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Memoria (70500)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página | Sic programable |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | M45PE16-VMW6TG | 1.9700 |  | 892 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | M45PE16 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 1450-M45PE16-VMW6TGTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.500 | 75 MHz | No Volátil | 16mbit | Destello | 2m x 8 | SPI | 3 ms | |||
 | 604506-B21-C | 62.5000 | | 2055 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-604506-B21-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
| JG82845 | 9.3400 | | 6 | 0.00000000 | Intel | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | 0000.00.0000 | 360 | |||||||||||||||||||
 | Cy7c2663kv18-550bzi | 536.3050 | | 1648 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165 lbGa | CY7C2663 | Sram - Síncrono, QDR II+ | 1.7V ~ 1.9V | 165-FBGA (15x17) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 550 MHz | Volante | 144mbit | Sram | 8m x 18 | Paralelo | - | ||||
 | NM93C66MT8X | 0.2700 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | 93C66 | Eeprom | 4.5V ~ 5.5V | 8-TSOP | descascar | No Aplicable | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.32.0051 | 2.500 | 1 MHz | No Volátil | 4 kbits | Eeprom | 256 x 16 | Microondas | 10 ms | ||||
 | MT55L256L36FT-11 | 14.4200 | | 4432 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | ZBT® | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | MT55L256L | Sram - Sincónnico, ZBT | 3.135V ~ 3.465V | 100-TQFP (14x20.1) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 90 MHz | Volante | 8mbit | 8.5 ns | Sram | 256k x 36 | Paralelo | - | |||
 | W25q40wuxse | - | | 5988 | 0.00000000 | Winbond Electronics | Spiflash® | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-Ufdfn Padera Expunesta | W25Q40 | Flash - Ni | 1.65V ~ 1.95V | 8-USON (2x3) | - | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 256-W25Q40Wuxse | Obsoleto | 1 | 104 MHz | No Volátil | 4mbit | Destello | 512k x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | - | |||||
 | CAT24C04WI-G | 0.1800 | | 121 | 0.00000000 | Catalyst Semiconductor Inc. | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | CAT24C04 | Eeprom | 1.7V ~ 5.5V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 | 400 kHz | No Volátil | 4 kbits | 900 ns | Eeprom | 512 x 8 | I²C | 5 ms | |||
| IS46QR16512A-083TBLA2 | 22.1643 | | 3600 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 96-TWBGA (10x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS46QR16512A-083TBLA2 | 136 | 1.2 GHz | Volante | 8 gbit | 18 ns | Dracma | 512m x 16 | Paralelo | 15ns | ||||||
 | CY7C1371D-133AXC | - | | 9292 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | Nobl ™ | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | CY7C1371 | Sram - Sincónnico, SDR | 3.135V ~ 3.6V | 100-TQFP (14x20) | descascar | ROHS3 Cumplante | 2832-cy7c1371d-133axc | 72 | 133 MHz | Volante | 18mbit | 6.5 ns | Sram | 512k x 36 | Paralelo | - | Sin verificado | |||||
 | R1QAA7218ABB-20IA0 | 35.5800 | | 405 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Una granela | Activo | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | ||||||||||||||||||
| MT53E768M32D2FW-046 AIT: C TR | 20.7300 | | 3312 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 557-MT53E768M32D2FW-046AIT: CTR | 2,000 | ||||||||||||||||||||||
 | A4987239-C | 42.5000 | | 9002 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-A4987239-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | MT48LC8M16A2P-6A AIT: L | - | | 3640 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 54-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho) | MT48LC8M16A2 | Sdram | 3V ~ 3.6V | 54-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0002 | 1.080 | 167 MHz | Volante | 128 Mbbit | 5.4 ns | Dracma | 8m x 16 | Paralelo | 12ns | |||
| AS4C32M32MD2A-25BINTR | 5.6308 | | 8142 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 134-vfbga | SDRAM - Mobile LPDDR2 | 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V | 134-FBGA (10x11.5) | descascar | 3 (168 Horas) | 1450-AS4C32M32MD2A-25BINTR | 1,000 | 400 MHz | Volante | 1 gbit | 5.5 ns | Dracma | 32m x 32 | HSUL_12 | 15ns | |||||||
