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Memoria (70500)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Voltaje - Suministro	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	FRECUENCIA DE RELOJ	Tipo de Memoria	Tamaña de Memoria	TIempo de Acceso	Formato de Memoria	Organización de la Memoria	Interfaz de Memoria	Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página
S25FL256SAGBHIC00	5.9500	RFQ	1	Infineon Technologies	FL-S	Banda	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	24-tbGa	S25FL256	Flash - Ni	2.7V ~ 3.6V	24-BGA (8x6)	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		3A991B1A	8542.32.0071	338	133 MHz	No Volátil	256Mbit		Destello	32m x 8	SPI - Quad I/O	-
IDT71V3559S75PF	-	RFQ	5224	Renesas Electronics America Inc	-	Banda	Obsoleto	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Montaje en superficie	100 LQFP	IDT71V3559	Sram - Sincónnico, SDR (ZBT)	3.135V ~ 3.465V	100-TQFP (14x14)	descascar	Rohs no conforme	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado	71V3559S75PF	3A991B2A	8542.32.0041	72		Volante	4.5Mbit	7.5 ns	Sram	256k x 18	Paralelo	-
IS42SM16400K-75BLI	-	RFQ	3092	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	-	Banda	Descontinuado en sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	54-TFBGA	IS42SM16400	Sdram - móvil	3V ~ 3.6V	54-TFBGA (8x8)	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.32.0002	348	133 MHz	Volante	64 Mbbit	6 ns	Dracma	4m x 16	Paralelo	-
M95010-WDW6TP	0.3000	RFQ	3	Stmicroelectronics	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho)	M95010	Eeprom	2.5V ~ 5.5V	8-TSOP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.32.0051	4.000	20 MHz	No Volátil	1 kbit		Eeprom	128 x 8	SPI	5 ms
CG8017AA	-	RFQ	3915	Infineon Technologies	-	Una granela	Obsoleto								-		Vendedor indefinido	Alcanzar sin afectado		Obsoleto	0000.00.0000	1
M29F800DB55N6E	-	RFQ	8066	Micron Technology Inc.	-	Banda	Obsoleto	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho)	M29F800	Flash - Ni	4.5V ~ 5.5V	48-TSOP	-	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.32.0071	96		No Volátil	8mbit	55 ns	Destello	1m x 8, 512k x 16	Paralelo	55ns
AT49BV040A-70VI	-	RFQ	3314	Tecnología de Microchip	-	Banda	Obsoleto	-40 ° C ~ 85 ° C (TC)	Montaje en superficie	32-TFSOP (0.488 ", Ancho de 12.40 mm)	AT49BV040	Destello	2.7V ~ 3.6V	32-VSOP	descascar	Rohs no conforme	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.32.0071	208		No Volátil	4mbit	70 ns	Destello	512k x 8	Paralelo	50 µs
IS25LP512M-RGLE	-	RFQ	5105	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	-	Banda	Activo	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Montaje en superficie	24-tbGa	IS25LP512	Flash - Ni	2.3V ~ 3.6V	24-TFBGA (6x8)	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		3A991B1A	8542.32.0071	480	133 MHz	No Volátil	512Mbit		Destello	64m x 8	SPI - Quad I/O, QPI, DTR	1.6ms
Cy7c1380d-167bzi	28.0800	RFQ	210	Cypress Semiconductor Corp	-	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	165 lbGa	CY7C1380	Sram - Sincónnico, SDR	3.135V ~ 3.6V	165-FBGA (13x15)	descascar	Rohs no conforme	3 (168 Horas)	Alcanzar Afectados		3A991B2A	8542.32.0041	1	167 MHz	Volante	18mbit	3.4 ns	Sram	512k x 36	Paralelo	-
DS1265AB-70ind	-	RFQ	6122	Analog Devices Inc./Maxim Integrated	-	Tubo	Obsoleto	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	A Través del Aguetero	Módulo de 36 Dips (0.610 ", 15.49 mm)	DS1265AB	Nvsram (sram no volátil)	4.75V ~ 5.25V	36 Edip	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		3A991B2A	8542.32.0041	9		No Volátil	8mbit	70 ns	Nvsram	1m x 8	Paralelo	70ns
S99FL132KMN4	-	RFQ	7277	Infineon Technologies	-	Banda	Obsoleto	-	-	-		-	-	-	-	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		Obsoleto	0000.00.0000	1		-	-		-		-	-
MT40A2G8JE-062E AUT: E	24.0300	RFQ	2769	Micron Technology Inc.	Automotriz, AEC-Q100	Caja	Activo	-40 ° C ~ 125 ° C (TC)	Montaje en superficie	78-TFBGA		SDRAM - DDR4	1.14V ~ 1.26V	78-FBGA (9x11)	descascar				557-MT40A2G8JE-062EAUT: E			1	1.6 GHz	Volante	16 gbit	19 ns	Dracma	2G x 8	Vana	15ns
7130LA25PFI8	-	RFQ	7950	Renesas Electronics America Inc	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	64-LQFP	7130LA	Sram - Puerto Dual, Asínncrono	4.5V ~ 5.5V	64-TQFP (14x14)	descascar	Rohs no conforme	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.32.0041	750		Volante	8 kbits	25 ns	Sram	1k x 8	Paralelo	25ns
S99Al016J70TFI023	-	RFQ	5034	Infineon Technologies	-	Banda	Obsoleto								-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		Obsoleto		1
