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Memoria (70500)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página | Sic programable |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 5962f1120101qxa | - |  | 5422 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | -55 ° C ~ 125 ° C (TA) | A Través del Aguetero | 165-BFCPGA | 5962f1120101 | Sram - Síncrono, QDR II+ | 1.7V ~ 1.9V | 165-CCGA (21x25) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | 250 MHz | Volante | 72Mbit | Sram | 4m x 18 | Paralelo | - | ||||
 | FM25C160B-G | 2.5600 | | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | F-RAM ™ | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | FM25C160 | Fram (Carnero Ferroeléctrico) | 4.5V ~ 5.5V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 97 | 20 MHz | No Volátil | 16 kbits | Fram | 2k x 8 | SPI | - | ||||
| S29WS128N0PBFA0A0 | - | | 7486 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
 | AT28C64E-20SI | - | | 5791 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 28-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | AT28C64 | Eeprom | 4.5V ~ 5.5V | 28-soico | descascar | Rohs no conforme | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | AT28C64E20SI | EAR99 | 8542.32.0051 | 27 | No Volátil | 64 kbits | 200 ns | Eeprom | 8k x 8 | Paralelo | 200 µs | |||
 | 71256l20ygi8 | - | | 1873 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 28-BSOJ (0.300 ", 7.62 mm de Ancho) | 71256L | Sram - Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 28-SOJ | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0041 | 1,000 | Volante | 256 kbit | 20 ns | Sram | 32k x 8 | Paralelo | 20ns | ||||
| MT51K256M32HF-70: A | - | | 4682 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 170-TFBGA | MT51K256 | SGRAM - GDDR5 | - | 170-FBGA (12x14) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.32.0071 | 1.260 | 1.75 GHz | Volante | 8 gbit | RAM | 256m x 32 | Paralelo | - | |||||
 | AT25SF081-SSHD-T | - | | 2351 | 0.00000000 | Adesto tecnologías | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | AT25SF081 | Flash - Ni | 2.5V ~ 3.6V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 4.000 | 104 MHz | No Volátil | 8mbit | Destello | 1m x 8 | SPI - Quad I/O | 5 µs, 5 ms | ||||
 | 93AA46XT-I/SN | - | | 5318 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | 93AA46 | Eeprom | 1.8v ~ 5.5V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 93AA46XT-I/SN-NDR | EAR99 | 8542.32.0051 | 3,300 | 2 MHz | No Volátil | 1 kbit | Eeprom | 128 x 8, 64 x 16 | Microondas | 10 ms | |||
 | AT28C16-15JI | - | | 8019 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 32 LCC (J-Lead) | AT28C16 | Eeprom | 4.5V ~ 5.5V | 32-PLCC (13.97x11.43) | descascar | Rohs no conforme | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 32 | No Volátil | 16 kbits | 150 ns | Eeprom | 2k x 8 | Paralelo | 1 m | ||||
 | Cy7c1034dv33-10bgxit | - | | 9672 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 119-BGA | CY7C1034 | Sram - Asínncrono | 3V ~ 3.6V | 119-PBGA (14x22) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 500 | Volante | 6 mbit | 10 ns | Sram | 256k x 24 | Paralelo | 10ns | ||||
 | S29GL128S90FFA020 | - | | 9519 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotriz, AEC-Q100, GL-S | Banda | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64 lbGa | S29GL128 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 64-FBGA (13x11) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 180 | No Volátil | 128 Mbbit | 90 ns | Destello | 8m x 16 | Paralelo | 60ns | ||||
 | IDT71V35761S166PF8 | - | | 9507 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | IDT71V35761 | Sram - Sincónnico, SDR | 3.135V ~ 3.465V | 100-TQFP (14x14) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 71V35761S166PF8 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 166 MHz | Volante | 4.5Mbit | 3.5 ns | Sram | 128k x 36 | Paralelo | - | ||
| CG7031DS | - | | 7254 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | 1 | ||||||||||||||||||||
| 16-3160-01-T | - | | 4545 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | - | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||
 | A9816030-C | 615.0000 | | 9747 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-A9816030-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | 23a1024t-e/st | 2.8050 | | 9545 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | 23A1024 | Sram | 1.7V ~ 2.2V | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0041 | 2.500 | 16 MHz | Volante | 1 mbit | Sram | 128k x 8 | SPI - Quad I/O | - | ||||
