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Memoria (70500)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Sic programable | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | TUPO Programable | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página | Sic programable |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IDT71V416L15PH8 | - |  | 7671 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 44-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | IDT71V416 | Sram - Asínncrono | 3V ~ 3.6V | 44-TSOP II | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 71V416L15PH8 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1.500 | Volante | 4mbit | 15 ns | Sram | 256k x 16 | Paralelo | 15ns | |||||
 | 25lc160bt-i/st | 0.7950 | | 2910 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | 25LC160 | Eeprom | 2.5V ~ 5.5V | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 25LC160BT-I/ST-NDR | EAR99 | 8542.32.0051 | 2.500 | 10 MHz | No Volátil | 16 kbits | Eeprom | 2k x 8 | SPI | 5 ms | |||||
 | MBM29F400TC-70PFTN | 1.5500 | | 4 | 0.00000000 | Fujitsu | - | Banda | Activo | Montaje en superficie | Flash - Ni | 5V | 48-TSOP | - | 3277-MBM29F400TC-70PFTN | EAR99 | 8542.32.0071 | 960 | No Volátil | 4mbit | 70 ns | Destello | 512k x 8, 256k x 16 | Paralelo | Sin verificado | |||||||||||
| M29W128GH70N3E | - | | 9953 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | M29W128 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 56-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | No Volátil | 128 Mbbit | 70 ns | Destello | 16m x 8, 8m x 16 | Paralelo | 70ns | ||||||
 | MT46V32M16FN-5B: C | - | | 6386 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 60-TFBGA | MT46V32M16 | SDRAM - DDR | 2.5V ~ 2.7V | 60-FBGA (10x12.5) | - | Rohs no conforme | 5 (48 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 200 MHz | Volante | 512Mbit | 700 PS | Dracma | 32m x 16 | Paralelo | 15ns | |||||
 | BR34E02FVT-WE2 | 0.6436 | | 1482 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | BR34E02 | Eeprom | 1.7V ~ 3.6V | 8-TSOP-B | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 3.000 | 400 kHz | No Volátil | 2 kbits | Eeprom | 256 x 8 | I²C | 5 ms | ||||||
 | Ds1230y-200ind+ | 30.6500 | | 5636 | 0.00000000 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | A Través del Aguetero | Módulo de 28 Dips (0.600 ", 15.24 mm) | DS1230Y | Nvsram (sram no volátil) | 4.5V ~ 5.5V | 28 Edip | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | -4941-ds1230y-200ind+ | EAR99 | 8542.32.0041 | 12 | No Volátil | 256 kbit | 200 ns | Nvsram | 32k x 8 | Paralelo | 200ns | |||||
| IS43TR16640ED-15HBLI | 5.8300 | | 6587 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | SDRAM - DDR3 | 1.425V ~ 1.575V | 96-TWBGA (9x13) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS43TR16640ED-15HBLI | 190 | 667 MHz | Volante | 1 gbit | 20 ns | Dracma | 64m x 16 | SSTL_15 | 15ns | ||||||||
| MT53D2G32D8QD-062 WT: D TR | - | | 6529 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | MT53D2G32 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - | 1 (ilimitado) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 2,000 | 1.6 GHz | Volante | 64 GBIT | Dracma | 2G x 32 | - | - | |||||||||||
 | Nand128w3a0an6 | - | | 9416 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | Nand128 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | No Volátil | 128 Mbbit | 50 ns | Destello | 16m x 8 | Paralelo | 50ns | ||||||
| S99GL01GS0030 | - | | 5753 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||
| Mt42l32m16d1fe-25 it: un tr | - | | 9849 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -25 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 121-WFBGA | MT42L32M16 | SDRAM - Mobile LPDDR2 | 1.14V ~ 1.3V | 121-FBGA (6.5x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1,000 | 400 MHz | Volante | 512Mbit | Dracma | 32m x 16 | Paralelo | - | |||||||
 | AT17C010-10CC | - | | 5412 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C | Montaje en superficie | 8-tdfn | AT17C010 | Sin verificado | 4.75V ~ 5.25V | 8 Vueltas (6x6) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1B1 | 8542.32.0051 | 100 | Eeprom | 1 MB | |||||||||||
| MT29RZ4C4DZZMGMF-18W.8C TR | - | | 8774 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | MT29RZ4 | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 0000.00.0000 | 1,000 | ||||||||||||||||||||
| MT29C1G12MAACAYAKD-5 IT TR | - | | 3561 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 137-TFBGA | MT29C1G12 | Flash - Nand, Lpdram Móvil | 1.7V ~ 1.95V | 137-TFBGA (10.5x13) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 200 MHz | No Volátil, Volátil | 1Gbit (NAND), 512Mbit (LPDRAM) | Flash, ram | 128m x 8 (nand), 16m x 32 (LPDRAM) | Paralelo | - | |||||||