CG8277AA	-	RFQ	3132	Infineon Technologies	-	Banda	Obsoleto								-	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)			Obsoleto		1
S25FL128P0XMFI013	3.5400	RFQ	1	Cypress Semiconductor Corp	FL-P	Una granela	Obsoleto	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho)	S25FL128	Flash - Ni	2.7V ~ 3.6V	16-soico	descascar	ROHS3 Cumplante			2832-S25FL128P0XMFI013	3A991B1A	8542.32.0071	1	104 MHz	No Volátil	128 Mbbit		Destello	16m x 8	SPI	3 ms
AT25PE80-SSHN-T	1.8400	RFQ	9	Adesto tecnologías	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C (TC)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	AT25PE80	Destello	1.7V ~ 3.6V	8-Soico	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.32.0071	4.000	85 MHz	No Volátil	8mbit		Destello	256 bytes x 4096 Páginas	SPI	8 µs, 4ms
S80KS2562GABHI020	12.6100	RFQ	337	Infineon Technologies	Hyperram ™	Banda	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	24-VBGA	S80KS2562	Psram (pseudo sram)	1.7v ~ 2v	24-FBGA (6x8)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		3A991B1A	8542.32.0024	338	200 MHz	Volante	256Mbit	35 ns	Psram	32m x 8	Hiperbus	35ns
SM662PAD-BDSS	-	RFQ	9715	Silicon Motion, Inc.	Ferri-EMMC®	Banda	Obsoleto	-40 ° C ~ 105 ° C	Montaje en superficie	153-TFBGA	SM662	Flash - nand (slc), flash - nand (tlc)	-	153-BGA (11.5x13)	-	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)		1984-SM662PAD-BDSS	3A991B1A	8542.32.0071	1		No Volátil	320 GBIT		Destello	40g x 8	EMMC	-
70V3319S133BFI	256.1614	RFQ	7223	Renesas Electronics America Inc	-	Banda	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	208-LFBGA	70V3319	Sram - Puerto Dual, Sincónnico	3.15V ~ 3.45V	208-Cabga (15x15)	descascar	Rohs no conforme	4 (72 Horas)	Alcanzar sin afectado		3A991B2A	8542.32.0041	7	133 MHz	Volante	4.5Mbit	4.2 ns	Sram	256k x 18	Paralelo	-
TN457780-6180	-	RFQ	1831	Infineon Technologies	-	Una granela	La Última Vez Que Compre								-							1
43R2037-C	62.5000	RFQ	3891	Prolabs	*	Paquete minorista	Activo								-	Cumplimiento de Rohs			4932-43R2037-C	EAR99	8473.30.5100	1
A3544256-C	17.5000	RFQ	3862	Prolabs	*	Paquete minorista	Activo								-	Cumplimiento de Rohs			4932-A3544256-C	EAR99	8473.30.5100	1
93LC66C-I/MS	0.4100	RFQ	1	Tecnología de Microchip	-	Tubo	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	8-TSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00 mm de Ancho)	93LC66	Eeprom	2.5V ~ 5.5V	8-MSOP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	93LC66C-I/MS-NDR	EAR99	8542.32.0051	100	3 MHz	No Volátil	4 kbits		Eeprom	512 x 8, 256 x 16	Microondas	6 ms
R1LV3216RSA-7SI#B0	-	RFQ	7220	Renesas Electronics America Inc	-	Banda	Obsoleto	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho)	R1LV3216	Sram	2.7V ~ 3.6V	48-TSOP I	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		3A991B2A	8542.32.0041	1		Volante	32Mbit	70 ns	Sram	4m x 8, 2m x 16	Paralelo	70ns
IS43LR32200B-6BLI	-	RFQ	8090	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	-	Banda	Obsoleto	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	90-TFBGA	IS43LR32200	SDRAM - Mobile LPDDR	1.7V ~ 1.95V	90-TFBGA (8x13)	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.32.0002	240	166 MHz	Volante	64 Mbbit	5.5 ns	Dracma	2m x 32	Paralelo	15ns
AS4C256M8D2-25BCN	12.4067	RFQ	2697	Alliance Memory, Inc.	-	Banda	Activo	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Montaje en superficie	60-TFBGA	AS4C256	SDRAM - DDR2	1.7V ~ 1.9V	60-FBGA (8x10)	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.32.0036	136	400 MHz	Volante	2 GBIT	57.5 ns	Dracma	256m x 8	Paralelo	15ns
34AA02T-I/MS	0.3600	RFQ	2675	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	8-TSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00 mm de Ancho)	34AA02	Eeprom	1.7V ~ 5.5V	8-MSOP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	34AA02T-I/MSTR	EAR99	8542.32.0051	2.500	400 kHz	No Volátil	2 kbits	900 ns	Eeprom	256 x 8	I²C	5 ms
S70FL01GSAGMFB010	17.1150	RFQ	4198	Infineon Technologies	Automotriz, AEC-Q100, FL-S	Banda	Activo	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Montaje en superficie	16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho)	S70FL01	Flash - Ni	2.7V ~ 3.6V	16-soico	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		3A991B1A	8542.32.0071	480	133 MHz	No Volátil	1 gbit		Destello	128m x 8	SPI - Quad I/O	-
32229L7370	-	RFQ	2944	IBM	*	Una granela	Activo								-	No Aplicable	3 (168 Horas)	Vendedor indefinido				1

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Memoria (70500)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²