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Memoria (70500)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página | Sic programable |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Cy62128dv30ll-55zait | 2.1100 |  | 9 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | MOBL® | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 32-TFSOP (0.465 ", 11.80 mm de Ancho) | CY62128 | Sram - Asínncrono | 2.2V ~ 3.6V | 32-TSOP | descascar | No Aplicable | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.32.0041 | 1.500 | Volante | 1 mbit | 55 ns | Sram | 128k x 8 | Paralelo | 55ns | ||||
 | IS42S16160G-7BLI | 4.0820 | | 4450 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 54-TFBGA | IS42S16160 | Sdram | 3V ~ 3.6V | 54-TFBGA (8x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 348 | 143 MHz | Volante | 256Mbit | 5.4 ns | Dracma | 16m x 16 | Paralelo | - | |||
 | CY7C027V-20AC | - | | 3731 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Bolsa | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | CY7C027 | Sram - Puerto Dual, Asínncrono | 3V ~ 3.6V | 100-TQFP (14x14) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | Volante | 512 kbit | 20 ns | Sram | 32k x 16 | Paralelo | 20ns | ||||
 | IS42RM32800K-6BLI | 6.1873 | | 2789 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 90-TFBGA | IS42RM32800 | Sdram - móvil | 2.3V ~ 3V | 90-TFBGA (8x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 240 | 166 MHz | Volante | 256Mbit | 5.5 ns | Dracma | 8m x 32 | Paralelo | - | |||
 | AT27C256R-70JU-306 | - | | 6144 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 32 LCC (J-Lead) | AT27C256 | EPROM - OTP | 4.5V ~ 5.5V | 32-PLCC (13.97x11.43) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0061 | 32 | No Volátil | 256 kbit | 70 ns | EPROM | 32k x 8 | Paralelo | - | ||||
 | 70V9369L9PF | - | | 6208 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | 70v9369 | Sram - Puerto Dual, Sincónnico | 3V ~ 3.6V | 100-TQFP (14x14) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 90 | Volante | 288 kbit | 9 ns | Sram | 16k x 18 | Paralelo | - | ||||
 | GT28F008B3T110 | 1.3400 | | 26 | 0.00000000 | Intel | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-vfbga | Flash - Bloque de Arranque | 2.7V ~ 3.6V | 48-Ubga (7.7x9) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 | No Volátil | 8mbit | 110 ns | Destello | 1m x 8 | CUI | - | |||||
 | M27C512-15C1 | - | | 2626 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | Tubo | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 32 LCC (J-Lead) | M27C512 | EPROM - OTP | 4.5V ~ 5.5V | 32-PLCC (11.43x13.97) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 8542.32.0061 | 32 | No Volátil | 512 kbit | 150 ns | EPROM | 64k x 8 | Paralelo | - | ||||
 | MT48H8M32LFB5-6: H TR | - | | 4478 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 90-vfbga | MT48H8M32 | SDRAM - LPSDR MÓVIL | 1.7V ~ 1.95V | 90-vfbga (8x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 166 MHz | Volante | 256Mbit | 5 ns | Dracma | 8m x 32 | Paralelo | 15ns | |||
| 4x70p98203-c | 130.0000 | | 7108 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-4X70P98203-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | IS45S16320F-7BLA1 | 12.7882 | | 6291 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 54-TFBGA | IS45S16320 | Sdram | 3V ~ 3.6V | 54-TW-BGA (8x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0028 | 240 | 143 MHz | Volante | 512Mbit | 5.4 ns | Dracma | 32m x 16 | Paralelo | - | |||
 | MT53B1DADS-DC | - | | 8664 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | Montaje en superficie | 200 WFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 200-WFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.360 | Volante | Dracma | ||||||||||||
 | Stk14d88-nf45i | - | | 9286 | 0.00000000 | Simtek | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 32-SOIC (0.295 ", 7.50 mm de Ancho) | Stk14d88 | Nvsram (sram no volátil) | 2.7V ~ 3.6V | 32-SOICO | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | No Volátil | 256 kbit | 45 ns | Nvsram | 32k x 8 | Paralelo | 45ns | ||||
 | Br24g32nux-3attr | 0.5700 | | 5219 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-Ufdfn Padera Expunesta | BR24G32 | Eeprom | 1.7V ~ 5.5V | VSON008X2030 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 4.000 | 1 MHz | No Volátil | 32 kbits | Eeprom | 4k x 8 | I²C | 5 ms | ||||
 | W947d2hbjx5e tr | - | | 7465 | 0.00000000 | Winbond Electronics | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -25 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 90-TFBGA | W947D2 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1.7V ~ 1.95V | 90-vfbga (8x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0002 | 2.500 | 200 MHz | Volante | 128 Mbbit | 5 ns | Dracma | 4m x 32 | Paralelo | 15ns | |||
