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Memoria (70500)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página | Sic programable |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | DS1258W-100ind | 48.2200 |  | 8336 | 0.00000000 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | A Través del Aguetero | Módulo de 40 Dips (0.600 ", 15.24 mm) | Nvsram (sram no volátil) | 3V ~ 3.6V | 40 Edip | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | No Volátil | 2 mbit | 100 ns | Nvsram | 128k x 16 | Paralelo | 100ns | |||||
 | Cy62128ell-55zaxekj | 4.5100 | | 5 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | ||||||||||||||||||
 | 599092-002-C | 30.0000 | | 9941 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-599092-002-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | AT34C02B-10TU-1.7-T | - | | 4671 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | AT34C02 | Eeprom | 1.7V ~ 3.6V | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 5,000 | 400 kHz | No Volátil | 2 kbits | 900 ns | Eeprom | 256 x 8 | I²C | 5 ms | |||
 | 70V659S12BCGI | 256.1446 | | 8794 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 256 lbGa | 70v659 | Sram - Puerto Dual, Asínncrono | 3.15V ~ 3.45V | 256-cabga (17x17) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 6 | Volante | 4.5Mbit | 12 ns | Sram | 128k x 36 | Paralelo | 12ns | ||||
 | 71v124sa15ygi8 | - | | 9305 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 32-BSOJ (0.400 ", 10.16 mm de ancho) | 71v124 | Sram - Asínncrono | 3V ~ 3.6V | 32-SOJ | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1,000 | Volante | 1 mbit | 15 ns | Sram | 128k x 8 | Paralelo | 15ns | ||||
 | IS42S16100E-6TLI-TR | - | | 5707 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 50-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | IS42S16100 | Sdram | 3V ~ 3.6V | 50-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 166 MHz | Volante | 16mbit | 5.5 ns | Dracma | 1m x 16 | Paralelo | - | |||
 | W9751G8KB25i | - | | 9521 | 0.00000000 | Winbond Electronics | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 60-TFBGA | W9751G8 | SDRAM - DDR2 | 1.7V ~ 1.9V | 60 WBGA (8x12.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 209 | 400 MHz | Volante | 512Mbit | 400 ps | Dracma | 64m x 8 | Paralelo | 15ns | |||
 | AS7C256A-15TIN | 2.9700 | | 2 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 28-TSOP (0.465 ", 11.80 mm de ancho) | AS7C256 | Sram - Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 28-tsop I | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0041 | 234 | Volante | 256 kbit | 15 ns | Sram | 32k x 8 | Paralelo | 15ns | ||||
| AT49BV321T-90CI | - | | 2980 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 48-TFBGA, CSPBGA | AT49BV321 | Destello | 2.65V ~ 3.3V | 48-CBGA (6x8) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 210 | No Volátil | 32Mbit | 90 ns | Destello | 4m x 8, 2m x 16 | Paralelo | 150 µs | ||||
 | S29GL01GT11DHB023 | 20.3000 | | 4770 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotriz, AEC-Q100, GL-T | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64 lbGa | S29GL01 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 64-FBGA (9x9) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.200 | No Volátil | 1 gbit | 110 ns | Destello | 128m x 8 | Paralelo | 60ns | ||||
| Int0000006k1309 | - | | 7930 | 0.00000000 | IBM | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | 1 | ||||||||||||||||||||
 | IS42S32800D-6BLI-TR | - | | 1521 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 90-TFBGA | IS42S32800 | Sdram | 3V ~ 3.6V | 90-TFBGA (8x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 2.500 | 166 MHz | Volante | 256Mbit | 5.4 ns | Dracma | 8m x 32 | Paralelo | - | |||
 | 24lc16bht-e/mny | 0.5400 | | 8780 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-WFDFN PADERA EXPUESTA | 24lc16b | Eeprom | 2.5V ~ 5.5V | 8-TDFN (2x3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 3,300 | 400 kHz | No Volátil | 16 kbits | 900 ns | Eeprom | 2k x 8 | I²C | 5 ms | |||
 | 71v424s15yg | 4.4800 | | 79 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 36-BSOJ (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | 71v424 | Sram - Asínncrono | 3V ~ 3.6V | 36-SOJ | descascar | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Volante | 4mbit | 15 ns | Sram | 512k x 8 | Paralelo | 15ns | Sin verificado | ||||||
