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Memoria (70500)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página | TUPO de Controlador |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 70T633S12BFGI8 | 332.9813 |  | 3258 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 208-LFBGA | 70T633 | Sram - Puerto Dual, Asínncrono | 2.4V ~ 2.6V | 208-Cabga (15x15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | Volante | 9 MBIT | 12 ns | Sram | 512k x 18 | Paralelo | 12ns | ||||
 | JS28F320J3F75A | - | | 8112 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | JS28F320J3 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 56-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | No Volátil | 32Mbit | 75 ns | Destello | 4m x 8, 2m x 16 | Paralelo | 75ns | ||||
 | 7014S20J | - | | 8343 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 52-lcc (J-Lead) | 7014S20 | Sram - Puerto Dual, Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 52-PLCC (19.13x19.13) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0041 | 12 | Volante | 36 kbits | 20 ns | Sram | 4k x 9 | Paralelo | 20ns | ||||
 | W632GU8MB15I | - | | 4749 | 0.00000000 | Winbond Electronics | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-vfbga | W632GU8 | SDRAM - DDR3 | 1.283V ~ 1.45V | 78-vfbga (8x10.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 242 | 667 MHz | Volante | 2 GBIT | 20 ns | Dracma | 128m x 16 | Paralelo | - | |||
| A2884834-C | 62.5000 | | 8089 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-A2884834-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | STK14C88-C45I | - | | 6802 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | A Través del Aguetero | 32-CDIP (0.300 ", 7.62 mm) | Stk14c88 | Nvsram (sram no volátil) | 4.5V ~ 5.5V | 32-CDIP | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2015-STK14C88-C45I | EAR99 | 8542.32.0041 | 24 | No Volátil | 256 kbit | 45 ns | Nvsram | 32k x 8 | Paralelo | 45ns | |||
 | IS62C5128BL-45TLI-TR | - | | 3360 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 32-SOIC (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | IS62C5128 | Sram - Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 32-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | Volante | 4mbit | 45 ns | Sram | 512k x 8 | Paralelo | 45ns | ||||
 | MT29F1HT08EMHBBJ4-3R: B | - | | 5211 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 132-VBGA | MT29F1HT08 | Flash - nand | 2.5V ~ 3.6V | 132-VBGA (12x18) | - | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.120 | 333 MHz | No Volátil | 1.5tbit | Destello | 192G x 8 | Paralelo | - | ||||||
 | AT24C11-10TSU-1.8 | - | | 6050 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | SOT-23-5 Delgado, TSOT-23-5 | AT24C11 | Eeprom | 1.8v ~ 5.5V | Sot-23-5 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 5,000 | 1 MHz | No Volátil | 1 kbit | 550 ns | Eeprom | 128 x 8 | I²C | 5 ms | |||
 | MT29AZ5A3CHHWD-18AAT.84F | - | | 5765 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 162-vfbga | MT29AZ5A3 | Flash - Nand, Lpdram Móvil | 1.7V ~ 1.9V | 162-vfbga (10.5x8) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.440 | 533 MHz | No Volátil, Volátil | 4Gbit (NAND), 8GBIT (LPDDR2) | Flash, ram | 512m x 8 (nand), 512m x 16 (LPDDR2) | Paralelo | - | ||||
 | MT29F4G08ABBDAH4-ITX: D | - | | 2212 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 63-vfbga | MT29F4G08 | Flash - nand | 1.7V ~ 1.95V | 63-vfbga (9x11) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.260 | No Volátil | 4 gbit | Destello | 512m x 8 | Paralelo | - | |||||
 | SFEM064GB1EA1TO-I-HG-111-E32 | 132.5300 | | 9707 | 0.00000000 | Suiza | EM-26 | Banda | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 153-vfbga | SFEM064 | Flash - Nand (PSLC) | 2.7V ~ 3.6V | 153-BGA (11.5x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 200 MHz | No Volátil | 256 GBIT | Destello | 32g x 8 | EMMC | - | ||||
 | CY7C172A-45DMB | 13.7100 | | 6440 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C (TA) | CY7C172 | Sram - Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar Afectados | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 1 | Volante | 16 kbits | 45 ns | Sram | 4k x 4 | Paralelo | 45ns | |||||||
 | S25FL128LAGBHB030 | - | | 2591 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotriz, AEC-Q100, FL-L | Banda | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | S25FL128 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 24-BGA (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 133 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | Destello | 16m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | - | ||||