 | Cy7c09289v-9axc | - | | 1018 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | CY7C09289 | Sram - Puerto Dual, Sincónnico | 3V ~ 3.6V | 100-TQFP (14x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 90 | 67 MHz | Volante | 1 mbit | 9 ns | Sram | 64k x 16 | Paralelo | - | Sin verificado | ||||
| CG8019AAT | - | | 2827 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.500 | ||||||||||||||||||
 | Cy7C1069G30-10BVXI | 44.3000 | | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-vfbga | CY7C1069 | Sram - Asínncrono | 2.2V ~ 3.6V | 48-vfbga (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | Volante | 16mbit | 10 ns | Sram | 2m x 8 | Paralelo | 10ns | ||||
| SNPM788DCK2/16G-C | 125.0000 | | 5183 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-SNPM788DCK2/16G-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | CY62137CVSL-70BAIT | 1.3500 | | 255 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | MOBL® | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFBGA | CY62137 | Sram - Asínncrono | 2.7V ~ 3.6V | 48-FBGA (7x7) | descascar | No Aplicable | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Volante | 2 mbit | 70 ns | Sram | 128k x 16 | Paralelo | 70ns | ||||
| MT62F1G32D4DS-031 AAT: B TR | 32.5650 | | 3030 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C | Montaje en superficie | 200 WFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | 1.05V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | 557-MT62F1G32D4DS-031AAT: BTR | 2,000 | 3.2 GHz | Volante | 32 GBIT | Dracma | 1g x 32 | Paralelo | - | |||||||||
 | W74m64jvssiq | 1.6110 | | 3215 | 0.00000000 | Winbond Electronics | Spiflash® | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | W74M64 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 8-Soico | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 256-W74M64JVSSIQ | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 90 | 104 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | Destello | 8m x 8 | SPI - Quad I/O | - | |||
| Cy7C09389V-7AC | - | | 4415 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | Cy7C09389 | Sram - Puerto Dual, Sincónnico | 3V ~ 3.6V | 100-TQFP (14x14) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar Afectados | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 83 MHz | Volante | 1.152Mbit | 7.5 ns | Sram | 64k x 18 | Paralelo | - | |||
| CAT93C46VI-TE13 | - | | 8510 | 0.00000000 | Catalyst Semiconductor Inc. | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | CAT93C46 | Eeprom | 1.8v ~ 5.5V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.32.0051 | 2,000 | 2 MHz | No Volátil | 1 kbit | Eeprom | 128 x 8, 64 x 16 | Microondas | - | ||||
| NM27C010VE150 | - | | 6969 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | - | 2156-NM27C010VE150 | 1 | ||||||||||||||||||||||
| 5962-9232404mya | - | | 9242 | 0.00000000 | Simtek | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 28 LCC | 5962-9232404 | Nvsram (sram no volátil) | 4.5V ~ 5.5V | 28-LCC (13.97x8.89) | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | 1 | No Volátil | 64 kbits | 55 ns | Nvsram | 8k x 8 | Paralelo | 55ns | ||||||
 | MT53E1G16D1FW-046 WT: A | 11.9850 | | 4309 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | - | 557-MT53E1G16D1FW-046WT: A | 1 | 2.133 GHz | Volante | 16 gbit | 3.5 ns | Dracma | 1g x 16 | Paralelo | 18ns | ||||||||
 | 7130LA25TFI8 | - | | 4091 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64-LQFP | 7130LA | Sram - Puerto Dual, Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 64-TQFP (10x10) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0041 | 500 | Volante | 8 kbits | 25 ns | Sram | 1k x 8 | Paralelo | 25ns | ||||
 | S25FL256LAGBHV020 | 5.0500 | | 760 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | FL-L | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | S25FL256 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 24-BGA (8x6) | descascar | 60 | 133 MHz | No Volátil | 256Mbit | Destello | 32m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | - | Sin verificado | ||||||||
| MT52L256M32D1PU-107 WT ES: B | - | | 5864 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | MT52L256 | SDRAM - Mobile LPDDR3 | 1.2V | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.008 | 933 MHz | Volante | 8 gbit | Dracma | 256m x 32 | - | - |
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