| N25Q008A11esc40g | - | | 5951 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | N25Q008A11 | Flash - Ni | 1.7v ~ 2v | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 2,000 | 108 MHz | No Volátil | 8mbit | Destello | 1m x 8 | SPI | 8 ms, 5 ms | |||||||||
 | MT46V16M16P-5B IT: M TR | - | | 1570 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 66-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | MT46V16M16 | SDRAM - DDR | 2.5V ~ 2.7V | 66-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 200 MHz | Volante | 256Mbit | 700 PS | Dracma | 16m x 16 | Paralelo | 15ns | |||||
 | 24lc01bt-i/mny | 0.3400 | | 57 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-WFDFN PADERA EXPUESTA | 24lc01b | Eeprom | 2.5V ~ 5.5V | 8-TDFN (2x3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 3,300 | 400 kHz | No Volátil | 1 kbit | 3.5 µs | Eeprom | 128 x 8 | I²C | 5 ms | |||||
| Cg8333amt | - | | 5462 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||
 | MT28F400B5SG-8 BET TR | - | | 3868 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 44-SOICO (0.496 ", 12.60 mm de ancho) | MT28F400B5 | Flash - Ni | 4.5V ~ 5.5V | 44-SO | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 500 | No Volátil | 4mbit | 80 ns | Destello | 512k x 8, 256k x 16 | Paralelo | 80NS | ||||||
 | Cy7c1474bv33-200bgit | - | | 2810 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Nobl ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 209-BGA | CY7C1474 | Sram - Sincónnico, SDR | 3.135V ~ 3.6V | 209-FBGA (14x22) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 500 | 200 MHz | Volante | 72Mbit | 3 ns | Sram | 1m x 72 | Paralelo | - | |||||
 | AT25128-10pc-1.8 | - | | 6450 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | AT25128 | Eeprom | 1.8v ~ 3.6V | 8 pdip | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | AT2512810PC1.8 | EAR99 | 8542.32.0051 | 50 | 2.1 MHz | No Volátil | 128 kbit | Eeprom | 16k x 8 | SPI | 10 ms | |||||
| NMC2147HF-3-MIL | 39.1700 | | 264 | 0.00000000 | Semiconductor nacional | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 18-CFLATPACK | Sram - Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 18-CFLATPACK | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | Volante | 4 kbits | 55 ns | Sram | 4k x 1 | Paralelo | - | |||||||
 | Mx29f040cti-70g | 4.3700 | | 10 | 0.00000000 | Macronix | Mx29f | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 32-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | MX29F040 | Flash - Ni | 4.5V ~ 5.5V | 32-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 156 | No Volátil | 4mbit | 70 ns | Destello | 512k x 8 | Paralelo | 70ns | ||||||
 | W25Q128BVEAG | - | | 5067 | 0.00000000 | Winbond Electronics | Spiflash® | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | W25Q128 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (8x6) | - | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 256-W25Q128BVEAG | Obsoleto | 1 | 104 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | 7 ns | Destello | 16m x 8 | SPI - Quad I/O | 50 µs, 3 ms | ||||||
 | SST26VF020A-104I/SN | 1.0600 | | 2015 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | SST26 SQI® | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | SST26VF020 | Destello | 2.7V ~ 3.6V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 100 | 104 MHz | No Volátil | 2 mbit | Destello | 256k x 8 | SPI - Quad I/O | 1.5ms | ||||||
 | AT25DF021-MH-T | - | | 4732 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 8-udfn almohadilla exposición | AT25DF021 | Destello | 2.7V ~ 3.6V | 8-udfn (5x6) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 6,000 | 70 MHz | No Volátil | 2 mbit | Destello | 256k x 8 | SPI | 7 µs, 5 ms | ||||||
 | AT17N256-10NC | - | | 2776 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | AT17N256 | Sin verificado | 3V ~ 3.6V | 8-Soico | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | Eeprom | 256kb | |||||||||||
 | AT24C512C-SHD-B | 1.3600 | | 6457 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | AT24C512C | Eeprom | 2.5V ~ 5.5V | 8-Soij | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | AT24C512CSHDB | EAR99 | 8542.32.0051 | 95 | 1 MHz | No Volátil | 512 kbit | 550 ns | Eeprom | 64k x 8 | I²C | 5 ms | ||||
 | IDT71V3558S200BQ | - | | 4308 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165-TBGA | IDT71V3558 | Sram - Sincónnico, SDR (ZBT) | 3.135V ~ 3.465V | 165-Cabga (13x15) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 71V3558S200BQ | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 200 MHz | Volante | 4.5Mbit | 3.2 ns | Sram | 256k x 18 | Paralelo | - |
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