 | AT24C64B-10TU-2.7 | 0.8800 | | 3134 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | AT24C64 | Eeprom | 2.7V ~ 5.5V | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | AT24C64B10TU27 | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 400 kHz | No Volátil | 64 kbits | 900 ns | Eeprom | 8k x 8 | I²C | 5 ms | ||
 | Bq2203apn | 2.6600 | | 2 | 0.00000000 | Benchmarq | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | 16 DIP (0.300 ", 7.62 mm) | 4.5V ~ 5.5V | 16 PDIP | descascar | Rohs no conforme | EAR99 | 8542.39.0001 | 25 | Sram no volátil | ||||||||||||||
 | MT42L16M32D1AC-25 AAT: A TR | - | | 6641 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 134-vfbga | MT42L16M32 | SDRAM - Mobile LPDDR2 | 1.14V ~ 1.95V | 134-vfbga (10x11.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 400 MHz | Volante | 512Mbit | Dracma | 16m x 32 | Paralelo | - | ||||
 | S25FS064SDSMFA010 | 3.3000 | | 6099 | 0.00000000 | Infineon Technologies | FS-S | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | S25FS064 | Flash - Ni | 1.7v ~ 2v | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 280 | 80 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | Destello | 8m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | - | ||||
 | 71024S12Tygi8 | 2.9225 | | 1432 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 32-BSOJ (0.300 ", 7.62 mm de ancho) | 71024s | Sram - Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 32-SOJ | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1,000 | Volante | 1 mbit | 12 ns | Sram | 128k x 8 | Paralelo | 12ns | ||||
| AT24C04D-XHM-T | 0.2700 | | 3336 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | AT24C04 | Eeprom | 1.7V ~ 3.6V | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 5,000 | 1 MHz | No Volátil | 4 kbits | 450 ns | Eeprom | 512 x 8 | I²C | 5 ms | |||
| IS62WV25616EBLL-45TI | - | | 1661 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 44-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | IS62WV25616 | Sram - Asínncrono | 2.2V ~ 3.6V | 44-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Volante | 4mbit | 45 ns | Sram | 256k x 16 | Paralelo | 45ns | ||||
 | SST39VF1682-70-4C-B3KE | 2.8050 | | 6154 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | SST39 MPF ™ | Banda | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFBGA | SST39VF1682 | Destello | 2.7V ~ 3.6V | 48-TFBGA | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 480 | No Volátil | 16mbit | 70 ns | Destello | 2m x 8 | Paralelo | 10 µs | ||||
 | 25AA160DT-E/MNY | 0.8400 | | 9571 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-WFDFN PADERA EXPUESTA | 25AA160 | Eeprom | 1.8v ~ 5.5V | 8-TDFN (2x3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 3,300 | 10 MHz | No Volátil | 16 kbits | Eeprom | 2k x 8 | SPI | 5 ms | ||||
| MT29AZ5A5CHGSQ-18IT.87U TR | 12.3900 | | 9573 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Mt29az5 | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 1,000 | |||||||||||||||||||
 | MT41K64M16TW-107 AUT: J | 4.9009 | | 2414 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | MT41K64M16 | SDRAM - DDR3L | 1.283V ~ 1.45V | 96-FBGA (8x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0032 | 1.368 | 933 MHz | Volante | 1 gbit | 20 ns | Dracma | 64m x 16 | Paralelo | - | |||
 | BR93G76FVM-3BGTTR | 0.2565 | | 8633 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-VSSOP, 8-MSOP (0.110 ", Ancho de 2.80 mm) | BR93G76 | Eeprom | 1.7V ~ 5.5V | 8-MSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 3.000 | 3 MHz | No Volátil | 8 kbits | Eeprom | 512 x 16 | Microondas | 5 ms | ||||
 | 24AA02H-I/MS | 0.3600 | | 4710 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-TSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00 mm de Ancho) | 24AA02 | Eeprom | 1.7V ~ 5.5V | 8-MSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 400 kHz | No Volátil | 2 kbits | 900 ns | Eeprom | 256 x 8 | I²C | 5 ms | |||
 | Cy7C1041G30-10BVXIT | 6.3525 | | 9004 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-vfbga | CY7C1041 | Sram - Asínncrono | 2.2V ~ 3.6V | 48-vfbga (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | Volante | 4mbit | 10 ns | Sram | 256k x 16 | Paralelo | 10ns | ||||
 | W632gg6mb11i | - | | 9910 | 0.00000000 | Winbond Electronics | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-vfbga | W632GG6 | SDRAM - DDR3 | 1.425V ~ 1.575V | 96-vfbga (7.5x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 198 | 933 MHz | Volante | 2 GBIT | 20 ns | Dracma | 128m x 16 | Paralelo | - | |||
 | 24FC1026-I/SM | 4.3350 | | 4325 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | 24FC1026 | Eeprom | 1.8v ~ 5.5V | 8-Soij | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 24fc1026ism | EAR99 | 8542.32.0051 | 90 | 1 MHz | No Volátil | 1 mbit | 400 ns | Eeprom | 128k x 8 | I²C | 5 ms |
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