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Memoria (70500)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página | TUPO de Controlador | Sic programable |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | AT25160An-10SI-1.8 | - |  | 4881 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | AT25160 | Eeprom | 1.8v ~ 5.5V | 8-Soico | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | AT25160AN-10SI1.8 | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 20 MHz | No Volátil | 16 kbits | Eeprom | 2k x 8 | SPI | 5 ms | ||||
 | 709379L12PF | - | | 7061 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | 709379L | Sram - Puerto Dual, Sincónnico | 4.5V ~ 5.5V | 100-TQFP (14x14) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 6 | Volante | 576 kbit | 12 ns | Sram | 32k x 18 | Paralelo | - | |||||
 | S25HS01GTFABHV030 | 16.6075 | | 2104 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Semper ™ | Banda | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-VBGA | Flash - Nor (SLC) | 1.7v ~ 2v | 24-FBGA (8x8) | descascar | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.300 | 166 MHz | No Volátil | 1 gbit | Destello | 128m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | - | |||||||||
 | MT48H8M32LFB5-6: H TR | - | | 4478 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 90-vfbga | MT48H8M32 | SDRAM - LPSDR MÓVIL | 1.7V ~ 1.95V | 90-vfbga (8x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 166 MHz | Volante | 256Mbit | 5 ns | Dracma | 8m x 32 | Paralelo | 15ns | ||||
 | IS61QDPB21M36A-333M3L | 71.5551 | | 6756 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165 lbGa | IS61QDPB21 | Sram - Síncrono, quadp | 1.71V ~ 1.89V | 165-LFBGA (15x17) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 333 MHz | Volante | 36 mbit | 8.4 ns | Sram | 1m x 36 | Paralelo | - | ||||
 | MR0A08BSO35 | - | | 7913 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 32-SOIC (0.295 ", 7.50 mm de Ancho) | MR0A08 | Mram (Ram Magnetoresistivo) | 3V ~ 3.6V | 32-SOICO | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 819-1027 | EAR99 | 8542.32.0071 | 108 | No Volátil | 1 mbit | 35 ns | RAM | 128k x 8 | Paralelo | 35ns | ||||
 | AT28C16-15JI | - | | 8019 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 32 LCC (J-Lead) | AT28C16 | Eeprom | 4.5V ~ 5.5V | 32-PLCC (13.97x11.43) | descascar | Rohs no conforme | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 32 | No Volátil | 16 kbits | 150 ns | Eeprom | 2k x 8 | Paralelo | 1 m | |||||
 | MT40A512M16JY-062E: B | - | | 5536 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | MT40A512M16 | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 96-FBGA (8x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.368 | 1.6 GHz | Volante | 8 gbit | Dracma | 512m x 16 | Paralelo | - | |||||
 | R1LP0408DSP-5SR#S0 | - | | 3007 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 32-SOIC (0.450 ", 11.40 mm de ancho) | R1LP0408 | Sram | 4.5V ~ 5.5V | 32-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | Volante | 4mbit | 55 ns | Sram | 512k x 8 | Paralelo | 55ns | |||||
 | Cydmx064b16-65bvxi | 6.9400 | | 3 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100-vfbga | Cydmx | SRAM - Puerto Dual, Mob | 1.8v ~ 3.3V | 100-vfbga (6x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8542.32.0041 | 44 | Volante | 64 kbits | 65 ns | Sram | 4k x 16 | Paralelo | 65ns | Sin verificado | ||||||
 | IS43DR16640C-3DBI-TR | - | | 7425 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 84-TFBGA | IS43DR16640 | SDRAM - DDR2 | 1.7V ~ 1.9V | 84-TWBGA (8x12.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0032 | 2.500 | 333 MHz | Volante | 1 gbit | 450 ps | Dracma | 64m x 16 | Paralelo | 15ns | ||||
| Mtfc128gapalna-its | - | | 8710 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Obsoleto | MTFC128 | - | 1 (ilimitado) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 980 | ||||||||||||||||||||
 | DS2502R+00B | - | | 3158 | 0.00000000 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | DS2502 | EPROM - OTP | 2.8V ~ 6V | Sot-23-3 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | No Volátil | 1 kbit | EPROM | 128 x 8 | 1 Alambre® | - | ||||||
 | MT29F32G08CBADAWP: D | - | | 5528 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | MT29F32G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP I | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | No Volátil | 32 GBIT | Destello | 4g x 8 | Paralelo | - | ||||||
 | S29GL01GS11TFB023 | 17.5350 | | 1599 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotriz, AEC-Q100, GL-S | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | S29GL01 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 56-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 1 gbit | 110 ns | Destello | 64m x 16 | Paralelo | 60ns | |||||
