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Memoria (70500)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Sic programable | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | TUPO Programable | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página | Sic programable |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT29F32G08ABAAAWP-ITZ: A TR | 38.7300 |  | 9683 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | MT29F32G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP I | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 32 GBIT | Destello | 4g x 8 | Paralelo | - | |||||||
 | SST39VF040-70-4C-NHE-T | 2.5650 | | 7864 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | SST39 MPF ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 32 LCC (J-Lead) | SST39VF040 | Destello | 2.7V ~ 3.6V | 32-PLCC (11.43x13.97) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 750 | No Volátil | 4mbit | 70 ns | Destello | 512k x 8 | Paralelo | 20 µs | ||||||
 | CAT24AA02WI-GT3 | - | | 4868 | 0.00000000 | Catalyst Semiconductor Inc. | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | CAT24AA02 | Eeprom | 1.7V ~ 5.5V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8542.32.0051 | 3.000 | 1 MHz | No Volátil | 2 kbits | 400 ns | Eeprom | 256 x 8 | I²C | 5 ms | |||||||
 | Cat25080li-G | - | | 4751 | 0.00000000 | onde | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | CAT25080 | Eeprom | 1.8v ~ 5.5V | 8 pdip | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 50 | No Volátil | 8 kbits | Eeprom | 1k x 8 | SPI | 5 ms | ||||||||
 | AT28LV256-25PI | - | | 3864 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | A Través del Aguetero | 28-dip (0.600 ", 15.24 mm) | AT28LV256 | Eeprom | Sin verificado | 3V ~ 3.6V | 28 PDIP | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | AT28LV25625PI | EAR99 | 8542.32.0051 | 14 | No Volátil | 256 kbit | 250 ns | Eeprom | 32k x 8 | Paralelo | 10 ms | ||||
 | XC18V04VQG44C | - | | 8688 | 0.00000000 | Amd | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C | Montaje en superficie | 44-TQFP | XC18V04 | Verificado | 3V ~ 3.6V | 44-VQFP (10x10) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1B1 | 8542.32.0071 | 160 | En el sistema programable | 4MB | |||||||||||
 | IS66WV25616BLL-55TLI | - | | 9585 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 44-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | IS66WV25616 | Psram (pseudo sram) | 2.5V ~ 3.6V | 44-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | Volante | 4mbit | 55 ns | Psram | 256k x 16 | Paralelo | 55ns | ||||||
 | MB85RS4MTYPN-G-AWEWE1 | 6.4148 | | 4951 | 0.00000000 | Kaga Fei America, Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8-vdfn | MB85RS4 | Fram (Carnero Ferroeléctrico) | 1.8v ~ 3.6V | 8-DFN (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.32.0071 | 1.500 | 50 MHz | No Volátil | 4mbit | Fram | 512k x 8 | SPI | - | |||||||
 | Cy7c1393bv18-250bzi | 36.7400 | | 1 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165 lbGa | CY7C1393 | Sram - Síncrono, DDR II | 1.7V ~ 1.9V | 165-FBGA (13x15) | descascar | Rohs no conforme | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 250 MHz | Volante | 18mbit | Sram | 1m x 18 | Paralelo | - | Sin verificado | |||||||
| MT46V32M16TG-5B: J TR | - | | 4425 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 66-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | MT46V32M16 | SDRAM - DDR | 2.5V ~ 2.7V | 66-TSOP | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 200 MHz | Volante | 512Mbit | 700 PS | Dracma | 32m x 16 | Paralelo | 15ns | ||||||
| AT45D161-JI | - | | 4448 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 32 LCC (J-Lead) | AT45D161 | Destello | 4.5V ~ 5.5V | 32-PLCC (13.97x11.43) | descascar | Rohs no conforme | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | AT45D161JI | EAR99 | 8542.32.0071 | 32 | 15 MHz | No Volátil | 16mbit | Destello | 528 bytes x 4096 Páginas | SPI | 15 ms | |||||
 | MT29F128G08CBCEBJ4-37ES: E | - | | 8417 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 132-VBGA | MT29F128G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 132-VBGA (12x18) | - | 1 (ilimitado) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.120 | 267 MHz | No Volátil | 128 GBIT | Destello | 16g x 8 | Paralelo | - | ||||||||
 | AT34C02-10TI-1.8-T | - | | 9052 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | AT34C02 | Eeprom | 1.8v ~ 5.5V | 8-TSOP | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 3.000 | 400 kHz | No Volátil | 2 kbits | 900 ns | Eeprom | 256 x 8 | I²C | 10 ms | |||||
 | Cy7c1386d-167axc | 26.7300 | | 1 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | CY7C1386 | Sram - Sincónnico, SDR | 3.135V ~ 3.6V | 100-TQFP (14x20) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 12 | 167 MHz | Volante | 18mbit | 3.4 ns | Sram | 512k x 36 | Paralelo | - | Sin verificado | ||||||
