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Memoria (70500)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página | Sic programable |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT29F64G08CECCBH1-12Z: C | - |  | 5171 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tubo | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100-VBGA | MT29F64G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 100-VBGA (12x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 83 MHz | No Volátil | 64 GBIT | Destello | 8g x 8 | Paralelo | - | ||||
 | CG8622am | - | | 1418 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | - | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||
 | Upd48288236aff-e18-dw1-a | 43.7900 | | 776 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Una granela | Activo | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0028 | 1 | ||||||||||||||||||
 | A8711890-C | 837.5000 | | 9965 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-A8711890-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | W29GL256PL9T | - | | 3514 | 0.00000000 | Winbond Electronics | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | W29GL256 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 56-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | No Volátil | 256Mbit | 90 ns | Destello | 32m x 8, 16m x 16 | Paralelo | 90ns | ||||
 | Cy7c1366b-166bgc | - | | 8509 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 119-BGA | CY7C1366 | Sram - Sincónnico, SDR | 3.135V ~ 3.6V | 119-PBGA (14x22) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar Afectados | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 166 MHz | Volante | 9 MBIT | 3.5 ns | Sram | 256k x 36 | Paralelo | - | |||
 | MT29F4G16AACWC: C TR | - | | 3704 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | MT29F4G16 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP I | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 4 gbit | Destello | 256m x 16 | Paralelo | - | |||||
 | 93C86BT-I/SN | - | | 2372 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | 93C86 | Eeprom | 4.5V ~ 5.5V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 3,300 | 3 MHz | No Volátil | 16 kbits | Eeprom | 1k x 16 | Microondas | 2 ms | ||||
 | R1RP0416DSB-2LR#D0 | 24.1800 | | 13 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Una granela | Activo | descascar | No Aplicable | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 1 | ||||||||||||||||||||
 | MT46V64M8CV-5B: J TR | - | | 3014 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 60-vfbga | Mt46v64m8 | SDRAM - DDR | 2.5V ~ 2.7V | 60-FBGA (8x12.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 200 MHz | Volante | 512Mbit | 700 PS | Dracma | 64m x 8 | Paralelo | 15ns | ||||
| 709279L15PFI8 | - | | 7099 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | 709279L | Sram - Puerto Dual, Sincónnico | 4.5V ~ 5.5V | 100-TQFP (14x14) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 750 | Volante | 512 kbit | 15 ns | Sram | 32k x 16 | Paralelo | - | |||||
 | AT49BV040-15VC | - | | 4601 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TC) | Montaje en superficie | 32-TFSOP (0.488 ", Ancho de 12.40 mm) | AT49BV040 | Destello | 2.7V ~ 3.6V | 32-VSOP | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | AT49BV04015VC | EAR99 | 8542.32.0071 | 208 | No Volátil | 4mbit | 150 ns | Destello | 512k x 8 | Paralelo | 50 µs | |||
 | BR24G16FVM-3GTTR | 0.3200 | | 9052 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-VSSOP, 8-MSOP (0.110 ", Ancho de 2.80 mm) | BR24G16 | Eeprom | 1.6v ~ 5.5V | 8-MSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 3.000 | 400 kHz | No Volátil | 16 kbits | Eeprom | 2k x 8 | I²C | 5 ms | ||||
 | MTFC2GMVEA-0M WT | - | | 8327 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Banda | Obsoleto | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 153-vfbga | Mtfc2g | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 153-vfbga | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 16 gbit | Destello | 2G x 8 | MMC | - | |||||
 | SST25VF020B-80-4C-QAE | 1.1200 | | 8838 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | SST25 | Tubo | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | SST25VF020 | Destello | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 98 | 80 MHz | No Volátil | 2 mbit | Destello | 256k x 8 | SPI | 10 µs | ||||
 | MT35XL256ABA1GSF-0AAT | - | | 6890 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | XCCELA ™ - MT35X | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C | Montaje en superficie | 24-tbGa | MT35XL256 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 24-T-PBGA (6x8) | - | 1 (ilimitado) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.440 | 133 MHz | No Volátil | 256Mbit | Destello | 32m x 8 | Autobús xcela | - | ||||||
