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Memoria (70500)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Cy7C1021V33L-12ZCT | 2.5100 |  | 2 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 44-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | CY7C1021 | Sram - Asínncrono | 3V ~ 3.6V | 44-TSOP II | descascar | No Aplicable | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1,000 | Volante | 1 mbit | 12 ns | Sram | 64k x 16 | Paralelo | 12ns | |||
 | CY7C1381KV33-133AXC | 32.4000 | | 144 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | CY7C1381 | Sram - Sincónnico, SDR | 3.135V ~ 3.6V | 100-TQFP (14x20) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 133 MHz | Volante | 18mbit | 6.5 ns | Sram | 512k x 36 | Paralelo | - | ||
 | MT41K256M16TW-107 AIT: P | 8.1700 | | 12 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Banda | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | MT41K256M16 | SDRAM - DDR3L | 1.283V ~ 1.45V | 96-FBGA (8x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 | 933 MHz | Volante | 4 gbit | 20 ns | Dracma | 256m x 16 | Paralelo | - | ||
 | CYK512K16SCAU-70BAXI | - | | 2030 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFBGA | CYK512K16 | Psram (pseudo sram) | 2.7V ~ 3.3V | 48-FBGA (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | Volante | 8mbit | 70 ns | Psram | 512k x 16 | Paralelo | 70ns | |||
 | 70914S15PFG | - | | 8727 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 80-LQFP | 70914s | Sram - Puerto Dual, Estándar | 4.5V ~ 5.5V | 80-tqfp (14x14) | - | 800-70914S15PFG | Obsoleto | 1 | 50 MHz | Volante | 36 kbits | 15 ns | Sram | 4k x 9 | Paralelo | 15ns | |||||
 | MT53B384M64D4NZ-053 WT: C | - | | 1632 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | MT53B384 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | 1.866 GHz | Volante | 24 gbit | Dracma | 384m x 64 | - | - | ||||
| C-2400D4DR8EN/8G | 105.0000 | | 2176 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-C-2400D4DR8EN/8G | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
 | MT29C1G12MAACVAMD-5 IT TR | - | | 8326 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 130-vfbga | MT29C1G12 | Flash - Nand, Lpdram Móvil | 1.7V ~ 1.95V | 130-vfbga (8x9) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 200 MHz | No Volátil, Volátil | 1Gbit (NAND), 512Mbit (LPDRAM) | Flash, ram | 128m x 8 (nand), 32m x 16 (LPDRAM) | Paralelo | - | ||||
 | IDT71V65602S100PF8 | - | | 2922 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | IDT71V65602 | Sram - Sincónnico, SDR (ZBT) | 3.135V ~ 3.465V | 100-TQFP (14x14) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 71V65602S100PF8 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 100 MHz | Volante | 9 MBIT | 5 ns | Sram | 256k x 36 | Paralelo | - | |
| MT29F4T08EMLCHD4-T: C TR | 83.9100 | | 5910 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 557-MT29F4T08EMLCHD4-T: CTR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
 | AT25P1024C1-10CI-2.7 | - | | 7117 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 8-tdfn | AT25P1024 | Eeprom | 2.7V ~ 5.5V | 8 Vueltas (8x5) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | AT25P1024C10CI2.7 | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 2.1 MHz | No Volátil | 1 mbit | Eeprom | 128k x 8 | SPI | 5 ms | ||
| 70V05S20J | - | | 7498 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 68 LCC (J-Lead) | 70V05S | Sram - Puerto Dual, Asínncrono | 3V ~ 3.6V | 68-PLCC (24.21x24.21) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0041 | 18 | Volante | 64 kbits | 20 ns | Sram | 8k x 8 | Paralelo | 20ns | |||
 | MT29F256G08CBCBBJ4-5M: B | - | | 8202 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 132-VBGA | MT29F256G08 | Flash - Nand (MLC) | 2.7V ~ 3.6V | 132-VBGA (12x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 8542.32.0071 | 1,000 | 200 MHz | No Volátil | 256 GBIT | Destello | 32g x 8 | Paralelo | - | |||
 | AT25FF041A-Mahn-T | 0.5900 | | 12 | 0.00000000 | Adesto tecnologías | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 8-Ufdfn Padera Expunesta | AT25FF041 | Flash - Ni | 1.65V ~ 3.6V | 8-udfn (2x3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 5,000 | 104 MHz | No Volátil | 4mbit | Destello | 2m x 2 | SPI - Quad I/O | 22 µs, 2.6 ms | |||
 | Bq2024dbzr | 0.9234 | | 3625 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -20 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BQ2024 | EPROM - OTP | 2.65V ~ 5.5V | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0061 | 3.000 | No Volátil | 1,5 kbit | EPROM | 32 bytes x 6 Páginas | Alambre Único | - | ||||