 | 71V124SA10Y | - | | 1780 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 32-BSOJ (0.400 ", 10.16 mm de ancho) | 71v124 | Sram - Asínncrono | 3.15V ~ 3.6V | 32-SOJ | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar Afectados | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | Volante | 1 mbit | 10 ns | Sram | 128k x 8 | Paralelo | 10ns | ||||||
| IS25LX128-JHLA3-TR | 3.5489 | | 6927 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | IS25LX128 | Destello | 2.7V ~ 3.6V | 24-TFBGA (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-IS25LX128-JHLA3-TR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.500 | 133 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | Destello | 16m x 8 | SPI - E/S Octal | - | |||||
 | CY62256EV18LL-70SNXIT | - | | 8506 | 0.00000000 | Infineon Technologies | MOBL® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 28-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | CY62256 | Sram - Asínncrono | 1.65V ~ 2.25V | 28-soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0041 | 1,000 | Volante | 256 kbit | 70 ns | Sram | 32k x 8 | Paralelo | 70ns | ||||||
 | CY62167G-45ZXI | 23.8700 | | 97 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | MOBL® | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | CY62167 | Sram - Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 48-TSOP I | descascar | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2832-CY62167G-45ZXI | 25 | Volante | 16mbit | 45 ns | Sram | 2m x 8, 1m x 16 | Paralelo | 45ns | Sin verificado | |||||||
 | AS6C8016-55ZINTR | 6.0896 | | 2037 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 44-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | AS6C8016 | Sram - Asínncrono | 2.7V ~ 5.5V | 44-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | Volante | 8mbit | 55 ns | Sram | 512k x 16 | Paralelo | 55ns | ||||||
| MT53E1G64D4SQ-046 AAT: A | - | | 7094 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | MT53E1G64 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | MT53E1G64D4SQ-046AAT: A | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.360 | 2.133 GHz | Volante | 64 GBIT | Dracma | 1g x 64 | - | - | |||||||||
| Cy7c1370d-200bzit | - | | 8440 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Nobl ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165 lbGa | CY7C1370 | Sram - Sincónnico, SDR | 3.135V ~ 3.6V | 165-FBGA (13x15) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 200 MHz | Volante | 18mbit | 3 ns | Sram | 512k x 36 | Paralelo | - | |||||
 | 70V06L55PF | - | | 1228 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64-LQFP | 70V06L | Sram - Puerto Dual, Asínncrono | 3V ~ 3.6V | 64-TQFP (14x14) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0041 | 45 | Volante | 128 kbit | 55 ns | Sram | 16k x 8 | Paralelo | 55ns | ||||||
 | Cy7c028-15axi | - | | 9456 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | CY7C028 | Sram - Puerto Dual, Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 100-TQFP (14x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | Volante | 1 mbit | 15 ns | Sram | 64k x 16 | Paralelo | 15ns | ||||||||
 | AT25DF021-MHF-T | - | | 4042 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 8-udfn almohadilla exposición | AT25DF021 | Destello | 2.3V ~ 3.6V | 8-udfn (5x6) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 6,000 | 50 MHz | No Volátil | 2 mbit | Destello | 256k x 8 | SPI | 7 µs, 5 ms | ||||||
 | Cy7C1352G-133axi | - | | 6405 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Nobl ™ | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | CY7C1352 | Sram - Sincónnico, SDR | 3.135V ~ 3.6V | 100-TQFP (14x20) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 133 MHz | Volante | 4.5Mbit | 4 ns | Sram | 256k x 18 | Paralelo | - | |||||
 | M30162040108x0isay | 35.9217 | | 4915 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | M30162040108 | Mram (Ram Magnetoresistivo) | 2.7V ~ 3.6V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 800-M30162040108x0isay | EAR99 | 8542.32.0071 | 150 | 108 MHz | No Volátil | 16mbit | RAM | 4m x 4 | - | - | ||||||
| AT17C010A-10PI | - | | 6302 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | AT17C010 | Sin verificado | 4.5V ~ 5.5V | 8 pdip | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1B1 | 8542.32.0051 | 50 | Eeprom | 1 MB | |||||||||||
| 25LC010A/S16K | - | | 3351 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | Morir | 25LC010 | Eeprom | 2.5V ~ 5.5V | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 5,000 | 10 MHz | No Volátil | 1 kbit | Eeprom | 128 x 8 | SPI | 5 ms | ||||||
 | AT28C64E-12SC | - | | 4547 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TC) | Montaje en superficie | 28-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | AT28C64 | Eeprom | 4.5V ~ 5.5V | 28-soico | descascar | Rohs no conforme | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | AT28C64E12SC | EAR99 | 8542.32.0051 | 27 | No Volátil | 64 kbits | 120 ns | Eeprom | 8k x 8 | Paralelo | 200 µs | |||||
| S29gl032n11ffis10 | - | | 5756 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | Una granela | Activo | - | 2156-S29GL032N11FFIS10 | 1 |
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