| AS6C8016B-55BIN | 5.8702 | | 6338 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | Banda | Activo | AS6C8016 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 1450-AS6C8016B-55BIN | EAR99 | 8542.32.0041 | 300 | ||||||||||||||||
 | CY7C144AV-25AC | - | | 3233 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Bolsa | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64-LQFP | CY7C144 | Sram - Puerto Dual, Asínncrono | 3V ~ 3.6V | 64-TQFP (14x14) | descascar | Rohs no conforme | EAR99 | 8542.32.0041 | 2 | Volante | 64 kbits | 25 ns | Sram | 8k x 8 | Paralelo | 25ns | Sin verificado | |||||
 | W632GG6KB15J | - | | 4082 | 0.00000000 | Winbond Electronics | - | Banda | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | W632GG6 | SDRAM - DDR3 | 1.425V ~ 1.575V | 96-WBGA (9x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 190 | 667 MHz | Volante | 2 GBIT | 20 ns | Dracma | 128m x 16 | Paralelo | - | |||
| M58LR256KT70ZQ5F TR | - | | 4093 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -30 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 88-TFBGA | M58LR256 | Flash - Ni | 1.7v ~ 2v | 88-TFBGA (8x10) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.500 | 66 MHz | No Volátil | 256Mbit | 70 ns | Destello | 16m x 16 | Paralelo | 70ns | |||
 | MT29F256G08CJAABWP-12Z: A | - | | 8935 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tubo | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | MT29F256G08 | Flash - Nand (MLC) | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP I | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 83 MHz | No Volátil | 256 GBIT | Destello | 32g x 8 | Paralelo | - | ||||
 | W66cq2nquahj tr | 6.6750 | | 3310 | 0.00000000 | Winbond Electronics | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200 WFBGA | W66CQ2 | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V | 200-WFBGA (10x14.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 256-W66CQ2NQUEHJTR | EAR99 | 8542.32.0036 | 2.500 | 2.133 GHz | Volante | 4 gbit | 3.5 ns | Dracma | 128m x 32 | Lvstl_11 | 18ns | ||
| 40060211-001 | - | | 3625 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | La Última Vez Que Compre | - | 1 | |||||||||||||||||||||||
 | S34ML01G100TFV003 | - | | 3014 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | Ml-1 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | S34ml01 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 1 gbit | Destello | 128m x 8 | Paralelo | 25ns | |||||
 | CY7C1021BN-12VXI | - | | 4507 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 44-BSOJ (0.400 ", 10.16 mm de ancho) | CY7C1021 | Sram - Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 44-SOJ | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 850 | Volante | 1 mbit | 12 ns | Sram | 64k x 16 | Paralelo | 12ns | ||||
| 71V67603S150BG8 | 26.1188 | | 6243 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 119-BGA | 71v67603 | Sram - Sincónnico, SDR | 3.135V ~ 3.465V | 119-PBGA (14x22) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 150 MHz | Volante | 9 MBIT | 3.8 ns | Sram | 256k x 36 | Paralelo | - | |||
 | 71V30S25TF | - | | 6524 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64-LQFP | 71V30 | Sram - Puerto Dual, Asínncrono | 3V ~ 3.6V | 64-TQFP (10x10) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0041 | 40 | Volante | 8 kbits | 25 ns | Sram | 1k x 8 | Paralelo | 25ns | ||||
 | AS7C31025B-12JINTR | 3.0606 | | 5282 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 32-BSOJ (0.400 ", 10.16 mm de ancho) | AS7C31025 | Sram - Asínncrono | 3V ~ 3.6V | 32-SOJ | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0041 | 1,000 | Volante | 1 mbit | 12 ns | Sram | 128k x 8 | Paralelo | 12ns | ||||
 | IS25LQ040B-JULE-TR | - | | 4804 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-Ufdfn Padera Expunesta | Flash - Nor (SLC) | 2.3V ~ 3.6V | 8-USON (2x3) | descascar | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 | 104 MHz | No Volátil | 4mbit | 8 ns | Destello | 512k x 8 | SPI - Quad I/O | 25 µs, 800 µs | |||||||
| IS49NLS93200A-18WBL | 30.4983 | | 4570 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 144-TFBGA | IS49NLS93200 | RDRAM 2 | 1.7V ~ 1.9V | 144-TWBGA (11x18.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-IS49NLS93200A-18WBL | 104 | 533 MHz | Volante | 288Mbit | 15 ns | Dracma | 32m x 9 | Hstl | - |
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