 | 70V3379S4PRF | - | | 1304 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 128-LQFP | 70V3379 | Sram - Puerto Dual, Sincónnico | 3.15V ~ 3.45V | 128-TQFP (14x20) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 6 | Volante | 576 kbit | 4.2 ns | Sram | 32k x 18 | Paralelo | - | ||||
| 70V261S25PFG | - | | 7009 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | 70V261 | Sram - Puerto Dual, Asínncrono | 3V ~ 3.6V | 100-TQFP (14x14) | - | 800-70V261S25PFG | Obsoleto | 1 | Volante | 256 kbit | 25 ns | Sram | 16k x 16 | Paralelo | 25ns | |||||||
 | CY7C1520V18-167BZXC | - | | 6983 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165 lbGa | CY7C1520 | Sram - Síncrono, DDR II | 1.7V ~ 1.9V | 165-FBGA (15x17) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 167 MHz | Volante | 72Mbit | Sram | 2m x 36 | Paralelo | - | ||||
| 7142SA25JI | - | | 6491 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 52-lcc (J-Lead) | 7142SA | Sram - Puerto Dual, Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 52-PLCC (19.13x19.13) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.32.0041 | 24 | Volante | 16 kbits | 25 ns | Sram | 2k x 8 | Paralelo | 25ns | |||||
 | CY14B104LA-BA25XIT | 30.5550 | | 8384 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFBGA | CY14B104 | Nvsram (sram no volátil) | 2.7V ~ 3.6V | 48-FBGA (6x10) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | No Volátil | 4mbit | 25 ns | Nvsram | 512k x 8 | Paralelo | 25ns | ||||
| CG10081AF | 3.7641 | | 8716 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Activo | - | ROHS3 Cumplante | 135 | ||||||||||||||||||||||
 | S-25C080A0I-J8T1G | 0.4338 | | 4942 | 0.00000000 | ABLIC Inc. | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | S-25C080 | Eeprom | 1.6v ~ 5.5V | 8-SOP | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.32.0051 | 2,000 | 5 MHz | No Volátil | 8 kbits | Eeprom | 1k x 8 | SPI | 4ms | |||||
 | R1LV0108ESN-5SI#S1 | 2.1733 | | 1640 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 32-SOIC (0.450 ", 11.40 mm de ancho) | R1LV0108 | Sram | 2.7V ~ 3.6V | 32-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1,000 | Volante | 1 mbit | 55 ns | Sram | 128k x 8 | Paralelo | 55ns | ||||
| S99GL08GT | - | | 3830 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | - | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||
 | S29GL01GT12TFN010 | - | | 6161 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | GL-T | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | S29GL01 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 56-TSOP | descascar | 1 | No Volátil | 1 gbit | 120 ns | Destello | 128m x 8 | Paralelo | 60ns | Sin verificado | ||||||||
 | FM25V05-G | 13.2300 | | 4138 | 0.00000000 | Infineon Technologies | F-RAM ™ | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | FM25V05 | Fram (Carnero Ferroeléctrico) | 2V ~ 3.6V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 97 | 40 MHz | No Volátil | 512 kbit | Fram | 64k x 8 | SPI | - | ||||
 | IS61VF204836B-7.5TQLI | 123.9810 | | 8445 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | IS61VF204836 | Sram - Sincónnico, SDR | 2.375V ~ 2.625V | 100-LQFP (14x20) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 117 MHz | Volante | 72Mbit | 7.5 ns | Sram | 2m x 36 | Paralelo | - | |||
 | MT35XU512ABA1G12-0AAT | 10.5900 | | 5 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | XCCELA ™ - MT35X | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C | Montaje en superficie | 24-tbGa | MT35XU512 | Flash - Ni | 1.7v ~ 2v | 24-T-PBGA (6x8) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.122 | 200 MHz | No Volátil | 512Mbit | Destello | 64m x 8 | Autobús xcela | - | ||||
 | W25q64dwzpig | - | | 7768 | 0.00000000 | Winbond Electronics | Spiflash® | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | W25Q64 | Flash - Ni | 1.7V ~ 1.95V | 8-wson (6x5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 100 | 104 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | Destello | 8m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | 3 ms | ||||
 | S29PL064J60BFI120 | - | | 2975 | 0.00000000 | Infineon Technologies | PL-J | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-vfbga | S29PL064 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 48-FBGA (8.15x6.15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 2832-S29PL064J60BFI120 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 338 | No Volátil | 64 Mbbit | 60 ns | Destello | 4m x 16 | Paralelo | 60ns |
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