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Memoria (70500)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página | Sic programable |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BR93G76F-3GTE2 | 0.6700 |  | 4598 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) | BR93G76 | Eeprom | 1.7V ~ 5.5V | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 2.500 | 3 MHz | No Volátil | 8 kbits | Eeprom | 1k x 8, 512 x 16 | Microondas | 5 ms | ||||
 | Cy14B104NA-ZS25XE | - | | 9744 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 44-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | CY14B104 | Nvsram (sram no volátil) | 3V ~ 3.6V | 44-TSOP II | descascar | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2832-cy14b104na-zs25xe | 1 | No Volátil | 4mbit | 25 ns | Nvsram | 256k x 16 | Paralelo | 25ns | Sin verificado | |||||
 | MT58L128L32D1F-6 | 8.2200 | | 1583 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165-TBGA | MT58L128L32 | Sram | 3.135V ~ 3.6V | 165-FBGA (13x15) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 166 MHz | Volante | 4mbit | 3.5 ns | Sram | 128k x 32 | Paralelo | - | |||
 | 7024l25pfi | - | | 2509 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | 7024L25 | Sram - Puerto Dual, Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 100-TQFP (14x14) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.32.0041 | 90 | Volante | 64 kbits | 25 ns | Sram | 4k x 16 | Paralelo | 25ns | |||||
| 16-3160-01 | - | | 3234 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | - | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||
| CG8552AAT | - | | 7873 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 1,000 | |||||||||||||||||||||
| MT48LC16M8A2BB-6A AAT: L TR | - | | 5062 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 60-TFBGA | MT48LC16M8A2 | Sdram | 3V ~ 3.6V | 60-FBGA (8x16) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0002 | 2,000 | 167 MHz | Volante | 128 Mbbit | 5.4 ns | Dracma | 16m x 8 | Paralelo | 12ns | |||
 | MR1A16ACMA35 | 23.3400 | | 1738 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-lfbga | MR1A16 | Mram (Ram Magnetoresistivo) | 3V ~ 3.6V | 48-FBGA (8x8) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 819-MR1A16ACMA35 | EAR99 | 8542.32.0071 | 348 | No Volátil | 2 mbit | 35 ns | RAM | 128k x 16 | SPI | 35ns | |||
| IS22TF16G-JQLA1-TR | 25.4030 | | 5678 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 lbGa | Flash - Nand (TLC) | 2.7V ~ 3.6V | 100-LFBGA (14x18) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS22TF16G-JQLA1-TR | 1,000 | 200 MHz | No Volátil | 128 GBIT | Destello | 16g x 8 | EMMC_5.1 | - | |||||||
 | AT45DB041D-SU | - | | 8677 | 0.00000000 | Adesto tecnologías | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | AT45DB041 | Destello | 2.7V ~ 3.6V | 8-Soico | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.32.0071 | 90 | 66 MHz | No Volátil | 4mbit | Destello | 264 bytes x 2048 Páginas | SPI | 4ms | ||||||
| C-3200D4DR4RN/32G | 387.5000 | | 7139 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-C-3200D4DR4RN/32G | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | CydMX128A16-90BVXI | 7.5300 | | 1 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100-vfbga | Cydmx | SRAM - Puerto Dual, Mob | 1.8v ~ 3.3V | 100-vfbga (6x6) | - | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8542.32.0041 | 40 | Volante | 128 kbit | 90 ns | Sram | 8k x 16 | Paralelo | 90ns | Sin verificado | |||||
 | AS4C512M16D3LB-12BCN | 28.3700 | | 129 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | Banda | Activo | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | AS4C512 | SDRAM - DDR3L | 1.283V ~ 1.45V | 96-FBGA (13.5x9) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 1450-1493 | EAR99 | 8542.32.0036 | 180 | 800 MHz | Volante | 8 gbit | 20 ns | Dracma | 512m x 16 | Paralelo | 15ns | ||
 | W66BL6NBUAHJ | 7.2012 | | 5829 | 0.00000000 | Winbond Electronics | - | Banda | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200 WFBGA | W66BL6 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V | 200-WFBGA (10x14.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 256-W66BL6NBUAHJ | EAR99 | 8542.32.0036 | 144 | 2.133 GHz | Volante | 2 GBIT | 3.5 ns | Dracma | 128m x 16 | Lvstl_11 | 18ns | ||
| GD25F64FSAGR | 1.4939 | | 7244 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25F | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-SOP | - | 1970-GD25F64FSAGRTR | 2,000 | 200 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | Destello | 8m x 8 | SPI - Quad I/O, DTR | - | |||||||||
| MT52L256M64D2QA-125 XT: B | - | | 5805 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | - | - | - | MT52L256 | SDRAM - Mobile LPDDR3 | 1.2V | - | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.190 | 800 MHz | Volante | 16 gbit | Dracma | 256m x 64 | - | - | ||||