 | IS62WV51216All-70Bli-TR | 6.5100 | | 6595 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFBGA | IS62WV51216 | Sram - Asínncrono | 2.5V ~ 3.6V | 48-minibga (7.2x8.7) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2.500 | Volante | 8mbit | 70 ns | Sram | 512k x 16 | Paralelo | 70ns | |||||
 | IS61C1024Al-12TLI | 2.6100 | | 1 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 32-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | IS61C1024 | Sram - Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 32-TSOP I | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 156 | Volante | 1 mbit | 12 ns | Sram | 128k x 8 | Paralelo | 12ns | |||||
 | W25Q32FVSSIF | - | | 9524 | 0.00000000 | Winbond Electronics | Spiflash® | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | W25Q32 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 90 | 104 MHz | No Volátil | 32Mbit | Destello | 4m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | 50 µs, 3 ms | |||||
 | 70V7339S200BC | 237.1567 | | 1806 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 256 lbGa | 70V7339 | Sram - Puerto Dual, Sincónnico | 3.15V ~ 3.45V | 256-cabga (17x17) | descascar | Rohs no conforme | 4 (72 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 6 | 200 MHz | Volante | 9 MBIT | 3.4 ns | Sram | 512k x 18 | Paralelo | - | ||||
| S39MS01GR25WPW009 | - | | 1573 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||
 | Cy7C09369V-9AC | 22.5600 | | 311 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | Cy7C09369 | Sram - Puerto Dual, Sincónnico | 3V ~ 3.6V | 100-TQFP (14x14) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar Afectados | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | 67 MHz | Volante | 288 kbit | 9 ns | Sram | 16k x 18 | Paralelo | - | ||||
 | MT29F1T08CUCABH8-6R: A TR | - | | 9053 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 152 lbGa | MT29F1T08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 152-lbga (14x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1,000 | 167 MHz | No Volátil | 1Tbit | Destello | 128g x 8 | Paralelo | - | ||||||
 | 5962-885555202xa | 42.0500 | | 9959 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C (TA) | A Través del Aguetero | 28-CDIP (0.600 ", 15.24 mm) | 5962-8855202 | Sram - Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 28 CDIP | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 13 | Volante | 256 kbit | Sram | 32k x 8 | Paralelo | - | ||||||
 | Cy7c68034-56lfxc | 11.0600 | | 6 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | EZ-USB NX2LP-FLEX ™ | Bolsa | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 56-vfqfn | CY7C68034 | 3V ~ 3.6V | 56-Qfn (8x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3A991A3 | 8542.31.0001 | 28 | Nand Flash - USB | ||||||||||||||
| WBMISC | - | | 2112 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | - | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 1 | |||||||||||||||||||||
 | IS61NLF51236-6.5B3 | - | | 6126 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165-TBGA | IS61NLF51236 | Sram - Sincónnico, SDR | 3.135V ~ 3.465V | 165-TFBGA (13x15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 133 MHz | Volante | 18mbit | 6.5 ns | Sram | 512k x 36 | Paralelo | - | ||||
 | CY7C1425AV18-167BZXC | - | | 6530 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165 lbGa | CY7C1425 | Sram - Sincónnico, QDR II | 1.7V ~ 1.9V | 165-FBGA (15x17) | descascar | ROHS3 Cumplante | 5 (48 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 167 MHz | Volante | 36 mbit | Sram | 4m x 9 | Paralelo | - | |||||
| IS62WV10248HBLL-45BLI | 5.5800 | | 2110 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFBGA | Sram - Asínncrono | 2.2V ~ 3.6V | 48-TFBGA (6x8) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS62WV10248HBLL-45BLI | 480 | Volante | 8mbit | 45 ns | Sram | 1m x 8 | Paralelo | 45ns | ||||||||
| MT60B1G16HC-48B: A TR | 16.5750 | | 2988 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 102-vfbga | SDRAM - DDR5 | - | 102-vfbga (9x14) | - | 557-MT60B1G16HC-48B: ATR | 2,000 | 2.4 GHz | Volante | 16 gbit | 16 ns | Dracma | 1g x 16 | Vana | - | |||||||||
| IS26KL512S-Dabla300-TR | - | | 3801 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hyperflash ™ KL | Una granela | La Última Vez Que Compre | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-VBGA | Hiperflasco | 2.7V ~ 3.6V | 24-FBGA (6x8) | - | 1 | 100 MHz | No Volátil | 512Mbit | 96 ns | Destello | 64m x 8 | Hiperbus | - |
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