512k x 8	Paralelo	70ns
Stk14d88-nf25tr	-	RFQ	6830	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Montaje en superficie	32-SOIC (0.295 ", 7.50 mm de Ancho)	Stk14d88	Nvsram (sram no volátil)		2.7V ~ 3.6V	32-SOICO	descascar	Rohs no conforme	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.32.0041	1,000			No Volátil	256 kbit	25 ns	Nvsram	32k x 8	Paralelo	25ns
Cy7C1568V18-375BZXC	-	RFQ	3195	Infineon Technologies	-	Banda	Obsoleto	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Montaje en superficie	165 lbGa	CY7C1568	Sram - Síncrono, DDR II		1.7V ~ 1.9V	165-FBGA (15x17)	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		3A991B2A	8542.32.0041	105	375 MHz		Volante	72Mbit		Sram	2m x 36	Paralelo	-
AS7C3256-20JC	0.8000	RFQ	9	Alliance Memory, Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Montaje en superficie	28-BSOJ (0.300 ", 7.62 mm de Ancho)		Sram - Asínncrono		3V ~ 3.6V	28-SOJ	-				3277-AS7C3256-20JCTR	EAR99	8542.32.0041	250			Volante	256 kbit		Sram	32k x 8	Paralelo	20ns	Sin verificado
MT46H32M16LFBF-6 AAT: C TR	-	RFQ	6771	Micron Technology Inc.	Automotriz, AEC-Q100	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Montaje en superficie	60-vfbga	MT46H32M16	SDRAM - Mobile LPDDR		1.7V ~ 1.95V	60-vfbga (8x9)	-	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.32.0028	1,000	166 MHz		Volante	512Mbit	5 ns	Dracma	32m x 16	Paralelo	15ns
IS49NLC36800-25EBL	-	RFQ	5867	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	-	Banda	Activo	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Montaje en superficie	144-TFBGA	IS49NLC36800	RDRAM 2		1.7V ~ 1.9V	144-FCBGA (11x18.5)	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.32.0028	104	400 MHz		Volante	288Mbit	15 ns	Dracma	8m x 36	Paralelo	-
IS42S32800J-6TLI	6.4315	RFQ	2731	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	-	Tubo	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	86-TFSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho)	IS42S32800	Sdram		3V ~ 3.6V	86-TSOP II	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.32.0024	108	166 MHz		Volante	256Mbit	5.4 ns	Dracma	8m x 32	Paralelo	-

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Memoria (70500)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²