| MT53E4D1BHJ-DC TR | 22.5000 | | 9778 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | MT53E4 | - | Alcanzar sin afectado | 557-MT53E4D1BHJ-DCTR | 2,000 | ||||||||||||||||||||
 | CAT28LV64H13I20 | - | | 1059 | 0.00000000 | onde | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 28-TSOP (0.465 ", 11.80 mm de ancho) | CAT28LV64 | Eeprom | 3V ~ 3.6V | 28-TSOP | descascar | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 234 | No Volátil | 64 kbits | 200 ns | Eeprom | 8k x 8 | Paralelo | 5 ms | |||||
 | CY14V101Q3-SFXI | 12.8625 | | 9282 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | CY14V101 | Nvsram (sram no volátil) | 2.7V ~ 3.6V | 16-soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0041 | 920 | 30 MHz | No Volátil | 1 mbit | Nvsram | 128k x 8 | SPI | - | ||||
 | S29GL128S90FHSS33 | 4.7250 | | 9813 | 0.00000000 | Infineon Technologies | GL-S | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64 lbGa | S29GL128 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 64-FBGA (13x11) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.600 | No Volátil | 128 Mbbit | 90 ns | Destello | 8m x 16 | Paralelo | 60ns | ||||
 | CY62147EV18LL-55BVXI | 6.9400 | | 4 | 0.00000000 | Infineon Technologies | MOBL® | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-vfbga | CY62147 | Sram - Asínncrono | 1.65V ~ 2.25V | 48-vfbga (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | Volante | 4mbit | 55 ns | Sram | 256k x 16 | Paralelo | 55ns | ||||
 | 7008S55PF8 | - | | 8124 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | 7008S55 | Sram - Puerto Dual, Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 100-TQFP (14x14) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 750 | Volante | 512 kbit | 55 ns | Sram | 64k x 8 | Paralelo | 55ns | ||||
 | MT53B384M32D2DS-062 AIT: B TR | - | | 1305 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200 WFBGA | MT53B384 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.6 GHz | Volante | 12 gbit | Dracma | 384m x 32 | - | - | ||||
| Nand512r3a3aza6e | - | | 3349 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 55-TFBGA | Nand512 | Flash - nand | 1.7V ~ 1.95V | 55-vfbga (8x10) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | No Volátil | 512Mbit | 60 ns | Destello | 64m x 8 | Paralelo | 60ns | ||||
 | 852545-001-C | 87.5000 | | 9286 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-852545-001-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
| HX-ML-X64G4RT-HC | 835.0000 | | 6434 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-HX-ML-X64G4RT-HC | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | 67y0016-c | 35.0000 | | 1055 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-67Y0016-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | AT28C256-25LM/883-829 | - | | 7228 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C (TC) | Montaje en superficie | 32-Clcc | AT28C256 | Eeprom | 4.5V ~ 5.5V | 32-LCC (11.43x13.97) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A001A2C | 8542.32.0051 | 34 | No Volátil | 256 kbit | 250 ns | Eeprom | 32k x 8 | Paralelo | 10 ms | ||||
 | 71V67703S80BQ | 26.6900 | | 216 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165-TBGA | 71v67703 | Sram - Sincónnico, SDR | 3.135V ~ 3.465V | 165-Cabga (13x15) | descascar | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | Volante | 9 MBIT | 8 ns | Sram | 256k x 36 | Paralelo | - | ||||||
 | Edb1316bdbh-1daut-fd | - | | 3529 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Montaje en superficie | 134-vfbga | EDB1316 | SDRAM - Mobile LPDDR2 | 1.14V ~ 1.95V | 134-vfbga (10x11.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0032 | 2,100 | 533 MHz | Volante | 1 gbit | Dracma | 64m x 16 | Paralelo | - | ||||
| S71VS256rd0AHKC00 | - | | 8912 | 0.00000000 | Infineon Technologies | VS-R | Banda | Obsoleto | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 56-vfbga | S71VS256 | Flash, psram | 1.7V ~ 1.95V | 56-VFRBGA (7.7x6.2) | - | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 1 | 108 MHz | No Volátil, Volátil | 256Mbit (flash), 128mbit (RAM) | Flash, ram | - | Paralelo | - |
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