 | IDT71V25761SA183BG8 | - | | 7611 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 119-BGA | IDT71V25761 | Sram - Sincónnico, SDR | 3.135V ~ 3.465V | 119-PBGA (14x22) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 71V25761SA183BG8 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 183 MHz | Volante | 4.5Mbit | 5.5 ns | Sram | 128k x 36 | Paralelo | - | |
| S99GL032N0100 | - | | 5372 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||
 | AT27BV512-70JU | - | | 7134 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 32 LCC (J-Lead) | AT27BV512 | EPROM - OTP | 2.7V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V | 32-PLCC (13.97x11.43) | descascar | ROHS3 Cumplante | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1B2 | 8542.32.0061 | 32 | No Volátil | 512 kbit | 70 ns | EPROM | 64k x 8 | Paralelo | - | |||
 | CAT28C512HI12 | - | | 6430 | 0.00000000 | onde | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 32-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | CAT28C512 | Eeprom | 4.5V ~ 5.5V | 32-TSOP | descascar | 2a (4 semanas) | Alcanzar sin afectado | 2156-CAT28C512HI12-488 | EAR99 | 8542.32.0051 | 156 | No Volátil | 512 kbit | 120 ns | Eeprom | 64k x 8 | Paralelo | 5 ms | |||
 | BR24G128FVJ-3AGTE2 | 0.4700 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-TSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00 mm de Ancho) | BR24G128 | Eeprom | 1.7V ~ 5.5V | 8-tssop-bj | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 2.500 | 1 MHz | No Volátil | 128 kbit | Eeprom | 16k x 8 | I²C | 5 ms | |||
 | Ndq86pfi-7nit | 11.9700 | | 3366 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | NDQ86P | Banda | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 96-FBGA (7.5x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 1982-NDQ86PFI-7NIT | 198 | 1.333 GHz | Volante | 8 gbit | 18 ns | Dracma | 512m x 16 | Vana | 15ns | |||||
| Gd25lq32eqigr | 0.7020 | | 7196 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LQ | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-xdfn almohadilla exposición | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-Uson (4x4) | descascar | 1970-GD25LQ32EQIGRTR | 3.000 | 133 MHz | No Volátil | 32Mbit | 6 ns | Destello | 4m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | 60 µs, 2.4 ms | |||||||
 | IS42S16100F-6TLI | - | | 3940 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 50-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | IS42S16100 | Sdram | 3V ~ 3.6V | 50-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0002 | 117 | 166 MHz | Volante | 16mbit | 5.5 ns | Dracma | 1m x 16 | Paralelo | - | ||
 | W631GU8NB12I TR | 4.8800 | | 1 | 0.00000000 | Winbond Electronics | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-vfbga | W631GU8 | SDRAM - DDR3L | 1.283V ~ 1.45V, 1.425V ~ 1.575V | 78-vfbga (8x10.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 256-W631GU8NB12ITRCT | EAR99 | 8542.32.0032 | 2,000 | 800 MHz | Volante | 1 gbit | 20 ns | Dracma | 128m x 8 | Paralelo | 15ns | |
| Mt46h32m32lfjg-5 it: un tr | - | | 6703 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 168-vfbga | MT46H32M32 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1.7V ~ 1.95V | 168-vfbga (12x12) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 200 MHz | Volante | 1 gbit | 5 ns | Dracma | 32m x 32 | Paralelo | 15ns | ||
 | BR93A56RF-WME2 | 1.4100 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) | BR93A56 | Eeprom | 2.5V ~ 5.5V | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 2.500 | 2 MHz | No Volátil | 2 kbits | Eeprom | 128 x 16 | Microondas | 5 ms | |||
 | 70V06L15PF | - | | 4533 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64-LQFP | 70V06L | Sram - Puerto Dual, Asínncrono | 3V ~ 3.6V | 64-TQFP (14x14) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0041 | 45 | Volante | 128 kbit | 15 ns | Sram | 16k x 8 | Paralelo | 15ns | |||
| CG8077AAT | - | | 3067 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | - | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
 | CY62148G-45ZSXI | 6.4575 | | 4639 | 0.00000000 | Infineon Technologies | MOBL® | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 32-SOIC (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | CY62148 | Sram - Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 32-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 234 | Volante | 4mbit | 45 ns | Sram | 512k x 8 | Paralelo | 45ns | |||
 | AT45DB641E-SHN2B-T | 5.1000 | | 89 | 0.00000000 | Adesto tecnologías | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | AT45DB641 | Destello | 1.7V ~ 3.6V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 85 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | Destello | 256 bytes x 32k páginas | SPI | 8 µs, 5 ms |
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