| CG8801AAT | - | | 5960 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.500 | |||||||||||||||||
 | S29GL032N90DFBR20 | - | | 3194 | 0.00000000 | Infineon Technologies | GL-N | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64 lbGa | S29GL032 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 64-FBGA (9x9) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 260 | No Volátil | 32Mbit | 90 ns | Destello | 4m x 8, 2m x 16 | Paralelo | 90ns | ||||
 | AT28HC256-90SU | 1.0000 | | 2463 | 0.00000000 | Atmel | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 28-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | AT28HC256 | Eeprom | 4.5V ~ 5.5V | 28-soico | descascar | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 | No Volátil | 256 kbit | 90 ns | Eeprom | 32k x 8 | Paralelo | 10 ms | Sin verificado | ||||||
 | W25q128jvfjq | - | | 1991 | 0.00000000 | Winbond Electronics | Spiflash® | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | W25Q128 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 16-soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 44 | 133 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | Destello | 16m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | 3 ms | ||||
 | MT41J64M16JT-15E XIT: G TR | - | | 1425 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | MT41J64M16 | SDRAM - DDR3 | 1.425V ~ 1.575V | 96-FBGA (8x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 667 MHz | Volante | 1 gbit | Dracma | 64m x 16 | Paralelo | - | ||||
 | MT40A512M8SA-062E IT: F TR | 9.1650 | | 8721 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | MT40A512M8 | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 78-FBGA (7.5x11) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | MT40A512M8SA-062EIT: FTR | EAR99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.6 GHz | Volante | 4 gbit | 13.75 ns | Dracma | 512m x 8 | Paralelo | - | ||
 | AS4C64M8D3L-12BIN | 4.8188 | | 1787 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TA) | Montaje en superficie | 78-vfbga | AS4C64 | SDRAM - DDR3 | 1.283V ~ 1.45V | 78-FBGA (8x10.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 1450-1432 | EAR99 | 8542.32.0028 | 242 | 800 MHz | Volante | 512Mbit | 20 ns | Dracma | 64m x 8 | Paralelo | |||
 | AT24C64W-10SC | - | | 2016 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | AT24C64 | Eeprom | 4.5V ~ 5.5V | 8-Soico | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 94 | 400 kHz | No Volátil | 64 kbits | 900 ns | Eeprom | 8k x 8 | I²C | 10 ms | |||
 | W25q80ewsnag | - | | 5493 | 0.00000000 | Winbond Electronics | Spiflash® | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | W25Q80 | Flash - Ni | 1.65V ~ 1.95V | 8-Soico | - | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 256-W25Q80EWSNAG | Obsoleto | 1 | 104 MHz | No Volátil | 8mbit | 6 ns | Destello | 1m x 8 | SPI - Quad I/O | 30 µs, 800 µs | ||||
 | MT49H8M36SJ-TI: B TR | - | | 6719 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 144-TFBGA | MT49H8M36 | Dracma | 1.7V ~ 1.9V | 144-FBGA (18.5x11) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0028 | 1,000 | Volante | 288Mbit | Dracma | 8m x 36 | Paralelo | - | |||||
 | RMWV6416AGSD-5S2#AA0 | 70.5600 | | 598 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 52-TFSOP (0.350 ", Ancho de 8.89 mm) | RMWV6416 | Sram | 2.7V ~ 3.6V | 52-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | -1161-RMWV6416AGSD-5S2#AA0 | 3A991B2A | 8542.32.0071 | 230 | Volante | 64 Mbbit | 55 ns | Sram | 8m x 8, 4m x 16 | Paralelo | 55ns | |||
 | IS61QDPB21M36A-333M3L | 71.5551 | | 6756 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165 lbGa | IS61QDPB21 | Sram - Síncrono, quadp | 1.71V ~ 1.89V | 165-LFBGA (15x17) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 333 MHz | Volante | 36 mbit | 8.4 ns | Sram | 1m x 36 | Paralelo | - | |||
| AM27C512-70JI | - | | 8299 | 0.00000000 | Rochester Electronics, LLC | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 32 LCC (J-Lead) | 4.5V ~ 5.5V | 32-PLCC (13.97x11.43) | - | 2156-AM27C512-70JI | 1 | No Volátil | 512 kbit | 70 ns | EPROM | 64k x 8 | Paralelo | - | ||||||||||
 | 71V65603S100BQG | 26.1188 | | 3374 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165-TBGA | 71v65603 | Sram - Sincónnico, SDR (ZBT) | 3.135V ~ 3.465V | 165-Cabga (13x15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 100 MHz | Volante | 9 MBIT | 5 ns | Sram | 256k x 36 | Paralelo | - |
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