 | W25q64cvzpbg | - | | 5909 | 0.00000000 | Winbond Electronics | Spiflash® | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | W25Q64 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (6x5) | descascar | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 256-W25Q64CVZPBG | Obsoleto | 1 | 80 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | 6 ns | Destello | 8m x 8 | SPI - Quad I/O | 50 µs, 3 ms | ||||
 | MT29F256G08AUAAAC5-ITZ: A | - | | 9906 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 52-vlga | MT29F256G08 | Flash - Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 52-VLGA (18x14) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | No Volátil | 256 GBIT | Destello | 32g x 8 | Paralelo | - | |||||
| Nand512r3a2sza6f | - | | 8813 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 63-TFBGA | Nand512 | Flash - nand | 1.7V ~ 1.95V | 63-vfbga (9x11) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 512Mbit | 50 ns | Destello | 64m x 8 | Paralelo | 50ns | |||||
 | IS46DR16160B-25DBLA2 | 7.2696 | | 8308 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 84-TFBGA | IS46DR16160 | SDRAM - DDR2 | 1.7V ~ 1.9V | 84-TWBGA (8x12.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 209 | 400 MHz | Volante | 256Mbit | 400 ps | Dracma | 16m x 16 | Paralelo | 15ns | |||
| GD25WQ80ETJGR | 0.5242 | | 9287 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25WQ | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 3.6V | 8-SOP | descascar | 1970-GD25WQ80ETJGRTR | 3.000 | 84 MHz | No Volátil | 8mbit | 12 ns | Destello | 1m x 8 | SPI - Quad I/O | 240 µs, 8 ms | ||||||||
| IS61NVP25672-200B1I | - | | 2985 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 209-BGA | IS61NVP25672 | Sram - Sincónnico, SDR | 2.375V ~ 2.625V | 209-LFBGA (14x22) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 84 | 200 MHz | Volante | 18mbit | 3.1 NS | Sram | 256k x 72 | Paralelo | - | |||
 | IDT71V35761S200BQI8 | - | | 9093 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165-TBGA | IDT71V35761 | Sram - Sincónnico, SDR | 3.135V ~ 3.465V | 165-Cabga (13x15) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 71V35761S200BQI8 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 200 MHz | Volante | 4.5Mbit | 3.1 NS | Sram | 128k x 36 | Paralelo | - | ||
 | M95040-WMN6T | - | | 8977 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | M95040 | Eeprom | 2.5V ~ 5.5V | 8-Soico | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 2.500 | 20 MHz | No Volátil | 4 kbits | Eeprom | 512 x 8 | SPI | 5 ms | ||||
 | S25FL256SDPMFIG10 | - | | 3058 | 0.00000000 | Extensión | FL-S | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | S25FL256 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 16-soico | descascar | 0000.00.0000 | 1 | 66 MHz | No Volátil | 256Mbit | Destello | 32m x 8 | SPI - Quad I/O | - | ||||||||
 | MT40A512M8SA-062E AIT: F | 14.0850 | | 5201 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | MT40A512M8 | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 78-FBGA (7.5x11) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | MT40A512M8SA-062EAIT: F | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.260 | 1.6 GHz | Volante | 4 gbit | 19 ns | Dracma | 512m x 8 | Paralelo | 15ns | ||
 | W25q64jvsfim | 1.0348 | | 5071 | 0.00000000 | Winbond Electronics | Spiflash® | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | W25Q64 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 16-soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 44 | 133 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | Destello | 8m x 8 | SPI - Quad I/O | 3 ms | ||||
 | 7164L45TDB | - | | 5295 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C (TA) | A Través del Aguetero | 28-CDIP (0.300 ", 7.62 mm) | 7164L | Sram - Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 28 CDIP | descascar | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 1 | Volante | 64 kbits | 45 ns | Sram | 8k x 8 | Paralelo | 45ns | |||||||
 | AT49F512-90PI | - | | 5287 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | A Través del Aguetero | 32-DIP (0.600 ", 15.24 mm) | AT49F512 | Destello | 4.5V ~ 5.5V | 32 PDIP | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | AT49F51290PI | EAR99 | 8542.32.0071 | 12 | No Volátil | 512 kbit | 90 ns | Destello | 64k x 8 | Paralelo | 50 µs | |||
 | AT24C01BN-SH-B | - | | 8817 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | AT24C01 | Eeprom | 1.8v ~ 5.5V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 1 MHz | No Volátil | 1 kbit | 550 ns | Eeprom | 128 x 8 | I²C | 5 ms |
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